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FFS产品树脂材料结构ITO刻蚀技术研究
被引量:
1
1
作者
姜晓辉
张家祥
+6 位作者
王亮
郭建
沈奇雨
曲连杰
张文余
田宗民
阎长江
《液晶与显示》
CAS
CSCD
北大核心
2013年第2期194-198,共5页
树脂材料表面平坦度高,光透过率高,介电常数低(ε≈3.5),在薄膜晶体管显示器(TFT-LCD)中使用树脂材料作为钝化层,可以降低公共电极和源、漏金属之间的电容,降低逻辑功耗,达到降低整体功耗的目的,同时增大开口率。文章讨论在边缘场中引...
树脂材料表面平坦度高,光透过率高,介电常数低(ε≈3.5),在薄膜晶体管显示器(TFT-LCD)中使用树脂材料作为钝化层,可以降低公共电极和源、漏金属之间的电容,降低逻辑功耗,达到降低整体功耗的目的,同时增大开口率。文章讨论在边缘场中引入树脂材料作为钝化层产生的与氧化铟锡(ITO)刻蚀相关问题:金属Mo腐蚀,ITO缺失等。通过优化刻蚀工艺,感光树脂与非感光树脂和ITO刻蚀液的搭配,以及改变树脂涂胶工艺,成功地将树脂引入TFT-LCD中。
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关键词
树脂材料
ito
刻蚀
ito
刻蚀液
涂胶工艺
下载PDF
职称材料
量产条件下ITO刻蚀液浓度变化及其影响
2
作者
刘丹
刘毅
+11 位作者
黄中浩
吴青友
吴旭
田茂坤
宁智勇
管飞
张超
王兆君
闵泰烨
冯家海
樊超
方亮
《液晶与显示》
CAS
CSCD
北大核心
2021年第4期549-559,共11页
ITO刻蚀产线由刻蚀设备、中央药液供给系统(Chemical central Supply System,CCSS)、刻蚀液管理系统(Etchant Management System,EMS)3大组件构成。明确组件之间的相互作用,确认相互作用对刻蚀液浓度的影响,进而管控刻蚀,对ITO刻蚀制程...
ITO刻蚀产线由刻蚀设备、中央药液供给系统(Chemical central Supply System,CCSS)、刻蚀液管理系统(Etchant Management System,EMS)3大组件构成。明确组件之间的相互作用,确认相互作用对刻蚀液浓度的影响,进而管控刻蚀,对ITO刻蚀制程至关重要。本文结合重庆京东方ITO刻蚀产线,探究不同生产模式下刻蚀液各组分浓度的变化,结合回归分析、因果链和统计方法分析了各成分浓度变化的原因,并确认刻蚀液浓度变化对刻蚀程度的影响。实验结果表明仅CCSS开启,刻蚀液中酸液浓度增加,致其刻蚀能力逐渐增强。在CCSS开启的基础上,EMS开启补充水和硝酸功能,可以保持刻蚀液浓度稳定,进而延长刻蚀液的使用时间。但是,在CCSS和EMS补给均开启的模式下,刻蚀液浓度在初期波动,然后逐步趋于稳定,且在浓度波动期间会有一个硝酸浓度偏高的区域,此区域的刻蚀能力强。该研究为ITO刻蚀液使用时间延长、产品良率提升提供了参考。
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关键词
薄膜晶体管
湿法刻蚀
ito
刻蚀液
浓度变化
ito
电极
下载PDF
职称材料
题名
FFS产品树脂材料结构ITO刻蚀技术研究
被引量:
1
1
作者
姜晓辉
张家祥
王亮
郭建
沈奇雨
曲连杰
张文余
田宗民
阎长江
机构
北京京东方光电科技有限公司
出处
《液晶与显示》
CAS
CSCD
北大核心
2013年第2期194-198,共5页
文摘
树脂材料表面平坦度高,光透过率高,介电常数低(ε≈3.5),在薄膜晶体管显示器(TFT-LCD)中使用树脂材料作为钝化层,可以降低公共电极和源、漏金属之间的电容,降低逻辑功耗,达到降低整体功耗的目的,同时增大开口率。文章讨论在边缘场中引入树脂材料作为钝化层产生的与氧化铟锡(ITO)刻蚀相关问题:金属Mo腐蚀,ITO缺失等。通过优化刻蚀工艺,感光树脂与非感光树脂和ITO刻蚀液的搭配,以及改变树脂涂胶工艺,成功地将树脂引入TFT-LCD中。
关键词
树脂材料
ito
刻蚀
ito
刻蚀液
涂胶工艺
Keywords
resin material
ito
etching
ito etchant
coating process
分类号
TN141.9 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
量产条件下ITO刻蚀液浓度变化及其影响
2
作者
刘丹
刘毅
黄中浩
吴青友
吴旭
田茂坤
宁智勇
管飞
张超
王兆君
闵泰烨
冯家海
樊超
方亮
机构
重庆京东方光电科技有限公司
重庆大学物理学院
中国科学院大学重庆学院
出处
《液晶与显示》
CAS
CSCD
北大核心
2021年第4期549-559,共11页
文摘
ITO刻蚀产线由刻蚀设备、中央药液供给系统(Chemical central Supply System,CCSS)、刻蚀液管理系统(Etchant Management System,EMS)3大组件构成。明确组件之间的相互作用,确认相互作用对刻蚀液浓度的影响,进而管控刻蚀,对ITO刻蚀制程至关重要。本文结合重庆京东方ITO刻蚀产线,探究不同生产模式下刻蚀液各组分浓度的变化,结合回归分析、因果链和统计方法分析了各成分浓度变化的原因,并确认刻蚀液浓度变化对刻蚀程度的影响。实验结果表明仅CCSS开启,刻蚀液中酸液浓度增加,致其刻蚀能力逐渐增强。在CCSS开启的基础上,EMS开启补充水和硝酸功能,可以保持刻蚀液浓度稳定,进而延长刻蚀液的使用时间。但是,在CCSS和EMS补给均开启的模式下,刻蚀液浓度在初期波动,然后逐步趋于稳定,且在浓度波动期间会有一个硝酸浓度偏高的区域,此区域的刻蚀能力强。该研究为ITO刻蚀液使用时间延长、产品良率提升提供了参考。
关键词
薄膜晶体管
湿法刻蚀
ito
刻蚀液
浓度变化
ito
电极
Keywords
thin film transistor
wet etch
ito etchant
concentration change
ito
electrode
分类号
TN304 [电子电信—物理电子学]
TN303 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
FFS产品树脂材料结构ITO刻蚀技术研究
姜晓辉
张家祥
王亮
郭建
沈奇雨
曲连杰
张文余
田宗民
阎长江
《液晶与显示》
CAS
CSCD
北大核心
2013
1
下载PDF
职称材料
2
量产条件下ITO刻蚀液浓度变化及其影响
刘丹
刘毅
黄中浩
吴青友
吴旭
田茂坤
宁智勇
管飞
张超
王兆君
闵泰烨
冯家海
樊超
方亮
《液晶与显示》
CAS
CSCD
北大核心
2021
0
下载PDF
职称材料
已选择
0
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