期刊文献+
共找到10篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
KDP/DKDP晶体生长的研究进展 被引量:18
1
作者 王波 房昌水 +6 位作者 王圣来 孙洵 顾庆天 许心光 李义平 刘冰 牟晓明 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第2期247-252,共6页
采用传统降温法,KDP晶体的生长速度一般在1~2mm/d,DKDP晶体的生长速度甚至更慢,并且晶体的恢复区域较大,利用率低;而采用快速生长法,晶体的生长速度可以提高到20~50mm/d,并且晶体的恢复区域小,利用率高。本文回顾了KDP/DKD... 采用传统降温法,KDP晶体的生长速度一般在1~2mm/d,DKDP晶体的生长速度甚至更慢,并且晶体的恢复区域较大,利用率低;而采用快速生长法,晶体的生长速度可以提高到20~50mm/d,并且晶体的恢复区域小,利用率高。本文回顾了KDP/DKDP晶体生长的研究进展。并重点评述了KDP/DKDP晶体快速生长的研究进展,报道了近年来大尺寸、高质量KDP晶体的研究动态。 展开更多
关键词 kdp/dkdp晶体 惯性约束核聚变 溶液晶体生长 传统降温法 “点籽晶”快速生长法
下载PDF
大尺寸KDP/DKDP晶体的非线性吸收研究 被引量:3
2
作者 王端良 李廷斌 +3 位作者 张光辉 王圣来 王继扬 丁建旭 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第10期2492-2496,共5页
大口径KDP/DKDP晶体可用作激光约束核聚变(ICF)中Pockels盒和倍频器件的晶体材料。但是在强激光脉冲下,非线性光吸收限制了激光输出的能量密度和晶体的应用。本文利用Z-扫描技术,测量了大口径KDP和DKDP(70%氘含量)晶体样品在皮秒激... 大口径KDP/DKDP晶体可用作激光约束核聚变(ICF)中Pockels盒和倍频器件的晶体材料。但是在强激光脉冲下,非线性光吸收限制了激光输出的能量密度和晶体的应用。本文利用Z-扫描技术,测量了大口径KDP和DKDP(70%氘含量)晶体样品在皮秒激光波长λ=1064 nm,532 nm下的非线性吸收曲线,获得相应的非线性吸收系数β。研究表明,在λ=532 nm时,KDP晶体的非线性吸收系数β介于0.0124-0.1591 cm/GW之间,I类DKDP(70%氘含量)的非线性吸收系数β为0.0920 cm/GW;当λ=1064 nm时,KDP和DKDP(70%氘含量)都未测量到非线性吸收。晶体的非线性吸收可能与波长、晶体的切向等有关。 展开更多
关键词 Z-扫描 kdp/dkdp 非线性吸收 激光损伤
下载PDF
大尺寸KDP/DKDP晶体热膨胀系数研究 被引量:3
3
作者 刘琳 王圣来 +3 位作者 刘光霞 王端良 李伟东 丁建旭 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第6期1443-1447,1453,共6页
采用Perkin Elmer公司的Diamond TMA热机械分析仪对KDP/DKDP晶体在25~100℃范围内的平均线性热膨胀系数进行了研究。得到KDP/DKDP晶体x切向、z切向、Ⅰ类切向和Ⅱ类切向的平均线性热膨胀系数,分别为:KDP(2.454×10^-5/℃、4.168&#... 采用Perkin Elmer公司的Diamond TMA热机械分析仪对KDP/DKDP晶体在25~100℃范围内的平均线性热膨胀系数进行了研究。得到KDP/DKDP晶体x切向、z切向、Ⅰ类切向和Ⅱ类切向的平均线性热膨胀系数,分别为:KDP(2.454×10^-5/℃、4.168×10^-5/℃、3.465×10^-5/℃和2.884×10^-5/℃),DKDP(2.602×10^-5/℃、4.284×10^-5/℃、3.568×10^-5/℃和3.052×10^-5/℃)。另外,实验结果表明大尺寸KDP/DKDP晶体不同部位热膨胀系数存在不均匀性。 展开更多
关键词 kdp/dkdp晶体 均匀性 热膨胀系数 热机械分析仪
下载PDF
KDP\DKDP倍频晶体吸收系数的斜入射测量 被引量:1
4
作者 高波 杨斌 +3 位作者 李强 姜昌录 黎高平 柴立群 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第12期3041-3047,共7页
考虑惯性约束聚变系统中的磷酸二氢钾/磷酸二氘钾(KDP\DKDP)的吸收系数直接影响系统的转换效率及最终输出能量,本文研究了KDP\DKDP倍频晶体吸收系数的测量方法。提出了新的基于朗伯定律的倍频晶体吸收系数斜入射测量法。建立了斜入射状... 考虑惯性约束聚变系统中的磷酸二氢钾/磷酸二氘钾(KDP\DKDP)的吸收系数直接影响系统的转换效率及最终输出能量,本文研究了KDP\DKDP倍频晶体吸收系数的测量方法。提出了新的基于朗伯定律的倍频晶体吸收系数斜入射测量法。建立了斜入射状态下入射光偏振态与晶体o光和e光的关系模型,推导了小角度入射下晶体e光折射率的迭代计算方法。采用该方法计算了晶体的e光折射率,通过测量得到的数据间接计算出了KDP\DKDP倍频晶体吸收系数。详细分析了该方法在测量过程中的各项误差来源,得出该方法测量误差优于0.000 2cm^(-1)。最后,对一块40mm×40mm×60mm的开关晶体元件进行测试并与分光光度法比对以验证提出方法的可行性,结果显示两种测量方法的偏差小于0.000 2cm^(-1),表明该方法可用于惯性约束聚变系统中倍频晶体吸收系数的测量。 展开更多
关键词 磷酸二氢钾/磷酸二氘钾(kdp/dkdp)倍频晶体 吸收系数测量 斜入射 比尔朗伯原理
下载PDF
激光预处理提升DKDP晶体加工表面的抗损伤能力 被引量:5
5
作者 罗阳 胡国行 +4 位作者 赵元安 杨留江 曹珍 李大伟 刘晓凤 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第8期1987-1994,共8页
针对晶体表面的损伤特性,采用小光斑扫描激光预处理技术预辐照DKDP晶体元件,并采用表面损伤自动探测系统实时分析每个脉冲辐照后晶体表面的损伤情况,比较预处理和未预处理区域的损伤点密度确定表面预处理效果,并进一步模拟分析表面各类... 针对晶体表面的损伤特性,采用小光斑扫描激光预处理技术预辐照DKDP晶体元件,并采用表面损伤自动探测系统实时分析每个脉冲辐照后晶体表面的损伤情况,比较预处理和未预处理区域的损伤点密度确定表面预处理效果,并进一步模拟分析表面各类缺陷在纳秒强激光辐照下的动态过程,解释激光预处理对精抛表面提升作用的微观机制并分析它对粗抛表面提升不明显的原因。实验结果表明,激光预处理技术对粗抛表面的提升作用并不明显,但是可以大幅度抑制精抛表面的损伤点密度。在本文的实验条件下,晶体表面的抗激光损伤能力可以提升约60%。比较体材料和精抛表面的预处理效果发现:当体材料的抗破坏能力通过预处理提升后,精抛表面的抗激光损伤能力也会提升,由此可见精抛表面的激光预处理效果与体材料性能相关。 展开更多
关键词 激光损伤 激光预处理 损伤阈值 预处理效果 氘化磷酸二氢钾(dkdp)
下载PDF
超大尺寸KDP/DKDP晶体研究进展 被引量:5
6
作者 张力元 王圣来 +4 位作者 刘慧 徐龙云 李祥琳 孙洵 王波 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2021年第4期724-731,共8页
KDP/DKDP晶体具有生长方法简单、成本较低、光学性能良好等优点,而可生长出的超大尺寸KDP/DKDP晶体是目前唯一可用于高功率激光工程的单晶材料。但是在晶体的生长过程中存在很多影响因素,同时对晶体进行后处理也会影响晶体的性能,这都... KDP/DKDP晶体具有生长方法简单、成本较低、光学性能良好等优点,而可生长出的超大尺寸KDP/DKDP晶体是目前唯一可用于高功率激光工程的单晶材料。但是在晶体的生长过程中存在很多影响因素,同时对晶体进行后处理也会影响晶体的性能,这都直接关系到超大尺寸KDP/DKDP晶体的实际应用。鉴于此,本文综述了近些年超大尺寸KDP/DKDP晶体的重要研究进展,特别是针对传统生长和快速生长中存在的问题和相应的解决对策以及晶体性能相关的研究,并重点对晶体的透过率、氘化率、激光诱导损伤等进行了分析和讨论。 展开更多
关键词 超大尺寸 kdp/dkdp 生长 缺陷 性能
下载PDF
KDP/DKDP晶体生长研究近况 被引量:3
7
作者 王少丽 常新安 +1 位作者 臧和贵 陈学安 《硅酸盐通报》 CAS CSCD 北大核心 2011年第3期554-559,共6页
本文综述了近年来KDP和DKDP晶体生长的研究状况。为了生长大尺寸高质量的KDP和DKDP晶体,在传统溶液降温法的基础之上,研究者发明了循环流动法,连续过滤法,SR生长方法,蠕动泵加入法,光育法等一些列的新的生长方法。与此同时,籽晶形态的... 本文综述了近年来KDP和DKDP晶体生长的研究状况。为了生长大尺寸高质量的KDP和DKDP晶体,在传统溶液降温法的基础之上,研究者发明了循环流动法,连续过滤法,SR生长方法,蠕动泵加入法,光育法等一些列的新的生长方法。与此同时,籽晶形态的改进在一定程度上也实现了高效生长高质量晶体的目的。在KDP和DKDP晶体生长稳定性的影响因素研究方面,如原料的纯度,生长温度的控制,籽晶的质量和引入方式,溶液的水动力条件,溶液的氘化程度以及溶液的过饱和度等则为进一步实现生长大尺寸高质量的晶体奠定了科学的基础。另外,利用添加剂、掺质和后处理等手段进一步提高了晶体的质量。 展开更多
关键词 kdp/dkdp晶体 生长技术 稳定性 添加剂 后处理
下载PDF
激光预处理技术及其应用 被引量:15
8
作者 赵元安 胡国行 +4 位作者 刘晓凤 李大伟 朱美萍 易葵 邵建达 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第12期2938-2947,共10页
回顾了国内在激光预处理技术研究方面取得的进展。综述了基于激光预处理技术提升基频介质膜、磷酸二氢钾/高掺氘磷酸二氢钾(KDP/DKDP)晶体等光学元件抗激光损伤性能的机理、效果和关键技术。针对高功率激光驱动器中关键光学元件激光负... 回顾了国内在激光预处理技术研究方面取得的进展。综述了基于激光预处理技术提升基频介质膜、磷酸二氢钾/高掺氘磷酸二氢钾(KDP/DKDP)晶体等光学元件抗激光损伤性能的机理、效果和关键技术。针对高功率激光驱动器中关键光学元件激光负载能力的提高,建立了大口径光学元件激光预处理平台,实现了基频介质膜元件的激光预处理工程化作业。比较了纳秒和亚纳秒脉冲宽度激光对DKDP晶体损伤性能的影响。基于亚纳秒激光预处理后,纳秒激光辐照至14.4J/cm2(5ns)尚未出现"本征"损伤的实验结果,提出了用于DKDP晶体的亚纳秒激光预处理方案,并指出亚纳秒激光预处理技术将成为高功率激光三倍频晶体抗激光损伤性能达标的关键技术。 展开更多
关键词 激光预处理 激光与物质相互作用 高功率激光 激光损伤阈值 介质膜 磷酸二氢钾(kdp)晶体 高掺氘磷酸二氢钾(dkdp)晶体
下载PDF
磷酸、磷酸盐近期国内外资料题录
9
《云南化工》 CAS 2004年第3期53-54,共2页
关键词 磷酸复盐 水热和微波法 磷酸硼 食品级磷酸钠 磷酸钾玻璃体 羟基磷灰石粘合剂 kdp/dkdp混合晶体 高纯八水磷酸三镁
下载PDF
Microprobe of structure of crystal/liquid interface boundary layers 被引量:2
10
作者 于锡玲 尤静林 +5 位作者 王燕 程振祥 徐昺鲲 张树君 孙大亮 蒋国昌 《Science China(Technological Sciences)》 SCIE EI CAS 2001年第3期265-273,共9页
The molecular structures and its evolutive regularities within the boundary layers in the crystal growth of KDP and DKDP have been studied in real time by using holography and Raman microprobe. The experiments show th... The molecular structures and its evolutive regularities within the boundary layers in the crystal growth of KDP and DKDP have been studied in real time by using holography and Raman microprobe. The experiments show that the molecular structure of mother solution within the boundary layers is distinctly different from that of the solutions alone. In this paper, the effects of cations within the boundary layers on the structure of solution are considered. Within the characteristic boundary layers, the effects of cations cause the changes in O-P-O bond angle, electronic density redistribution of the phosphate groups, and significant changes in the bond intensity, thus leading to the breaking of partial hydrogen bonds of the phosphate associations, the readjustment of geometry of anionic phosphate groups and desolvation, and the forming of the smectic ordering structure of the anions_cations. Finally, the crystallization unit of anion_cation should be formed at the proximate interface. 展开更多
关键词 边界层 分子的结构 MICROPROBE kdp dkdp
原文传递
上一页 1 下一页 到第
使用帮助 返回顶部