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题名55纳米CMOS图像传感器栅极多晶硅工艺研究
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作者
陈昊瑜
田志
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机构
上海华力微电子有限公司
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出处
《中国集成电路》
2017年第12期64-69,共6页
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文摘
随着市场对于摄像设备的更多和更高性能的需求,基于互补金属氧化物晶体管的图像传感器CIS(CMOS image sensor)由于其优异的性能正逐步取代原有的电荷耦合器件(CCD)。华力55CIS平台将55LP(55纳米低功耗)工艺的逻辑区和客户的像素区结合起来,通过引入ONO(氧化硅/氮化硅/氧化硅)的硬掩模工艺,实现对像素区对高能量注入的阻挡和优化的多晶硅形貌。在后续的工艺中,多晶硅的再氧化,逻辑区输入/输出(IO)器件轻掺杂漏注入和硬掩膜的去除顺序会引起对核心器件区域,输入/输出器件(IO33)区域和像素区的硅表面的损伤,需要找出优化的工艺方案来确保器件性能和可靠性。本文通过对多晶硅的再氧化,逻辑区IO器件轻掺杂漏注入和硬掩膜的去除顺序的研究,找出了优化的工艺顺序,并对器件性能,可靠性进行评估。
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关键词
CMOS图像传感器(CIS)
多晶硅硬掩膜
多晶硅再氧化
输入输出N型3.3V器件(NIO33)
输入输出N型器件的轻掺杂漏(ionldd)
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Keywords
CIS
Poly hard mask
Poly re-oxidation
NIO33
ionldd
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分类号
TP212
[自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]
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