纳米银催化共振瑞利散射光谱检测痕量肼

在pH6．2的Na2HPO4-柠檬酸缓冲溶液、水浴60℃条件下，纳米银粒子催化水合肼（N2H4）还原氯金酸（HAuCl4），Au3＋被还原成单质金并吸附在金纳米表面，在370nm处有一个较强的共振瑞利散射（RRS）峰。随着N2H4浓度的增大，生成的单质金越多，金纳米的粒径也逐渐增大，使得体系370nm处的共振瑞利散射峰线性强度增大，从而构建纳米银催化RRS分析平台并用于检测N2H4在选定条件下，N2H4的浓度在0．0125～3．5μmol／L范围内与共振散射峰强度增加值△I呈现良好线性关系，线性方程为△IRS=1297．8C十228．78，检出限为0．006μmol／LN2H4，该法测定了水样中的N2H4，结果令人满意。

一步法可控减薄和掺杂二维过渡金属硫族化合物（英文）

二维过渡金属硫族化合物(TMDCs)具有超薄结构,且其电学、光学性质对厚度具有很强的依赖性,近年来备受研究者们的广泛关注.如何控制TMDCs的厚度和掺杂,是其未来应用的关键所在.本文提出了一种简单高效的HAuCl4处理方法,实现了TMDCs的一步法可控减薄和掺杂,可以制备出薄层及单层TMDCs,同时实现了对MoS2的可控p型掺杂.本文系统研究了关键实验参数的影响,并基于此提出了金插层辅助减薄和掺杂TMDCs的机理.研究还发现该方法具有普适性,可以实现对多种TMDCs的可控减薄,包括MoSe2,WS2, WSe2.电学测试表明, HAuCl4处理后的MoS2纳米片具有更高的场效应晶体管开关比,其阈值电压向正电压方向偏移.本工作提出的这种控制二维TMDCs材料厚度和掺杂的方法,对其未来在高性能电子和光电器件的应用具有一定参考价值.