34工位IC引线框架级进模设计

介绍了IC引线框架级进冲模的特点并着重讲述了其排样设计中的整形工位和模具结构中的卸料、微调和安全机构,可供精密级进冲模设计参考。

高压喷淋系统在IC高速电镀中的应用

在IC引线框架电镀中为了彻底清除粘片过程中框架引脚上粘结胶的残留,在除油(脱脂)后增加一道高压喷淋系统,利用其射流的冲击力和剪切力,将粘结胶清洗干净。主要针对这一工序进行论述,并针对其基本原理、结构特点及喷嘴的选型进行相关阐述。

IC引线框架电镀工艺及设备

概述了用于IC引线框架电镀的几种主要生产线。介绍了引线框架镀Ag工艺技术及其特点,IC引线框架电镀生产线的组成和工作原理,指出了IC引线框架电镀生产线的良好市场前景。

由IC导线边框制造铁氧磁体粉末

IC导线边框是冲压机冲出IC导线脚架所剩的废料,含有锡铁镍等元素.本研究使用湿式冶金法将各元素分离纯化,得到锡氧化镍、氧化铁,并进一步制成镍锌铁氧磁体粉末.首先用碱性剥锡法除去表皮的锡,所得的锡酸钠溶液经电解得纯锡,纯度为99.17%,接着用硫酸及硝酸把铁镍溶解,调整溶液的pH值并加入过氧化氢,使其中铁离子氧化成针铁矿沉淀过滤分离,再加入碳酸钠使溶液中镍离子变成碳酸镍沉淀,最后焙烧此碳酸镍得99.45%氧化镍.以氧化锌补足镍锌铁氧磁体中所需的锌、与回收所得的氧化镍、针铁矿混合调配成所需要的比例,经850℃,4h热处理以XRD测其测测为测测测立方测测,SEM检测检粒检检为0.25~0.5μm,此铁氧磁体粉末,经,粒成,,1175℃℃度℃烧测得到℃狀体,SEM检测此烧测℃狀体检测粒检检为1~4μm.利用LCR测量其测导磁率,0.1kHz^2MHz为μi=321~1100,其特性和一般商用产品测似.

IC铜合金引线框架材料

本文论述了集成电路现状及发展,介绍了世界和我国框架用铜合金材料研究和生产情况,包括 IC 框架对材料的要求,铜合金框架材料,框架铜带现代生产方法。在此基础上,提出我国 IC 铜合金带材产业化的必要性和可行性,指出产业化已刻不容缓和迫在眉睫。

电解去溢料工序参数对IC封装体第二焊线区分层的影响

IC封装体的内部分层是封装过程中常见的质量问题。讨论了引线框架电镀工艺对IC封装体第二焊线区分层的影响,并确定了电镀工艺的电解去溢料工序是使其分层的主要因素。通过实验分析并验证了电解去溢料工序的电压、电解电极的极性、电解液的类型及其浓度对第二焊线区分层的影响。通过对不同封装体第二焊线区分层程度的比较,认识到电解去溢料对一些大载荷小封装的IC封装体是不适用的,极易引起第二焊线区分层,从而使IC产品存在失效的风险。实验评估的结果为今后的封装体设计及生产工艺提供了可借鉴的经验。

引线框架铜合金材料研究及开发进展

综述了引线框架用高强高导铜合金的种类、特性要求与目前国内外的研究重点 ,总结了高强高导铜合金的开发趋势 ,展望了其应用在IC封装业的市场前景。

集成电路引线框架材料成品退火工艺探讨

用于集成电路引线框架的Fe-42％Ni合金带不仅要求其物理、机械性能达到一定指标,还要求板形好,使之能适应冲压、腐刻、电镀、钎焊、封装等工序的考验。根据上述要求,在对Fe-42％Ni合金带的成品退火工艺进行了研究、探讨,并利用X射线衍射等实验手段及金属学理论进行分析后得出,温度低于该合金再结晶温度并控制保温时间的张力退火,能使Fe-42％Ni合金带的各项性能得到大幅度改善,满足集成电路引线框架的使用要求。

集成电路塑封中引线框架使用要求

本文讲述了引线框架的主要特性以及引线框架对封装的影响,提出了一些改进方法。

高速连续电镀技术在集成电路引线框架生产中的应用

本文主要介绍了集成电路塑封引线框架高速卷对卷连续电镀的工艺特点及方法，并对局部点镀技术及引线框架高速镀银的工艺条件进行了分析探讨.

框架有效成本与内引线长度技术能力的关系

引线框架封装和基板封装是集成电路封装两个基本结构类别,在当前的半导体封装产业中,引线框架封装依然占据了主导地位。近年来随着有色金属价格的飞涨,对框架类产品造成了严峻的成本挑战,而通过技术手段来降低产品有效成本才是最安全、可行的方向。文章通过对框架内引线长度技术能力的差异比较,在金丝价格飞涨的情况下,发现其对框架有效成本的影响非常显著,所以大家在选择高腿数新框架时不仅需要比较框架价格,更要关注内引线长度的技术能力,以达到最低的框架有效成本。