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InP层对正面及背面入光PIN探测器响应度影响研究
被引量:
3
1
作者
杨集
冯士维
+3 位作者
李瑛
吕长志
谢雪松
张小玲
《光电工程》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006年第12期141-144,共4页
InP盖层对光的吸收及入射光在探测器多界面间的多次反射,使InP层对InGaAs/InPPIN探测器的响应度产生了很大的影响。本文测量了正面和背面入光PIN探测器的响应度,并与测量的InP晶片透射率及模拟的透射率进行比较,分析了InP层对正面及背...
InP盖层对光的吸收及入射光在探测器多界面间的多次反射,使InP层对InGaAs/InPPIN探测器的响应度产生了很大的影响。本文测量了正面和背面入光PIN探测器的响应度,并与测量的InP晶片透射率及模拟的透射率进行比较,分析了InP层对正面及背面入光PIN探测器响应度的影响。结果表明,随着InP层厚度的增加,响应度峰与峰的间隔Δλ不断减小,波形越来越密集。所以正面入光探测器的响应度起伏比较明显,且随着InP层厚度的增加,响应度极值对应的波长发生红移。背面入光探测器的响应度非常密集而成为准连续的带状。
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关键词
INGAAS/
inp
PIN探测器
响应度
inp
盖层
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职称材料
InGaAs/InP单光子雪崩光电二极管InP顶层掺杂研究
被引量:
4
2
作者
李彬
陈伟
+5 位作者
黄晓峰
迟殿鑫
姚科明
王玺
柴松刚
高新江
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2017年第4期420-424,共5页
通过理论计算和对比实验研究了InGaAs/InP单光子雪崩光电二极管中InP顶层掺杂浓度对于器件性能的影响.理论结果显示,InP顶层的掺杂浓度越低越有利于抑制边缘击穿,降低隧穿暗载流子产生速率,提高雪崩击穿几率.实验结果显示,顶层非故意掺...
通过理论计算和对比实验研究了InGaAs/InP单光子雪崩光电二极管中InP顶层掺杂浓度对于器件性能的影响.理论结果显示,InP顶层的掺杂浓度越低越有利于抑制边缘击穿,降低隧穿暗载流子产生速率,提高雪崩击穿几率.实验结果显示,顶层非故意掺杂的器件在223K下获得了20%的单光子探测效率和1kHz的暗计数率,其单光子探测效率比顶层掺杂浓度为5×10^(15)/cm^3的器件高3%~8%,而暗计数率低一个量级.结果表明,降低InP顶层的掺杂浓度有利于提高器件性能.
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关键词
INGAAS/
inp
单光子雪崩光电二极管
顶层
掺杂浓度
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职称材料
题名
InP层对正面及背面入光PIN探测器响应度影响研究
被引量:
3
1
作者
杨集
冯士维
李瑛
吕长志
谢雪松
张小玲
机构
北京工业大学电子信息与控制工程学院
出处
《光电工程》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006年第12期141-144,共4页
基金
北京市自然科学基金资助项目(4052009)
国家教委归国留学基金资助项目
文摘
InP盖层对光的吸收及入射光在探测器多界面间的多次反射,使InP层对InGaAs/InPPIN探测器的响应度产生了很大的影响。本文测量了正面和背面入光PIN探测器的响应度,并与测量的InP晶片透射率及模拟的透射率进行比较,分析了InP层对正面及背面入光PIN探测器响应度的影响。结果表明,随着InP层厚度的增加,响应度峰与峰的间隔Δλ不断减小,波形越来越密集。所以正面入光探测器的响应度起伏比较明显,且随着InP层厚度的增加,响应度极值对应的波长发生红移。背面入光探测器的响应度非常密集而成为准连续的带状。
关键词
INGAAS/
inp
PIN探测器
响应度
inp
盖层
Keywords
InGaAs/
inp
PIN Detector
Responsivity
inp cap layer
分类号
TN36 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
InGaAs/InP单光子雪崩光电二极管InP顶层掺杂研究
被引量:
4
2
作者
李彬
陈伟
黄晓峰
迟殿鑫
姚科明
王玺
柴松刚
高新江
机构
中国电子科技集团公司第四十四研究所化合物半导体光电子事业部
出处
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2017年第4期420-424,共5页
基金
中国电子科技集团创新基金项目(KJ1402011)~~
文摘
通过理论计算和对比实验研究了InGaAs/InP单光子雪崩光电二极管中InP顶层掺杂浓度对于器件性能的影响.理论结果显示,InP顶层的掺杂浓度越低越有利于抑制边缘击穿,降低隧穿暗载流子产生速率,提高雪崩击穿几率.实验结果显示,顶层非故意掺杂的器件在223K下获得了20%的单光子探测效率和1kHz的暗计数率,其单光子探测效率比顶层掺杂浓度为5×10^(15)/cm^3的器件高3%~8%,而暗计数率低一个量级.结果表明,降低InP顶层的掺杂浓度有利于提高器件性能.
关键词
INGAAS/
inp
单光子雪崩光电二极管
顶层
掺杂浓度
Keywords
InGaAs/
inp
, single-photon avalanche diode,
cap
layer
, doping density
分类号
O47 [理学—半导体物理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
InP层对正面及背面入光PIN探测器响应度影响研究
杨集
冯士维
李瑛
吕长志
谢雪松
张小玲
《光电工程》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006
3
下载PDF
职称材料
2
InGaAs/InP单光子雪崩光电二极管InP顶层掺杂研究
李彬
陈伟
黄晓峰
迟殿鑫
姚科明
王玺
柴松刚
高新江
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2017
4
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职称材料
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