提高瞬态红外设备检测GaNHEMT结温准确度的方法

用高空间分辨率测温技术与瞬态红外设备测温结果结合的方法提高瞬态红外设备对GaN HEMT结温检测的准确度。对GaN HEMT随脉冲工作条件的结温变化规律进行分析,证明脉冲条件下器件各个位置的瞬时温度与平均温度呈线性关系;依据上述关系,采用各个位置的平均温度(高空间分辨率)对瞬态红外设备检测结果进行修正,有效提高瞬态红外设备检测GaN HEMT时的准确度。用有限元仿真结果验证上述方法的准确性。根据该方法,用高空间分辨率的显微红外测温结果对瞬态红外设备测温结果进行修正,实现2.8μm空间分辨率的瞬态温度检测。该方法可以有效提高瞬态红外设备检测GaN HEMT结温结果的准确度。

基于红外热像与电学测试法的OLED热学分析

采用红外热成像与瞬态热学测试技术,测试并对比分析了有机电致发光二极管(OLED)的光电热学特性。研究表明,OLED结温的升高会导致输入电压的降低。在输入电流为100 mA时,整个面板上呈现非常明显的温度梯度,最高点与最低点温差可高达30℃。在相同的工作条件下,采用红外热像测试获得的峰值温度比采用瞬态热学测试获得的温度要高,且温度梯度会随输入电流的大小发生变化。结合红外热像与电学测试法固有特点的分析,指出两者的结合可以为OLED面板的热学设计与分析提供更具有指导意义的信息。