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用RAP法引上技术生长KCl晶体
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作者 刘成武 郑虎 +3 位作者 王春生 刘刚 马明春 康桂兰 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1990年第4期342-346,共5页
用RAP法(reactivo atmosphere process)处理KCl熔体,在不改变生长气氛和RAP继续处理的情况下,提拉生长KCl晶体,以解决高纯、大尺寸、生长速度快、成品率高和有较大经济效益的问题。
关键词 氯化钾 晶体 反应气氛法 提拉法
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