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Ⅲ-V族窄带隙掺Mn稀磁性半导体材料研究进展
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作者 任平 张俊喜 徐群杰 《上海电力学院学报》 CAS 2007年第1期53-56,共4页
综述了目前国内外以As-基与Sb-基为基础的Ⅲ-V族窄带隙掺Mn稀磁性半导体材料的研究现状,系统地介绍了其生长方法与物理特性的研究进展,并指出其发展趋势与应用前景.
关键词 稀磁性半导体材料 inmnas InMnSb
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