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题名一种能抑制HBT Kink效应的新型复合管
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作者
滑育楠
梁聪
高怀
杨立武
李贯平
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机构
东南大学国家ASIC系统工程中心
中芯国际集成电路制造股份有限公司
The Henry Semueli School of Engineering University of California
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出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2010年第7期669-672,共4页
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文摘
介绍了GaAs异质结双极型晶体管(HBT)的Kink效应及其对宽带匹配的影响,并根据负反馈原理,提出了一种新型的HBT复合管结构。通过对该结构进行小信号分析和计算机软件仿真,该复合晶体管在整个测试频段内输出阻抗接近于一个简单的RC串联电路,并且输出电阻在很宽的频率范围内保持稳定。采用2μm InGaP/GaAs HBT半导体工艺技术流片测试,结果表明,在0.1-20 GHz(接近该HBT的截止频率)的频率范围内所提出的新型HBT复合管抑制了Kink效应并与理论分析结果及计算机仿真结果相吻合。采用该复合管作为宽带放大器的有源器件可以在很大程度上简化匹配电路的设计并且不会显著增加芯片面积和功耗。
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关键词
宽带匹配
kink效应
S参数
异质结双极晶体管
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Keywords
broadband matching
kink phenomenon
S-parameters
HBT
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分类号
TN604
[电子电信—电路与系统]
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题名5~12GHz新型复合管宽带功率放大器设计
被引量:2
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作者
程华
严唯敏
滑育楠
胡善文
高怀
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机构
东南大学苏州研究院高频高功率器件与集成技术研究中心
苏州大学应用技术学院
东南大学国家ASIC系统工程技术研究中心
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出处
《电子科技》
2010年第10期18-21,共4页
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文摘
利用一种新型HBT复合晶体管结构设计了一款宽带功率放大器,有效抑制了HBT的大信号Kink效应。采用微波仿真软件AWR对电路结构进行了优化和仿真,结果显示,在5~12GHz频带内,复合晶体管结构的输出阻抗值更稳定,带宽得到有效扩展,最高增益达到11dB,带内波动<0.5dB,在9GHz工作频率时,其1dB压缩点处的输出功率为26dBm。
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关键词
宽带匹配
kink效应
GAAS
HBT
复合晶体管
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Keywords
matching
kink phenomenon
GaAs HBT
composite transistor
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分类号
TN325
[电子电信—物理电子学]
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