热丝CVD金刚石薄膜制备及碳纳米管形核作用的研究

利用热丝化学气相沉积法 (HF CVD)进行了金刚石薄膜制备和碳纳米管形核作用的研究。获得了制备金刚石薄膜的优化工艺参数。利用碳纳米管作为形核前驱获得了高质量的金刚石薄膜 ,其沉积速率可达 2 5 μm/h ,晶粒生长完美 ,而且没有出现聚晶现象。研究了碳纳米管涂料质量对薄膜沉积特性的影响 。

刀具表面CVD法金刚石薄膜剥离及其结合性能

在硬质合金和Si3N4 陶瓷刀具表面采用热丝CVD法合成金刚石薄膜的结合性能具有明显差异。在沉积金刚石过程中 ,根据碳源通入系统中的时机不同 ,硬质合金表面容易形成石墨、WC等松散层 ,膜的结合性能变差 ,由于热应力大 ,在无外力作用下膜有时发生自动剥落现象 ;而Si3N4 陶瓷表面上金刚石膜具有良好结合性能。在压应力作用下 ,两衬底上的金刚石薄膜剥离过程也不同 ,硬质合金上膜直接以剥落形式失效 ,而Si3N4 上膜以产生裂纹及其扩展失效。

热丝CVD法高速生长金刚石膜研究

使用热丝ＣＶＤ法研究了碳源种类、氧气含量、灯丝温度、基底与灯丝间距离及异常辉光放电等对金刚石膜生长速度的影响，在此研究的基础上，优化工艺参数，使热丝ＣＶＤ法生长金刚石膜的速度提高到２０μｍ／ｈ。

CVD金刚石薄膜的掺硼研究

主要介绍硼掺杂金刚石膜的生长.采用热灯丝CVD法在硅上制备金刚石薄膜,采用三氧化二硼制备硼掺杂金刚石膜.利用拉曼光谱分析硼掺杂金刚石膜的生长情况.结果表明:硼的掺杂质量分数随生长时间延长而增大;利用SEM观察硼掺杂金刚石膜的表面晶粒变小;利用银浆在掺杂金刚石膜表面制备电极,测试电流随温度升高而变大.

采用USP-CVD沉积SnO_2透明导电膜——F、Sb掺杂及特性研究

以F、Sb掺杂,采用超声雾化喷涂化学气相沉积工艺制备出二氧化锡透明导电膜。对SnO2∶F薄膜的沉积工艺进行了研究,探索出最佳的工艺条件,沉积出方块电阻低达6 赘/□左右的高透过率透明导电薄膜,其可见光平均透过率可以达到85%。分析了HF和NH4F掺杂的不同点。对在两种最佳工艺条件下沉积的膜的结构、电学性质进行了研究。对SnO2∶Sb薄膜的电学性质进行了研究,用X射线衍射方法分析了在同一温度下,不同Sb掺杂浓度的膜的结构。并对薄膜的透过率、折射率及光学带隙等光学性质进行了分析。

Growth of Diamond Film by Hot-filament CVD and Its Interface Research

1.IntroductionRecently,progress of vapour phasegrowth of diamond fihn under non-equilib-rium reaction condition has shown theprospect of its commercial production in re-spect of effectiveness and economy.Theprocess proceeds in the thermodynamical

利用碳纳米管探针进行纳米加工的研究进展

碳纳米管具有小的半径、高的长径比、高的弹性模量和弯曲强度和导电特性 ,这使得它很适合做原子力显微镜探针进行高分辨率测试和纳米级加工 ,并使加工的纳米点、线和复杂图形在加工过程中保持比较一致的形状和高的纵横比。文中提出了一套制备碳纳米管探针的热丝化学气相沉积 (HF- CVD)装置 ,叙述了 HF- CVD的原理。

Highly (111)-textured diamond film growth with high nucleation density

In a traditional hot-filament chemical vapor deposition (HF-CVD) system, highly (111)-textured diamond film was deposited on Si (111) substrate treated by diamond powder ultrasonic scratching or other methods. The relationship between the (111)-textured diamond film growth and the nucleation density has been discussed. The morphologies and structures of the films were characterized by scanning electron microscopy (SEM), X-ray diffraction (XRD) and Raman spectroscopy.

热丝和射频等离子体化学气相沉积法制备定向碳纳米管薄膜

采用热丝和射频等离子体复合化学气相沉积设备（PKHF-CVD），以CH4、H2和N2为反应气体，在较低衬底温度下（500℃），用简单的催化剂制备方法——旋涂法在硅片上涂覆Ni（NO3）2溶液，经热处理及H2还原后的Ni颗粒为催化剂，在硅衬底上制备出了垂直于硅片且定向生长的碳纳米管薄膜。扫描电子显微镜（SEM）和透射电子显微镜（TEM）结果显示，1mol／l的硝酸镍溶液旋涂硅片所得催化剂制得的碳纳米管管径为30-50nm，长度超过4μm，定向性好，并用拉曼光谱（Raman）对不同摩尔浓度Ni（NO3）2溶液条件下制备的碳纳米管薄膜样品进行了表征。