掺有K_4Fe(CN)_6/K_3IrCl_6/K_4Ru(CN)_6的AgClBr微晶的光电子时间分辨谱

微波吸收介电谱检测技术具有很高的时间分辨率 ,可用于固体中电子输运特性的无接触测量 ,是研究晶体中光生载流子寿命及其迁移行为的有效方法。本文利用高时间分辨的微波吸收薄膜介电谱检测装置 ,测量了掺杂K4Fe(CN) 6,K3 IrCl6和K4Ru(CN) 6的AgClBr晶体在 35ps超短脉冲激光曝光后的光电子衰减的时间分辨谱。得到了不同的掺杂剂对AgClBr乳剂的自由光电子和浅俘获光电子的时间特性的影响关系。试验结果表明 ,对于所用的 3种乳剂 ,在掺杂量为 1× 10 -6、掺杂位置为 30 %时 ,掺杂K4Fe(CN) 6的AgClBr乳剂的自由光电子衰减时间相对较短 ,感光度相对较高。利用此方法可进一步研究乳剂光电子时间特性与掺杂剂、颗粒形状、颗粒结构、光谱增感和化学增感剂等参数的依赖关系。

K_4[Fe(CN)_6]掺杂剂对溴碘化银颗粒乳剂感光性能影响的研究

研究了K4[Fe(CN)6]掺杂剂对溴碘化银颗粒乳剂感光性能的影响,结果表明掺杂剂的掺杂量、掺杂位置以及在乳剂颗粒内部的分布区域对乳剂的感光性能都有影响。掺杂位置接近表面或接近内核时效果明显,掺杂位置接近富碘区域时,乳剂的感光度上升的不明显,较佳的掺杂量为1×10-6mol/molAgNO3。

亚铁氰化钾对以次磷酸钠为还原剂化学镀铜的影响

研究亚铁氰化钾对化学镀铜沉积速度、镀层成分、电阻率、微观结构、表面形貌和化学镀铜过程中氧化还原反应的影响。添加亚铁氰化钾可以显著降低沉积速度,使镀层变得均匀致密,颜色也从棕黑色变为亮铜色,电阻率明显降低。添加亚铁氰化钾还可使镀层P含量略微降低,改善镀层微观结构,晶粒尺寸增大,镀层由(111)晶面择优取向变为(220)晶面择优取向。亚铁氰化钾主要通过吸附作用抑制在镀层表面发生的次磷酸钠氧化反应而降低化学镀铜沉积速度。亚铁氰化钾还可明显降低化学镀铜过程中NaH2PO2/CuSO4消耗摩尔比。

痕量银(Ⅰ)的催化显色分光光度法测定

本文研究了银(Ⅰ)对亚铁氰化钾与邻菲罗啉(O-phen)显色反应的催化效应.以此为基础,建立了痕量银(Ⅰ)的催化分光光度分析法.本法的灵敏度为1.0×10^(-3)μg/mL,线性范围为0～4μg/25mL,用于水样中痕量银(Ⅰ)的测定.

邻氯苯甲腈的新合成法

以邻氯溴苯为起始原料,选用K4[Fe(CN)6]为氰基化试剂,Pd/C催化反应制得邻氯苯甲腈。考察了温度、碱、催化剂的用量和原料比等对反应的影响,确定了较佳反应条件。邻氯溴苯转化率达98.5%,产物邻氯苯甲腈得率95.1%。

芳甲酸氰基芳甲酯的合成

芳甲酸氰基芳甲酯是重要的有机合成中间体,其现有合成方法采用剧毒氰化物为氰源来合成。本研究以K_4[Fe(CN)_6]为绿色氰化试剂,芳酰氯为原料,采用一锅两步反应合成芳甲酸氰基芳甲酯。通过改变第二步反应温度、反应时间、硼氢化钠和催化剂的用量获得最佳反应条件,以61. 7%～80. 3%的产率合成了10种芳甲酸氰基芳甲酯(2a～2j),产物结构通过傅里叶变换红外光谱仪(FTIR)、核磁共振波谱仪(NMR)分析确认。根据实验结果,提出了可能的反应机理。该法避免了对剧毒氰化剂的使用,具有产率高、操作简单、后处理方便等优点。

盐水系统铁的存在形态及其影响分析

分析了盐水系统特别是使用精制盐的盐水系统中铁的来源、含量、形态、变化及其对盐水系统的影响,提出了降低系统中铁含量并减少其影响的对策。

添加剂对四羟丙基乙二胺(THPED)化学镀厚铜的影响

为开发THPED-EDTA·2Na化学镀厚铜工艺,研究了添加剂L-精氨酸,聚乙二醇(PEG)和亚铁氰化钾(K_4Fe(CN)_6)对化学镀速、镀层质量及镀液稳定性的影响。结果表明,适量L-精氨酸能显著提高化学镀速,其适宜的添加量为0.15 mg·L^(-1);PEG和K_4Fe(CN)_6使铜还原速率有所降低,但均能改善镀层外观质量,其适宜的添加剂用量分别为150 mg·L^(-1)和20 mg·L^(-1)。三种添加剂均能提高镀液稳定性,混合添加剂稳定性最高,80℃下稳定时间近5 h。在适宜条件下镀速为7.10μm·h^(-1),施镀15 min后获得的镀层表面平整、晶粒细致和外观红亮。沉积层为立方晶系铜,且在(111)晶面择优沉积,背光级数达到10级。