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用RAP法引上技术生长KCl晶体
1
作者
刘成武
郑虎
+3 位作者
王春生
刘刚
马明春
康桂兰
《硅酸盐学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1990年第4期342-346,共5页
用RAP法(reactivo atmosphere process)处理KCl熔体,在不改变生长气氛和RAP继续处理的情况下,提拉生长KCl晶体,以解决高纯、大尺寸、生长速度快、成品率高和有较大经济效益的问题。
关键词
氯化钾
晶体
反应气氛法
提拉法
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职称材料
题名
用RAP法引上技术生长KCl晶体
1
作者
刘成武
郑虎
王春生
刘刚
马明春
康桂兰
机构
黑龙江省科学院技术物理研究所
出处
《硅酸盐学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1990年第4期342-346,共5页
文摘
用RAP法(reactivo atmosphere process)处理KCl熔体,在不改变生长气氛和RAP继续处理的情况下,提拉生长KCl晶体,以解决高纯、大尺寸、生长速度快、成品率高和有较大经济效益的问题。
关键词
氯化钾
晶体
反应气氛法
提拉法
Keywords
reactive atmosphere processing (RAP)
kcl cryastal
Czochralski method
分类号
O614.113 [理学—无机化学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
用RAP法引上技术生长KCl晶体
刘成武
郑虎
王春生
刘刚
马明春
康桂兰
《硅酸盐学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1990
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