快热退火对Co/n-Poly-SiGe肖特基结I-V-T特性的影响

采用射频磁控溅射法在n-Si(100)衬底上沉积Si1-xGex薄膜,俄歇电子谱(AES)测定Si1-xGex薄膜的Ge含量约为17%。对薄膜进行高温磷扩散掺杂,制得n-poly-Si0.83Ge0.17。在n-poly-Si0.83Ge0.17薄膜上溅射一层Co膜,制成Co/n-poly-Si0.83Ge0.17/n-Si肖特基结样品。在300～600℃范围内,对样品做快热退火。对不同退火温度下的样品做I-V-T测试。研究发现,测试温度升高,不同退火温度样品的肖特基势垒高度(SBH)的差别变小,500℃退火的样品,表观SBH最小。总体上,SBH随测试温度的升高而变大,理想因子的变化趋势则与之相反。基于SBH的不均匀分布建模,对实验结果给出了较为合理的解释。

太阳电池稳态双通道I-V特性测试方法研究

通过分析太阳电池I-V特性的实验室测试方法,研究一种适用于稳态光源下的双通道I-V特性测试方法,在原有单通道四线制测试方法的基础上增加另一个通道,用于参考电池的同步测试,在太阳电池进行I-V测试后,通过逐点修正的方法对测试数据进行处理,得出更为准确的I-V曲线。该方法可以有效减少稳态光源的不稳定性对测试造成的影响,提高测试系统的准确度和重复性。

一种异常V_(ramp)I-V曲线分析及其应用探讨

讨论分析了Vramp测试方法,说明了I-V曲线的特性。就一个异常案例中测得的I-V曲线展开了分析,说明了曲线异常背后的原因,揭示了Vramp测试结果和等离子所致损伤之间的关联。结合其它可靠性测试项目的结果,成功地进行了氧化层性能快速评估,丰富了Vramp测试的应用。

双面光伏组件I-V测试方法研究

主要研究双面光伏组件的电性能测试,通过选择6种不同的双面光伏组件,分别采用等效光强法、双面同步打光法以及公式法进行实验验证。通过实验发现:不同测试方法对同一块组件进行I-V测试的结果差异较大,但这种差异在不同类型组件测试中并不一致,所以3种测试方法并不能简单地等同。最后根据光伏组件应用场景分析,推荐使用SEMI的双面同步闪光法对双面光伏组件进行I-V测试。

太阳电池组件I-V特性曲线的测试

太阳电池组件的销售是以组件在标准测试条件下的额定输出功率为单位,但是怎样准确地获得这个额定功率却长期困扰着组件的生产者和采购者,其中包括与标准测试条件相关的测量标准器、测量环境、测量设备和测量操作过程等问题。本文讨论了光伏测量标准的建立过程、组件的测试方法、太阳模拟器及其太阳电池组件测试设备的要求,讨论了测试环境和测量操作对测试结果的影响,并对测试过程中通常使用的术语进行了解释。

基于光伏组串I-V特性的并联失配检测

在光伏电站检测中,针对由于现场功率测试误差,导致的并联失配分析结果与实际情况偏差过大的问题,提出了基于组串I-V特性叠加的分析方法,大幅提高了分析的准确性;并将该方法应用于在线监测,在此基础上提出了一种故障判别和并联失配优化的有效方法,提高电站的管理水平。

便携式I-V测试仪测试结果准确性的影响因素研究

采用便携式I-V测试仪在户外进行光伏组件最大功率测试时,测试结果会不同程度地受到外界因素的影响,从而使得到的光伏组件最大功率测试结果出现偏差。本文通过对比不同外界因素(比如:太阳辐照度、辐照计摆放位置、光伏组件工作温度及风速等)下测试得到的光伏组件最大输出功率值,分析不同外界因素对户外采用便携式I-V测试仪进行光伏组件最大功率测试结果的影响,以期为户外光伏组件最大功率测试提供一种最优的测试方案。

一种零磁通电流传感器适配装置的研制与应用

为了方便有源零磁通电流传感器的现场使用,研制了一种零磁通电流传感器适配装置,可作为电流传感器的配套产品,其内部集成的具有多种供电模式的电源模块可为现有的大部分主流传感器提供高稳定、低纹波的工作电源。采用电池供电可有效降低电流传感器的零点输出电流;同时通过专用的接口引出传感器的二次电流,并进行I-V变换、数字化等后续处理,在便于测量应用的同时,更拓展了电流传感器的有效测量范围。

干法刻蚀InSb时Ar气含量的选取

感应耦合等离子体(ICP)刻蚀技术是目前国际制备InSb台面结型焦平面阵列技术的主流技术之一。文章研究采用ICP刻蚀技术,以CH4/H2/Ar刻蚀气体体系对InSb材料进行干法刻蚀时刻蚀气体体系中Ar气体积组分对材料刻蚀形貌及器件性能的影响。实验方案设置为在控制其他实验变量相同的情况下设置不同Ar气体积分数的刻蚀气体体系对InSb材料进行台面蚀刻,通过扫描电子显微镜(SEM)、激光共聚焦显微镜考察台面刻蚀形貌,通过I-V测试得到的器件性能结果考察刻蚀损伤情况。从实验结果得到,Ar体积占据总气体体积的30%～35%时台面刻蚀形貌良好,表面损伤轻,器件性能良好,刻蚀工艺满足要求。

集成式低倍聚光光伏组件模块开发

提出一套集成式低倍聚光光伏组件光路的优化算法,并设计制作聚光比为2.2的晶体硅聚光电池模块,在标准光照条件(AM1.5)下,开路电压为0.69 V,短路电流密度为35 m A/cm^2,最大功率点效率约为14.2%。与使用相同电池材料制作的普通晶体硅模块相比,效率可提高0.7%。相比普通晶体硅组件,该型组件可节约50%~60%的电池材料使用量。

太阳电池测试系统及其参数匹配优化研究

为了获得太阳电池的I-V特性曲线及特性参数，利用Visual C＋＋语言开发出基于Windows平台的太阳电池测试软件系统，并对基于补偿原理的I-V测试电路参数匹配进行了详细分析。电路中串联电阻及桥式直流电源对电池的暗特性影响变化不大，但可使光特性I-V曲线发生显著变化。通过参数匹配的调整与优化，测量数据与电池的标准数据基本吻合，其误差仅为1％～2％，表明该测试软件系统满足实际使用要求，为电池性能分析提供了准确的依据。

电压互感器伏安特性对电网铁磁谐振的影响

在模拟试验的基础上，探讨了中性点绝缘电网电磁式电压互感器的伏安特性对电网铁磁谐振的影响，发现如果伏安特性差别大，在操作电网时，其谐振区、谐振性质也会有较大差异．给出了具有不同伏安特性的电压互感器的谐振区间和谐振性质，并得出了重要结论．

电压互感器 V-I 特性对谐振影响的物理仿真

在模拟试验的基础上，探讨了中性点绝缘电网电磁式电压互感器的Ｖ—Ｉ特性对电网铁磁谐振的影响，在操作电网时，如果Ｖ—Ｉ特性差别大，其谐振区谐振性质有较大差异。文中给出了具有不同Ｖ—Ｉ特性ＰＴ的谐振区间和谐振性质及重要结论。

空间粒子探测器中一种微电流测量电路设计

为了实现对空间粒子探测器中弱电流的测量,设计了以I-V变换、电压线性放大、二阶低通滤波和带阻滤波为主要结构的弱电流测量电路。通过I-V变换原理分析,为使电流信号尽量无失真地转变为电压信号,提出了选用高输入阻抗、高准确度的运放来构成I-V变换电路。根据弱电流的特性,从电路结构、参数设计方面,讨论了电路中噪声抑制和隔离的措施,来提高测量电路的性能。以高准确度运算放大器为核心部件,完成整个实际电路。该电路测量范围为10-7A^10-12A,最小可分辨电流为10-13A,响应时间不超过5ms,还具有漂移低、稳定性好以及价格低廉的优点。

未退火Co/n-poly-SiGe肖特基接触不均匀性研究

在n型单晶硅衬底上,用射频磁控溅射法沉积Si1-xGex薄膜,在850℃下对薄膜进行40min磷扩散,制备出n-poly-Si1-xGex。俄歇电子谱(AES)测试表明,Si1-xGex薄膜的Ge含量约为18%,即磷扩散后得到n-poly-Si0.82Ge0.18。随即在n-poly-Si0.82Ge0.18薄膜上溅射一层Co膜,形成Co/n-poly-Si0.82Ge0.18肖特基结。在90K～332K温度范围内,对样品进行变温I-V测试(I-V-T)。发现随测试温度的升高,表观理想因子na变小,肖特基势垒高度(SBH)变大。这是金属/半导体肖特基接触不均匀性的表现,对这种不均性进行建模,并和实验数据进行对比,两者基本符合。

激光器综合参数测试实验系统的设计与实现

该文设计实现了一种半导体激光器综合参数测试实验系统,该系统通过微处理器控制搭建好的激光器驱动电路与激光器温度控制电路,运用控制变量法,分别采集驱动电流或温度改变后激光器的电压、电流和光功率等数据,通过串口将数据返回到上位机进行数据处理并绘制对应的曲线图。通过测试,实验系统可完成激光器综合参数的测试,并可用于光电技术综合实验及专业综合实践能力训练。

高功率半导体激光器测试系统

利用SGI40-125AAA型程控直流电源、PCI-GPIB卡、电压表、功率计表以及光谱仪等建立高功率半导体激光器测试系统,并在LabVIEW环境下开发了测试软件,通过软件控制直流电源、功率计表等仪器的触发输出、触发输入实现测试设备的同步工作,在保证测试准确性的同时,实现了快速(每个测试点的工作时间约300 ms)的扫描测试,在测试速度上比多个仪器单独测试有了明显提高。可以实现千瓦级连续工作半导体激光器的光功率P、电压V、电光转换效率η、阈值电流、光谱等参数的扫描测试。建立的测试系统准确度高,扫描速度快,测试软件界面操作方便,显示结果直观、全面。

外加偏压对未退火Co/n-poly-SiGe肖特基接触特性的影响

采用直流离子束溅射法，在n型单晶硅衬底上淀积Si1-xGex薄膜。俄歇电子谱（AEs）测得Si1-xGex薄膜的Ge含量约为0．15。对薄膜进行高温磷扩散后，经XRD测试为多晶态，即得n—poly—Si0.85Ge0.15。在n—poly—Si0.85Ge0.15上溅射一层薄的Co膜，做成Co／n—poly—Si0.85Ge0.15肖特基结样品。在90～332K范围对未退火样品做I-V-T测试。研究发现，随着外加偏压增大，表观理想因子缓慢上升，肖特基势垒高度（SBH）下降。基于SBH的不均匀分布建模，得到了二者近似为线性负相关的结论。

高空用标准太阳电池特性测试与拟合

高空条件下太阳电池特性测试对于研究航天用太阳电池具有重要意义。本文提出了一种高空太阳电池I-V特性曲线测量方案,研究基于FPGA的硬件测试系统、并行数据采集测量方式和系统软件自动测量方法。提出基于混沌算法与遗传算法融合的太阳电池I-V特性曲线拟合算法。针对地面测试实验数据,利用太阳电池单二极管数学模型进行曲线拟合计算,结果表明混沌遗传算法优化结果适应度值为4.0289?10-4,曲线拟合效果优于粒子群算法和遗传算法。

背电极ZnO:Al薄膜与n-a-Si:H膜接触特性的研究

本文分别采用电子束蒸发和磁控溅射的方法在n型掺杂(n-Si:H)膜上沉积了不同掺杂量和不同厚度的掺Al的Zn O(Zn O:Al)薄膜。通过I-V测试仪测试了两种方法制备的Zn O:Al薄膜与n-Si:H膜的接触特性,结果显示对于电子束蒸发制备的Zn O:Al薄膜,当掺杂浓度为2.5%时n-a-Si:H/Zn O:Al的接触电阻最小,在厚度变化不大的情况下,n-a-Si:H/Zn O:Al的接触电阻随着Zn O:Al厚度的增加而增大。而磁控溅射制备的Zn O:Al薄膜,n-a-Si:H/Zn O:Al的接触电阻随着厚度的增加而不断减小。