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一种用于提高读写操作的新型8管SRAM单元设计
1
作者
李颂
孟坚
《电脑知识与技术》
2015年第6期254-256,共3页
随着MOS制造工艺的不断发展,晶体管的特征尺寸越来越小,SRAM存储单元对制造工艺的要求也越来越高,功耗问题也越来越突出,该文设计的新型8管采用单个位线来进行读写操作,在两个交叉耦合的反相器之间加入PMOS晶体管来提高写能力。仿真的...
随着MOS制造工艺的不断发展,晶体管的特征尺寸越来越小,SRAM存储单元对制造工艺的要求也越来越高,功耗问题也越来越突出,该文设计的新型8管采用单个位线来进行读写操作,在两个交叉耦合的反相器之间加入PMOS晶体管来提高写能力。仿真的结果表明:与传统6管和7管相比,这种8管呈现出更好的读噪声容限、写裕度和保持存储数据的能力。
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关键词
新型8管
单个位线读写
静态噪声容限
保持噪声容限
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职称材料
题名
一种用于提高读写操作的新型8管SRAM单元设计
1
作者
李颂
孟坚
机构
安徽大学电子信息工程学院
出处
《电脑知识与技术》
2015年第6期254-256,共3页
文摘
随着MOS制造工艺的不断发展,晶体管的特征尺寸越来越小,SRAM存储单元对制造工艺的要求也越来越高,功耗问题也越来越突出,该文设计的新型8管采用单个位线来进行读写操作,在两个交叉耦合的反相器之间加入PMOS晶体管来提高写能力。仿真的结果表明:与传统6管和7管相比,这种8管呈现出更好的读噪声容限、写裕度和保持存储数据的能力。
关键词
新型8管
单个位线读写
静态噪声容限
保持噪声容限
Keywords
8T SRAM
Single-bit
SNM
hsnm
分类号
TP311 [自动化与计算机技术—计算机软件与理论]
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题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
一种用于提高读写操作的新型8管SRAM单元设计
李颂
孟坚
《电脑知识与技术》
2015
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