大容量同步双端口SRAM的仿真方法

根据大容量同步双端口SRAM(静态随机存储器)功能多、时序严格、存储单元数目巨大的特点,提出了一套用于功能复杂的大容量SRAM仿真验证的激励生成和后仿真验证方法。该方法不仅克服了Hsim仿真激励文件编写耗时、不易修改的缺点,而且解决了大容量双端口SRAM后仿真速度缓慢、占用大量硬件资源的问题,在很大程度上缩短了设计周期,保证了投片成功。芯片采用中芯国际0.13μm CMOS工艺流片,实测结果验证了该仿真方法是准确有效的。