KDP（KD^＊P）晶体结构研究进展

本文回顾了70多年来人们对KDP(KD P)晶体结构的研究成果,尤其对近年来在晶体表面界面结构、氢键结构等方面所取得的重大突破进行了综述,并力图强调晶体性能对结构的依赖关系。KDP晶体的表面及界面结构对于晶体的生长及缺陷的形成具有重要影响。表面X射线衍射研究结果表明:水溶液中的KDP晶体表面上有四层特殊结构的水分子层,前两层水分子象冰层一样牢固地结合在晶体表面上,后两层相对弥散。

中等口径KDP晶体的生长

本文论述中等口径ＫＤ＊Ｐ晶体的生长方法。对如何减少晶体中的缺陷进行了深入的研究，生长出１１６×１１８ｍｍ￣２，重３３００ｇ的高质量的ＫＤ＊Ｐ大单晶。

基于电光晶体缺陷层的一维光子晶体调谐滤波器

提出了一种新型的可调谐偏振光滤波器,通过在对称结构的一维光子晶体中引入电光晶体缺陷层,利用电光晶体的横向泡克尔斯效应实现对线偏振光的窄带调谐滤波,用传输矩阵法分析了这种滤波器的调谐特性,结果表明这种可调谐偏振滤波器具有结构简单、调谐方便、透射率高且透射峰半高宽度窄等突出优点.

KTP(KTiPO_4)晶体电光开关研究

介绍了ＫＴＰ晶体电光开关的设计；利用体式ＬｉＮｂＯ３晶体、ＫＤ＊Ｐ晶体和ＫＴＰ晶体做了光开关（斩波）实验。在开关脉冲宽度１２０ｎｓ～１２００ｎｓ，升降沿５ｎｓ的情况下，实验证实ＬｉＮｂＯ３晶体开关过程伴有严重的压电耦合振铃结构，不能做为体式光开关工作；而ＫＴＰ开关的综合性能是最好的。

不同荷电态替位缺陷S_p对磷酸二氢钾激光损伤的影响

采用第一性原理方法计算了KH2PO4(KDP)晶体中各种荷电态的硫取代磷替位缺陷(SP)的几何驰豫构型及电子结构.讨论了该缺陷形成后电荷密度的重新分布、相应的电子态密度、能带结构等性质.主要结果为:虽然中性态、±1以及+2荷电态的Sp替位缺陷并没有在带隙中形成占据态,但它们削弱了SO4基团与周围原子的结合力,从而形成相对孤立的SO4基团,相对于无缺陷晶体而言,这种局域松散的结构有利于杂质原子的填隙,因而会间接地影响该材料的抗激光损伤能力.-2荷电态的Sp替位缺陷则在带隙中形成能够容纳4个电子的未占据态,使KDP晶体的带隙大大降低,提高了光吸收能力,降低了激光损伤阈值,同时该荷电态导致SO4四面体畸变严重,甚至使得周围的两个O—H键断裂,从而造成微结构的几何损伤.以上结果清楚地阐明了硫酸根影响KDP激光损伤阈值的微观物理背景.

ICF驱动器谐波转换晶体中受激拉曼散射的数值计算

为了研究强激光谐波转换晶体中横向受激拉曼散射 (TSRS)对大型惯性约束聚变 (ICF)激光驱动器的危害 ,进行了TSRS的数值模拟计算。研究表明 ,ICF驱动器常规运行时 ,3ω 光的时空分布在理想无调制的情况下 。