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题名微波激励PIN二极管的时频响应研究
被引量:3
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作者
杨成
万双林
刘培国
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机构
国防科学技术大学电子科学与工程学院
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出处
《微波学报》
CSCD
北大核心
2011年第3期9-12,16,共5页
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基金
武器装备预研基金
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文摘
利用一种PIN二极管子电路模型,分析微波激励下的I区电导调制机理,通过ADS软件瞬态、谐波仿真,研究Ⅰ层厚度w和少数载流子寿命τ对PIN二极管时频响应的影响。结果表明,对于同一微波激励,w越大,尖峰泄漏功率越大,导通时隔离度越小;τ越大,尖峰泄漏脉宽越小,导通时隔离度越大。仿真结果与理论分析相符。
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关键词
PiN二极管
电导调制
时频响应
Ⅰ层厚度
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Keywords
PiN diode
conductivity modulation
time-frequency response
i layer width
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分类号
TN12
[电子电信—物理电子学]
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