C波段60W GaAs大功率内匹配晶体管

报道了一种采用内匹配技术制作的GaAs大功率晶体管。通过管芯的结构设计和工艺优化，进行了GaAs微波大栅宽芯片的研制；通过内匹配技术对HPFET（highperformanceFET）管芯进行阻抗匹配，实现了器件的大功率输出；通过提高栅-漏击穿电压、降低饱和压降等手段提高器件的功率和附加效率。经测试，当器件Vds=10V时，在5．3～5．7GHz频段输出功率P≥47．8dBm（60．3W），功率附加效率PAE≥42．8％，其中在5．5GHz频率点，输出功率达到48dBm（63．1W），附加效率为46．8％。

GaAs高效率高线性大功率晶体管

介绍了一种GaAs高效率高线性大功率晶体管的设计、制作和性能,包括材料结构设计、电路的CAD优化设计、功率合成技术研究等。通过管芯的结构设计、材料优化,进行了GaAs微波大栅宽芯片的研制;通过内匹配技术对HPFET（high performance FET）管芯进行阻抗匹配,实现了器件的大功率输出;通过提高栅-漏击穿电压、降低饱和压降等手段提高器件的功率和附加效率;通过严格控制栅凹槽的宽度,实现了较好的线性特性。测试结果表明,器件在5.3-5.9GHz频段内,P1dB为45W,功率附加效率ηadd为41%,实现了预期的设计目标。