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X波段五位移相器和小功率开关HMIC的研制 被引量:1
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作者 薛羽 《电子元件与材料》 CAS CSCD 1999年第5期32-33,共2页
介绍了一种用混合微波组装工艺制造的X波段PIN二极管五位数字移相器和小功率开关HMIC的电路设计和制造工艺,并分析了制造工艺对移相器的影响, 提出了控制这种影响的方法。用这种控制方法制造的该X波段PIN二极管五位数字... 介绍了一种用混合微波组装工艺制造的X波段PIN二极管五位数字移相器和小功率开关HMIC的电路设计和制造工艺,并分析了制造工艺对移相器的影响, 提出了控制这种影响的方法。用这种控制方法制造的该X波段PIN二极管五位数字移相器和小功率开关HMIC: 体积小。 展开更多
关键词 移相器 小功率开关 制造工艺 hmic
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MACOM宣布推出全新的优化负电压驱动器 可兼容高性能AlGaAs和HMIC PIN二极管开关
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《世界电子元器件》 2019年第1期57-58,共2页
新型MADR-011020和MADR-011022驱动器,支持超快开关速度.无缝兼容MACOM AlGaAs和HMIC PIN二极管,实现出色的易用性.MACOM全新驱动器产品现已正式发售全球领先的半导体解决方案供应商MACOM Technology Solutions Inc.('MACOM')... 新型MADR-011020和MADR-011022驱动器,支持超快开关速度.无缝兼容MACOM AlGaAs和HMIC PIN二极管,实现出色的易用性.MACOM全新驱动器产品现已正式发售全球领先的半导体解决方案供应商MACOM Technology Solutions Inc.('MACOM')今日宣布推出两款全新的负电压驱动器,能够无缝兼容MACOM全系列AlGaAs和HMIC PIN二极管开关产品。相比分立元件的驱动方案,全新集成的MADR-011020和MADR-011022用于驱动MACOM具有业界领先性能的PIN二极管,可有效简化PCB布局,降低元器件成本并缩短项目研发周期。 展开更多
关键词 二极管 hmic PIN 驱动器 PIN MACOM ALGAAS
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M/A-COM的新品HMIC混频器
3
作者 陈裕权 《半导体信息》 2005年第5期17-18,共2页
美国M/A-COM公司进一步拓宽了其表面安装高IP3、高隔离混合微波集成电路(HMIC)高势垒混频器产品,其最新推出的MA4EXP400H-1277T系列用于基站和基础设备。上述系列混频器采用标准的3mm2的窄带距方形扁平封装(FQFP-14)。
关键词 A-COM hmic 微波集成电路 扁平封装 上变频 下变频 本振 势垒 基础设备 系统线性
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关于微波固态电路的微型化技术 被引量:3
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作者 顾墨琳 《现代雷达》 CSCD 1991年第5期70-78,49,共10页
本文概述微波固态电路微型化技术的国际现状和发展趋势,评述单片微波集成电路技术,介绍有关微型化组件“计算机辅助工程”的概念,并赡望国内微型化前景。
关键词 微波固态电路 MMIC hmic Mhmic GAAS MESFET CAE
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基于熵的数字化人机交互复杂度研究 被引量:5
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作者 张力 刘雪阳 +2 位作者 洪俊 胡鸿 邹萍萍 《中国安全科学学报》 CAS CSCD 北大核心 2015年第10期65-70,共6页
为预防数字化人机交互系统的人因失误,建立一种分析人机交互复杂度(HMIC)的新方法,并进行实践验证。首先,用信息熵方法研究数字化HMIC。基于数字化控制系统中人机交互与传统系统中的区别,将任务逻辑复杂度(TC)、操作步骤复杂度(OC)、信... 为预防数字化人机交互系统的人因失误,建立一种分析人机交互复杂度(HMIC)的新方法,并进行实践验证。首先,用信息熵方法研究数字化HMIC。基于数字化控制系统中人机交互与传统系统中的区别,将任务逻辑复杂度(TC)、操作步骤复杂度(OC)、信息复杂度(IC)与知识水平复杂度(KC)确定为度量数字化人机交互复杂性的主要指标,且集成为一个综合性指标-HMIC。然后,基于熵值法建立指标权重调整模型,使静态赋权和动态赋权相结合,增强评价的合理性和科学性。通过欧几里得范数得到HMIC计算模型。用该模型,分析某实际数字化核电厂蒸气发生器传热管破裂(SGTR)应急操作过程的HMIC。结果表明,基于熵的数字化HMIC模型和方法是合理、可行的,适合在工程中应用。 展开更多
关键词 数字化 人机交互复杂度(hmic) 权重 蒸气发生器传热管破裂(SGTR)
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小型化混合微波集成电路制造技术 被引量:3
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作者 严伟 《电子元件与材料》 CAS CSCD 1999年第3期30-32,共3页
介绍了小型化混合微波集成电路(MHMIC)的制造工艺,列举了研制的几种典型的小型化混合微波集成电路(MHMIC)。与传统的混合微波集成电路(HMIC)相比,MHMIC具有体积小、重量轻、组装密度高、可靠性高、设计和调... 介绍了小型化混合微波集成电路(MHMIC)的制造工艺,列举了研制的几种典型的小型化混合微波集成电路(MHMIC)。与传统的混合微波集成电路(HMIC)相比,MHMIC具有体积小、重量轻、组装密度高、可靠性高、设计和调试灵活方便等显著优点。 展开更多
关键词 小型化 单片 微波集成电路 制造工艺 hmic
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新型大功率小型化陶瓷宽边耦合3dB电桥设计
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作者 黄科 孔令甲 《电子世界》 2018年第7期5-7,共3页
提出并实现一种基于薄膜工艺的陶瓷P波段大功率小型化3d B宽边耦合电桥:利用薄膜光刻工艺和混合微波集成电路(HMIC),采用螺旋形的宽边耦合结构,设计制作了一款陶瓷大功率小型化低插损的3d B电桥。陶瓷螺旋形宽边结构有助于实现3d B电桥... 提出并实现一种基于薄膜工艺的陶瓷P波段大功率小型化3d B宽边耦合电桥:利用薄膜光刻工艺和混合微波集成电路(HMIC),采用螺旋形的宽边耦合结构,设计制作了一款陶瓷大功率小型化低插损的3d B电桥。陶瓷螺旋形宽边结构有助于实现3d B电桥的小型化和低插损。利用微波仿真软件,设计了该P波段大功率3d B电桥。最终尺寸仅为10mm×6mm×0.8mm。经测试验证,该电桥在400MHz-480MHz范围内实现3d B紧耦合,插损(IL)<0.15d B,驻波比(VSWR)<1.3:1,该3d B电桥可承受功率超过2000W、占空比为15%的脉冲功率冲击。 展开更多
关键词 大功率 小型化 混合微波集成电路(hmic) 陶瓷 宽边耦合 3dB电桥
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S波段T/R组件用GaN功率放大器链的设计(英文) 被引量:3
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作者 姚小江 谢武涛 +3 位作者 施鹤年 刘珊 胡永芳 赵亮 《现代雷达》 CSCD 北大核心 2011年第8期56-57,61,共3页
基于Si衬底AlGaN/GaN HEMT器件的功率放大器链是下一代S波段相控阵雷达T/R组件的核心部分。研制的S波段放大器链主要由驱动放大器和功率放大器组成,驱动放大器与功率放大器都是基于Si衬底AlGaN/GaN HEMT器件的混合集成电路。基于混合集... 基于Si衬底AlGaN/GaN HEMT器件的功率放大器链是下一代S波段相控阵雷达T/R组件的核心部分。研制的S波段放大器链主要由驱动放大器和功率放大器组成,驱动放大器与功率放大器都是基于Si衬底AlGaN/GaN HEMT器件的混合集成电路。基于混合集成电路的放大器链获得了高的输出峰值功率和附加功率(PAE),整个放大器链输出功率在800 MHz频率范围内大于20 W,附加效率(PAE)大于50%。 展开更多
关键词 ALGAN/GAN HEMT器件 T/R组件 混合集成电路 高功率放大器 S波段
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Ka波段混合集成前端 被引量:2
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作者 邹涌泉 甘体国 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2002年第6期477-480,共4页
介绍最近研制成功的 8毫米波混合集成前端的设计方法和测试结果 .该前端由本征模块、发射机和接收机组成 ,具有高指标、小型化、轻量化和高可靠等优点 .测量结果表明 ,在工作频带内 ,发射功率大于 35 0mW ,接收机噪声系数小于 3.0dB .
关键词 混合集成前端 KA波段 毫米波 混合集成电路 组成 工作原理
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Ag/AuGeNi/n-GaSb欧姆接触的研究 被引量:1
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作者 钟兴儒 刘爱民 +3 位作者 林兰英 常秀兰 陶琨 陈顺英 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1995年第4期384-388,共5页
研究了Ag/AuGeNi/n-GaSb在150℃一450℃下合金处理对欧姆接触的影响,最佳合金温度为220℃,此时接触电阻率为6.7×1O-‘Ωcm‘。用AES和XRD研究了金属半导体界面处的扩散及物相变化,并讨... 研究了Ag/AuGeNi/n-GaSb在150℃一450℃下合金处理对欧姆接触的影响,最佳合金温度为220℃,此时接触电阻率为6.7×1O-‘Ωcm‘。用AES和XRD研究了金属半导体界面处的扩散及物相变化,并讨论了接触电阻率与微结构的关系。 展开更多
关键词 欧姆接触 接触电阻率 微结构 太阳能电池
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星载合成孔径雷达频率源 被引量:1
11
作者 费元春 《北京理工大学学报》 EI CAS CSCD 1992年第3期73-80,共8页
阐述了星载合成孔径雷达频率源的国内外水平和发展趋势.讨论了三种实用的频率源.第一种是晶振倍频源;第二种是混合微波集成电路(HMIC)锁相频率合成器;第三种是采用单片微波集成电路(MMIC)的数字锁相频率合成器,这种源具有最小的体积和重... 阐述了星载合成孔径雷达频率源的国内外水平和发展趋势.讨论了三种实用的频率源.第一种是晶振倍频源;第二种是混合微波集成电路(HMIC)锁相频率合成器;第三种是采用单片微波集成电路(MMIC)的数字锁相频率合成器,这种源具有最小的体积和重量(减小10~100倍)、高的可靠性、低的功耗与成本,易于程控等优点,有广阔的应用前景。此外,还对我国星载合成孔径雷达频率源的发展提出了一些建议。 展开更多
关键词 合成孔径雷达 星载雷达 频率源
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Negative Lumped Element Matching Technique for Performance Enhancement of Ultra-Wideband LNA
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作者 Kishor G Sawarkar Kushal Tuckley 《China Communications》 SCIE CSCD 2019年第3期143-153,共11页
The paper aims at designing of two stage cascaded ultra-wideband(UWB) low noise amplifier(LNA) by using negative image amplifier technique. The objective of this article is to show the performance improvement using ne... The paper aims at designing of two stage cascaded ultra-wideband(UWB) low noise amplifier(LNA) by using negative image amplifier technique. The objective of this article is to show the performance improvement using negative image amplifier technique and realization of negative valued lumped elements into microstrip line geometry. The innovative technique to realize the negative lumped elements are carried out by using Richard's Transformation and transmission line calculation. The AWR microwave office tool is used to obtain characteristics of UWB LNA design with hybrid microwave integrated circuit(HMIC) technology. The 2-stage cascaded LNA design using negative image amplifier technique achieves average gain of 23 dB gain and low noise Figure of less than 2 dB with return loss less than-8 dB for UWB 3-10 GHz. The Proper bias circuit is extracted using DC characteristics of transistor at biasing point 2 V, 20 mA and discussed in detail with LNA layout. The negative image matching technique is applied for both input and output matching network. This work will be useful for all low power UWB wireless receiver applications. 展开更多
关键词 LNA ultrawide BAND PHEMT MATCHING network hmic
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一个8GHz基于AlGaN/GaN HEMT的内匹配电路 被引量:1
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作者 张辉 陈晓娟 +5 位作者 刘果果 曾轩 袁婷婷 陈中子 王亮 刘新宇 《电子器件》 CAS 2009年第1期24-27,共4页
论述了一个在8 GHz下基于AlGaN/GaN HEMT功率放大器HMIC的设计、制备与测试。该电路包含了1个10×100μm的AlGaN/GaN HEMT和输入输出匹配电路。在偏置条件为VDS=40 V、IDS=0.16 A时输出连续波饱和功率在8GHz达到36.5 dBm(4.5 W),PAE... 论述了一个在8 GHz下基于AlGaN/GaN HEMT功率放大器HMIC的设计、制备与测试。该电路包含了1个10×100μm的AlGaN/GaN HEMT和输入输出匹配电路。在偏置条件为VDS=40 V、IDS=0.16 A时输出连续波饱和功率在8GHz达到36.5 dBm(4.5 W),PAE为60%,线性增益10 dB;在偏置条件为VDS=30 V、IDS=0.19 A时输出连续波饱和功率在8 GHz达到35.6 dBm(3.6 W),PAE为47%,线性增益9 dB。 展开更多
关键词 ALGAN/GANHEMT 内匹配 混合集成电路 功率放大器
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一种新型Ka波段三节3 dB Wilkinson耦合器
14
作者 刘源 王婕 《科学技术与工程》 2008年第19期5389-5393,共5页
根据多节3dBWilkinson耦合器的经典设计方法,针对Ka波段遇到的问题,提出了使用90°圆弧线替代半圆形分支臂,设计了一种Ka波段三节3dBWilkinson等功率耦合器,有效地解决了分支臂间的去耦合问题。仿真结果表明,在26.5—40GHz,插入损... 根据多节3dBWilkinson耦合器的经典设计方法,针对Ka波段遇到的问题,提出了使用90°圆弧线替代半圆形分支臂,设计了一种Ka波段三节3dBWilkinson等功率耦合器,有效地解决了分支臂间的去耦合问题。仿真结果表明,在26.5—40GHz,插入损耗约为0.5dB,所有端口的回波损耗>13dB(VSWR小于1.65),输出端口隔离度>13dB,较好地满足了Ka波段HMIC功率分配与合成电路的需求。 展开更多
关键词 功率分配器 毫米波 多节3 DB Wilkinson耦合器 混合MIC
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模块化雷达接收机的微电子化
15
作者 钟健 《微电子学》 CSCD 1994年第1期46-51,共6页
本文阐述了雷达接收机模块化的必要性及可行性;提出了模块化雷达接收机的实施方案;论述了微电子技术在实现雷达接收机模块化中所起的重要作用,并对微电子技术在模块化雷达接收机中的应用前景提出了一些看法。在比较了国内外模拟集成... 本文阐述了雷达接收机模块化的必要性及可行性;提出了模块化雷达接收机的实施方案;论述了微电子技术在实现雷达接收机模块化中所起的重要作用,并对微电子技术在模块化雷达接收机中的应用前景提出了一些看法。在比较了国内外模拟集成电路及MMIC、HMIC器件之后,对模块化雷达接收机所用器件的国产化提出了一些希望。最后,介绍了我所微电子化接收机系列的研制情况。 展开更多
关键词 雷达接收机 集成电路 MMIC 模块化
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数字波束形成接收机技术
16
作者 周根祥 《现代雷达》 CSCD 1992年第2期56-60,共5页
本文介绍下一代数字波束形成(DBF)雷达的关键部件—DBF接收机组件。该组件是采用厚膜混合微波集成电路(HMIC)和表面安装技术(SMT)实现的。文中还讨论了设计原理、组件构成和关键技术。最后给出了实验结果。
关键词 数字波束形成 接收机组件 雷达
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腐殖酸煤棒在ф2650mm造气炉上的应用
17
作者 李德朗 《化工设计通讯》 CAS 2011年第3期49-52,共4页
根据ф2650mm煤气炉烧腐殖酸煤棒的经验,介绍煤气炉烧煤棒时工艺条件和操作参数的选择。
关键词 煤气炉 腐殖酸煤棒 工艺参数
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