有机酸修饰ITO对OLED器件性能的影响

分别采用二氯苯氧乙酸和溴乙酸对ITO表面进行修饰,研究其对OLED器件(ITO/PVK/FIrPic∶SimCP/TPBi/LiF/Al)性能的影响。结果显示,相较于未修饰的器件,采用二氯苯氧乙酸修饰后的器件最大亮度由673.4cd/m2提升至1 875.2cd/m2,同时器件的启亮电压由6.2V降至5.3V。研究发现,有机酸处理能够改变ITO的表面能和功函数,一方面改变ITO和后续膜层的接触性能,影响后续膜层的成膜;另一方面也可以有效减少ITO与有机层间的势垒,提升载流子注入。这种用有机酸修饰ITO阳极的方法工艺简单,能有效降低空穴注入势垒,优化ITO和有机层的接触性能,对器件性能的提升起到一定的促进作用。

基底加热温度对ITO薄膜的性能影响研究

氧化铟锡(ITO)薄膜被广泛用作光电器件中的透明导电电极,其透光率、导电性、表面粗糙度、与基底的功函数匹配及其电流传输特性都会对光电器件的性能造成影响。本文采用射频(RF)磁控溅射方法制备ITO薄膜,系统研究了基底加热温度对其各方面性能的影响,并确认了最佳基底温度。实验采用锡掺氧化铟陶瓷为靶材,组分摩尔比为m(In_(2) O_(3))∶m(SnO_(2))=90∶10。采用XRD、SEM对所制备的薄膜进行表征,系统分析不同基底温度对ITO薄膜结晶性能、形貌的影响;采用紫外可见分光光度计、霍尔效应测试仪、紫外光电子谱仪(UPS)、电流电压曲线系统研究了基底温度对薄膜光电特性、载流子浓度、薄膜功函数以及电流传输特性的影响。研究结果表明,基底温度200℃为最佳,此时ITO薄膜结晶良好、表面平整、可见光波段平均透过率超过80%,导电性能和电流传输特性均较佳,且薄膜组分与靶材组分一致。

OLED用ITO导电玻璃的研究进展

氧化铟锡(ITO)膜的电阻率及表面粗糙度将影响有机电致发光器件(OLED)的发光效率及其使用寿命。通过选择适当的工艺条件以及表面处理可以改善ITO膜的表面粗糙度、可见光透过率、电导率和功函数,以提高OLED的稳定性、发光效率和使用寿命。对薄膜的光学和电学性能进行了分析,提出了改进工艺的方向。

基于接触势差法的表面功函数测试装置

利用接触势差法自行设计开发了一种新型的表面功函数测试装置。基本原理是参考电极与样品之间形成电容,计算流过参考电极与样品之间的电流,通过确定电流的零点来获得功函数。此测量仪器由函数发生、功率放大、振荡器等多个功能模块组成。能在空气环境中快速测量半导体、金属、金属氧化物薄膜的表面功函数。我们运用此装置成功地对有机电致发光的阳极氧化铟锡(ITO)薄膜、p型硅片的功函数进行了测量,得到了样品经过UV-Ozone处理前后功函数随时间变化的曲线,为器件的优化提供了依据。

氯原子吸附对氧化铟锡001表面功函数的调制

采用第一性原理计算研究了氯原子吸附对氧化铟锡半导体表面功函数的调制作用,结果表明经过氯原子吸附后的氧化铟锡表面功函数随着氯原子覆盖度的增大而线性地增大。氯原子吸附导致氧化铟锡表面形成电偶极层,这一电偶极层提升了其表面真空势能从而导致功函数的提高。

用Fowler-Nordheim公式测定ITO功函数的研究

通过制备双边注入型单载流子器件ITO/TPD(NPB)/Cu,运用Fowler-Nordheim(F-N)公式变换,消除了载流子有效质量和器件厚度因素的影响,提高了测量的精度,简单准确地测定了ITO的功函数。实验测得值分别为4.85eV、4.88eV,与ITO的文献报道值接近。该方法操作简便,可以用来测定半导体和金属电极特别是合金电极的功函数。

新型功函数测量系统的建立及其应用研究

采用接触势差法,设计并组建了功函数测量系统。该系统由信号发生单元、振动单元和检测单元组成,信号发生单元输出低频正弦信号使参比电极振动,调节振动单元偏压使检测单元输出信号为零,通过计算加载偏压和标准参比电极的偏差可得样品功函数值。用该系统测量了UV处理对ITO功函数的影响,发现ITO功函数的提高存在极限值并可改善有机电致发光器件(OLED)的性能。该系统可在空气中快速、准确测量表面功函数。