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HFCVD系统中衬底温度场及气相空间场的数值分析 被引量:7
1
作者 杨春 卢文壮 +2 位作者 左敦稳 徐锋 任卫涛 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第2期434-439,共6页
探讨了典型气氛中热丝辐射、气体热传导与对流、化学反应生热等因素对衬底温度的影响,建立了三维热丝辐射和二维热流耦合有限元模型,研究了各工艺参数对衬底温度场及气相空间场的影响。结果表明H2占主导地位的气氛中衬底表面的氢原子重... 探讨了典型气氛中热丝辐射、气体热传导与对流、化学反应生热等因素对衬底温度的影响,建立了三维热丝辐射和二维热流耦合有限元模型,研究了各工艺参数对衬底温度场及气相空间场的影响。结果表明H2占主导地位的气氛中衬底表面的氢原子重组放热对衬底温度有较大影响,氩气气氛中原子重组放热对衬底温度影响很小;热丝温度对衬底温度的影响最大;进气口到衬底的距离及进气口气体流速对衬底附近的流场影响最大,适当提高进气口到衬底的距离有助于提高衬底附近流场均匀性,增大进气速度有助于突破热障提高衬底表面流速,但同时加剧了衬底附近流场的不均匀性。 展开更多
关键词 金刚石膜 hfcvd 温度场 气相空间场 数值分析
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HFCVD金刚石薄膜温度场的数值研究 被引量:4
2
作者 汪爱英 孙超 +2 位作者 邹友生 黄荣芳 闻立时 《金属学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2002年第11期1228-1232,共5页
热丝化学气相沉积(HFCVD)生长金刚石膜过程中,在热丝相关工艺参数取优化值的前提下,对热辐射平衡体系中衬底表面辐照度和衬底温度的空间分布进行了模拟计算,探讨了衬底横向热传导对衬底温度分布的影响.结果表明,在绝热边界和1000K恒... 热丝化学气相沉积(HFCVD)生长金刚石膜过程中,在热丝相关工艺参数取优化值的前提下,对热辐射平衡体系中衬底表面辐照度和衬底温度的空间分布进行了模拟计算,探讨了衬底横向热传导对衬底温度分布的影响.结果表明,在绝热边界和1000K恒温边界条件下,热传导都使衬底温度的空间分布均匀性明显优于纯热辐射下的温度分布.这些计算结果为大面积高质量金刚石膜的生长进一步提供了理论基础. 展开更多
关键词 hfcvd 金刚石薄膜 温度场 数值研究 热传导 热丝化学气相沉积
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大面积HFCVD系统衬底温度场建模与分析 被引量:8
3
作者 宋胜利 左敦稳 王珉 《应用科学学报》 CAS CSCD 2003年第4期423-426,共4页
以大面积HFCVD系统为研究对象,应用传热学理论建立了衬底温度场模型.根据金刚石成膜过程中对衬底温度大小及均匀性的工艺要求,对影响衬底温度场的参数进行了优化设计.最后,应用灵敏度法综合分析了各参数对衬底温度场的影响程度.
关键词 大面积hfcvd系统 温度场 建模 传热学 金刚石膜 灵敏度 热丝法化学气相沉积
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在硅衬底上用HFCVD法生长的纳米SiC薄膜及其室温光致发光 被引量:13
4
作者 余明斌 马剑平 +1 位作者 罗家骏 陈治明 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第7期673-676,共4页
用热丝化学汽相淀积 (HFCVD)法在硅衬底上生长具有纳米晶粒结构的碳化硅薄膜 .用X射线光电子谱仪 (XPS)、X射线衍射 (XRD)、傅里叶红外吸收光谱 (FTIR)、紫外光 Raman散射谱和高分辨透射电子显微镜 (HRTEM)对薄膜样品进行了结构和组分分... 用热丝化学汽相淀积 (HFCVD)法在硅衬底上生长具有纳米晶粒结构的碳化硅薄膜 .用X射线光电子谱仪 (XPS)、X射线衍射 (XRD)、傅里叶红外吸收光谱 (FTIR)、紫外光 Raman散射谱和高分辨透射电子显微镜 (HRTEM)对薄膜样品进行了结构和组分分析 ,并在室温条件下观察到了薄膜的高强度可见光发射 . 展开更多
关键词 纳米材料 碳化硅 薄膜 光致发光 hfcvd
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Effect of deposition parameters on micro-and nano-crystalline diamond films growth on WC-Co substrates by HFCVD 被引量:4
5
作者 张建国 王新昶 +1 位作者 沈彬 孙方宏 《Transactions of Nonferrous Metals Society of China》 SCIE EI CAS CSCD 2014年第10期3181-3188,共8页
The characteristics of hot filament chemical vapor deposition(HFCVD) diamond films are significantly influenced by the deposition parameters, such as the substrate temperature, total pressure and carbon concentratio... The characteristics of hot filament chemical vapor deposition(HFCVD) diamond films are significantly influenced by the deposition parameters, such as the substrate temperature, total pressure and carbon concentration. Orthogonal experiments were introduced to study the comprehensive effects of such three parameters on diamond films deposited on WC-Co substrates. Field emission scanning electron microscopy, atomic force microscopy and Raman spectrum were employed to analyze the morphology, growth rate and composition of as-deposited diamond films. The morphology varies from pyramidal to cluster features with temperature decreasing. It is found that the low total pressure is suitable for nano-crystalline diamond films growth. Moreover, the substrate temperature and total pressure have combined influence on the growth rate of the diamond films. 展开更多
关键词 hot filament chemical vapor deposition(hfcvd diamond films WC-Co substrates deposition parameters
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HFCVD法制备SiC薄膜工艺 被引量:5
6
作者 赵武 王雪文 +1 位作者 邓周虎 张志勇 《西北大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2002年第3期247-250,共4页
分析研究了热丝化学汽相沉积 (HFCVD)法工艺参数的变化对 Si C薄膜质量的影响。结果表明 ,合理的选取工艺参数 ,可在较低温度 (70 0~ 90 0℃ )下 ,沿 Si(1 1 1 )晶向异质生长出高质量的准晶 Si C薄膜。
关键词 hfcvd SIC薄膜 低温生长 碳化硅薄膜 准晶 热丝化学汽相沉积法 制备工艺 半导体材料
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HFCVD法制备纳米晶体碳化硅薄膜中氢流量对晶粒尺寸的影响 被引量:1
7
作者 赵武 张志勇 +2 位作者 翟春雪 闫军锋 邓周虎 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第4期823-826,共4页
以甲烷、硅烷和氢气为反应气体,采用热丝化学气相沉积(HFCVD)法在单晶硅衬底上沉积纳米晶体碳化硅(SiC)薄膜.通过X射线衍射(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)分别对SiC薄膜的晶体结构和表面形貌进行分析.实验发现氢气流量对碳化硅薄膜晶粒尺... 以甲烷、硅烷和氢气为反应气体,采用热丝化学气相沉积(HFCVD)法在单晶硅衬底上沉积纳米晶体碳化硅(SiC)薄膜.通过X射线衍射(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)分别对SiC薄膜的晶体结构和表面形貌进行分析.实验发现氢气流量对碳化硅薄膜晶粒尺寸有很大影响,当氢气流量从10SCCM变化到300SCCM时,薄膜晶粒的平均尺寸将由较大的400nm左右减小到40nm左右. 展开更多
关键词 纳米晶体 SIC薄膜 hfcvd 氢气流量
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HFCVD金刚石膜过程的气氛模拟与分析 被引量:2
8
作者 戚学贵 陈则韶 +2 位作者 常超 王冠中 廖源 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2003年第1期200-206,共7页
对热丝法化学气相沉积金刚石膜过程的气氛进行了模拟与分析.使用GRI-Mech3.0甲烷燃烧过程C/H/O/N四元体系热化学反应机理和动力学数据,模拟并分析了HFCVD金刚石膜的C/H气相化学反应,通过对反应流的简单模拟得到了衬底位置气相组成,结果... 对热丝法化学气相沉积金刚石膜过程的气氛进行了模拟与分析.使用GRI-Mech3.0甲烷燃烧过程C/H/O/N四元体系热化学反应机理和动力学数据,模拟并分析了HFCVD金刚石膜的C/H气相化学反应,通过对反应流的简单模拟得到了衬底位置气相组成,结果与前人实验数据吻合.探讨了灯丝温度、碳源浓度和碳源种类等因素变化对衬底位置气相组成的影响.结果表明甲基是金刚石膜生长最主要的前驱基团,其作用远高于乙炔,而超平衡态原子氢的存在对金刚石膜的质量至关重要. 展开更多
关键词 hfcvd 气氛模拟 热丝法化学气相沉积 金刚石膜 气相化学 前驱基团 成膜过程
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RF-HFCVD生长高质量纳米金刚石薄膜 被引量:2
9
作者 邱东江 吴惠桢 +1 位作者 陈奶波 石成儒 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2002年第3期167-170,共4页
采用射频等离子体增强的热丝化学气相沉积 (RF HFCVD)技术在石英玻璃衬底上制备了高质量的纳米金刚石薄膜 .研究了衬底温度、反应气压及射频功率对金刚石膜的结晶习性和光学性质的影响 ,其最佳值分别为70 0℃、2× 133Pa和 2 0 0W ... 采用射频等离子体增强的热丝化学气相沉积 (RF HFCVD)技术在石英玻璃衬底上制备了高质量的纳米金刚石薄膜 .研究了衬底温度、反应气压及射频功率对金刚石膜的结晶习性和光学性质的影响 ,其最佳值分别为70 0℃、2× 133Pa和 2 0 0W .在该条件下金刚石成核密度达 10 11cm-2 ,经 1h生长即获得连续薄膜 ,其平均晶粒尺寸为 2 5nm ,表面粗糙度仅为 5 5 ,在近红外区域 (80 0nm处 )的光透过率达 90 % . 展开更多
关键词 RF-hfcvd 生长 纳米金刚石薄膜 射频等离子体增强热丝化学气相沉积 光透过率
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HFCVD金刚石薄膜在Mo基体表面的形核 被引量:2
10
作者 王婷 余志明 +1 位作者 游小龙 丰杰 《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2008年第4期585-588,共4页
采用热丝化学气相沉积(HFCVD)方法在Mo基体上沉积金刚石薄膜,使用扫描电镜(SEM)和X射线衍射(XRD)对薄膜样品进行分析检测,研究了表面形核密度随碳源浓度的变化。结果表明:随着碳源浓度增加表面形核密度增大,当碳源浓度达到3%时,表面形... 采用热丝化学气相沉积(HFCVD)方法在Mo基体上沉积金刚石薄膜,使用扫描电镜(SEM)和X射线衍射(XRD)对薄膜样品进行分析检测,研究了表面形核密度随碳源浓度的变化。结果表明:随着碳源浓度增加表面形核密度增大,当碳源浓度达到3%时,表面形核密度质量最佳,当浓度进一步增大时,形核密度下降;随着碳源浓度增加,生长加快,当生长过快时影响形核过程,形核密度下降。 展开更多
关键词 hfcvd 形核密度 金刚石薄膜 Mo基体
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HFCVD生长金刚石薄膜中气体状态参数空间场模拟计算 被引量:1
11
作者 宋贵宏 孙超 +1 位作者 黄荣芳 闻立时 《金属学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1999年第6期648-653,共6页
本文对HFCVD过程中的气体状态参数空间场进行了模拟计算.结果表明,气体的温度,体密度,速度和质量流密度场是空间位置的函数,在合适的位置,可获得均匀的温度和质量流密度.这些结果可为制备大面积均匀金刚石薄膜时的工艺参数选择... 本文对HFCVD过程中的气体状态参数空间场进行了模拟计算.结果表明,气体的温度,体密度,速度和质量流密度场是空间位置的函数,在合适的位置,可获得均匀的温度和质量流密度.这些结果可为制备大面积均匀金刚石薄膜时的工艺参数选择提供理论依据. 展开更多
关键词 金刚石薄膜 均匀生长 空间场 模拟计算 hfcvd
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优化HFCVD系统内衬底温度场的数值研究 被引量:3
12
作者 戚学贵 陈则韶 王冠中 《真空科学与技术》 EI CSCD 北大核心 2002年第4期260-264,共5页
热丝对衬底的辐射是决定热丝化学气相沉积金刚石薄膜系统内衬底表面温度分布的主要因素。本文基于辐射传热基本原理 ,并考虑变热物性衬底的横向热传导 ,改进了衬底温度场的计算模型。数值模拟了衬底表面所受辐射热流密度分布和温度分布 ... 热丝对衬底的辐射是决定热丝化学气相沉积金刚石薄膜系统内衬底表面温度分布的主要因素。本文基于辐射传热基本原理 ,并考虑变热物性衬底的横向热传导 ,改进了衬底温度场的计算模型。数值模拟了衬底表面所受辐射热流密度分布和温度分布 ,结果表明辐射热流密度分布与辐射热平衡得到的温度分布形状一致 ,而衬底横向热传导提高了温度分布的均匀性。进一步计算并讨论了环境温度和热丝高度、数目、间距等几何参数对衬底表面所受辐射热流密度分布和温度分布的影响 ,给出获得 8cm× 展开更多
关键词 hfcvd系统 衬底 温度场 热丝化学气相沉积 金刚石薄膜 变热物性 传热 数值模拟 优化
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HFCVD硼掺杂复合金刚石薄膜的机械性能研究 被引量:1
13
作者 王新昶 申笑天 +1 位作者 孙方宏 沈彬 《金刚石与磨料磨具工程》 CAS 2015年第6期8-13,18,共7页
综合不同种类单层金刚石薄膜的典型优点制备的复合金刚石薄膜具有优异的综合性能,本研究对比了UMCD、BDMCD、UFGD和两类新型硼掺杂复合金刚石薄膜的机械性能。研究结果表明:硼掺杂技术可有效改善金刚石薄膜的附着性能,因此BDM-UMCD和BDM... 综合不同种类单层金刚石薄膜的典型优点制备的复合金刚石薄膜具有优异的综合性能,本研究对比了UMCD、BDMCD、UFGD和两类新型硼掺杂复合金刚石薄膜的机械性能。研究结果表明:硼掺杂技术可有效改善金刚石薄膜的附着性能,因此BDM-UMCD和BDM-UM-UFGCD薄膜均具有较好的附着性能;表层为UMCD薄膜的BDM-UMCD薄膜(84.354GPa)具有UMCD薄膜(82.058GPa)表面硬度极高的优点,但是表面粗糙度较高(Ra304.41nm)、表面可抛光性较差;相比之下,表层为UFGD薄膜的BDM-UM-UFGCD薄膜则具有UFGD薄膜优异的表面光洁度(Ra104.71nm)和表面可抛光性,此外由于硬度极高的中间层UMCD对于表层硬度的补充作用,该复合薄膜还具有相比于单层UFGD薄膜(67.925GPa)而言较高的表面硬度(72.657GPa)。 展开更多
关键词 hfcvd 硼掺杂 金刚石薄膜 机械性能
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HFCVD方法沉积金刚石薄膜的生长研究 被引量:1
14
作者 杨国伟 毛友德 《量子电子学》 CAS CSCD 1994年第4期280-284,共5页
本文讨论了金刚石薄膜应用于光学领域所遇到的问题,研究了热丝CVD(HFCVD)方法生长应用于光学膜的金刚石薄膜过程中,衬底表面的预处理和沉积条件如碳源浓度、衬底温度等对制备腹晶粒尺度和晶粒间界以及膜表面形貌的影响.
关键词 金刚石薄膜 光学膜 光学材料 沉积 hfcvd
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提高HFCVD法合成金刚石中钨热解丝寿命的措施 被引量:1
15
作者 邱万奇 刘正义 +4 位作者 陈剑惠 周克崧 代明江 王德政 丁谦 《理化检验(物理分册)》 CAS 1999年第6期248-250,共3页
HFCVD法合成的金刚石中钨热解丝在沉积过程中因碳化而产生裂纹,在停机操作时钨热解丝因骤冷产生了热应力而断裂。停机操作前采用碳化钨还原技术及减缓钨丝冷却速度,可将钨丝的寿命提高3~5倍。
关键词 钨丝 碳化 断裂 金刚石膜 hfcvd
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HFCVD法沉积金刚石薄右热丝优化方法 被引量:1
16
作者 宋雪梅 张生俊 《人工晶体学报》 CSCD 北大核心 2000年第3期269-274,共6页
本文探讨了在HFCVD(lot filament chemical vapor depositoin)沉积金刚石薄膜中热丝数量、位置等几何参数对温度温度场和辐射场的影响。利用系统热传递和计算机辅助的数值解方法得到了该... 本文探讨了在HFCVD(lot filament chemical vapor depositoin)沉积金刚石薄膜中热丝数量、位置等几何参数对温度温度场和辐射场的影响。利用系统热传递和计算机辅助的数值解方法得到了该方法沉积大面积金 汪膜中衬底表面温度分布和热辐射能量密度分布。发现金刚石薄膜的均匀性受热辐射能量密度分布影响较大。进一步给出了沉积面积为100mm×100mm的金刚石薄膜的最佳参数。 展开更多
关键词 金刚石薄厝 CVD 热丝法 hfcvd 沉积 衬底
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HFCVD法生长金刚石薄膜中的热丝技术 被引量:1
17
作者 杨国伟 毛友德 《微细加工技术》 EI 1993年第1期82-85,共4页
本工作研究了在热丝(HF)CVD法生长金刚石薄膜中的热丝技术,给出了一种通常作为热丝的钨丝的实用性预处理方法,并且研究了热丝温度分布对生长膜厚度的影响,发现膜厚分布与基片表面温度分布是一致的。
关键词 金刚石 薄膜 热丝 hfcvd
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影响HFCVD金刚石晶核孕育期的几种因素 被引量:1
18
作者 邱东江 《浙江大学学报(理学版)》 CAS CSCD 2000年第3期270-274,共5页
首次总结了影响热丝 CVD金刚石晶核孕育期的几种因素 .认为热丝对反应气体的分解效率是关键因素 .热丝分解效率受热丝温度 Tf 热丝周围碳源浓度、尤其是受热丝碳化程度的影响 .对热丝碳化越充分导致金刚石晶核的孕育期越短。
关键词 热丝碳化 金刚石晶核孕育期 成核密度 hfcvd
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HFCVD金刚石膜衬底温度的计算机控制
19
作者 褚向前 朱武 +2 位作者 陈长琦 左敦稳 朱胤 《真空》 CAS 北大核心 2007年第3期51-53,共3页
针对CVD金刚石膜生长手动控制的种种不便,在生长系统中引入了计算机控制,实现了用计算机控制生长金刚石膜的衬底温度。详细介绍了计算机控制系统的设计和实现方法。实际运行结果表明,该系统稳定性好、可靠性高,实现了金刚石膜稳定生长。
关键词 hfcvd 金刚石膜 衬底温度 计算机控制
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C-N化合物薄膜的PE-HFCVD合成研究
20
作者 程国安 刘洪刚 +2 位作者 郑瑞廷 赵勇 刘华平 《北京师范大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2004年第4期475-480,共6页
对等离子体增强热丝化学气相沉积 (PE HFCVD)Si衬底上合成的C N薄膜进行了研究 .利用X射线衍射 (XRD)、反射式高能电子衍射 (RHEED)、扫描电子显微镜 (SEM)等对C N薄膜的物相、形貌以及沉积层结构进行了分析 .结果证实 :在Si衬底上能形... 对等离子体增强热丝化学气相沉积 (PE HFCVD)Si衬底上合成的C N薄膜进行了研究 .利用X射线衍射 (XRD)、反射式高能电子衍射 (RHEED)、扫描电子显微镜 (SEM)等对C N薄膜的物相、形貌以及沉积层结构进行了分析 .结果证实 :在Si衬底上能形成了α C3N4 和 β C3N4 混合相 ,且气流中V(NH3)∶V(CH4 )的比值直接影响C N薄膜中混合相的含量 .由于α C3N4 和 β C3N4 相之间存在的竞相生长 ,导致晶粒很难长大 ,从而形成聚晶结构 ,每个聚晶由大量的纳米晶组成 . 展开更多
关键词 PE-hfcvd C-N化合物 薄膜
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