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KLa(MoO_4)_2∶Sm^(3+)红色荧光粉的温度特性 被引量:3
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作者 王轶卓 张艳秋 +4 位作者 林成新 李香萍 张金苏 李磊 陈宝玖 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第12期1416-1421,共6页
采用高温固相法制备了KLa(Mo O4)2∶Sm3+红色荧光粉,利用X射线衍射对晶体结构进行表征,发现不同浓度Sm3+掺杂的样品均为单斜相结构。测量了样品的激发和发射光谱,观察到样品在紫外区及可见蓝绿区均有强的激发带,在404 nm激发下存在4个... 采用高温固相法制备了KLa(Mo O4)2∶Sm3+红色荧光粉,利用X射线衍射对晶体结构进行表征,发现不同浓度Sm3+掺杂的样品均为单斜相结构。测量了样品的激发和发射光谱,观察到样品在紫外区及可见蓝绿区均有强的激发带,在404 nm激发下存在4个发射峰。测量了不同温度下样品的发射光谱和荧光衰减曲线,对样品的荧光温度猝灭进行了分析,确定了样品发光的温度猝灭是由横向穿越所导致的,采用Arrhennius模型对实验数据进行拟合,确定激活能约为0.48 e V,表明荧光粉具有良好的热稳定性。 展开更多
关键词 kla(MoO4)2∶Sm3+ 红色荧光粉 温度猝灭 横向穿越
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白光LED用红色荧光粉KLa(MoO_4)_2:Eu^(3+)的制备及发光性能 被引量:4
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作者 侯利 吉日嘎兰图 +1 位作者 齐向东 付作岭 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第8期965-969,共5页
采用水热法制备红色荧光粉KLa(MoO4)2:Eu3+,通过X射线粉末衍射(XRD)、场发射扫描电镜(FE-SEM)和荧光光谱(PL)对样品进行了表征。实验结果表明:pH值是合成样品KLa(MoO4)2:Eu3+的关键因素,当溶液pH值接近7时,荧光粉的纯度较高,分散性良好... 采用水热法制备红色荧光粉KLa(MoO4)2:Eu3+,通过X射线粉末衍射(XRD)、场发射扫描电镜(FE-SEM)和荧光光谱(PL)对样品进行了表征。实验结果表明:pH值是合成样品KLa(MoO4)2:Eu3+的关键因素,当溶液pH值接近7时,荧光粉的纯度较高,分散性良好、粒度均匀、呈规则球形。这种荧光材料可以被紫外光279 nm、近紫外光395 nm和蓝光465 nm有效激发,发射主峰位于617 nm,是一种可应用于白光LED转换用的新型红色荧光粉。 展开更多
关键词 kla(MoO4)2:Eu3+ 水热合成 红色荧光粉
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Yb^(3+)/Tm^(3+)∶KLa(MoO_4)_2激光晶体的生长与光谱特性研究 被引量:2
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作者 李安明 付乔克 +3 位作者 陈振强 张俊 王春浩 吴聪聪 《硅酸盐通报》 CAS CSCD 北大核心 2012年第3期535-538,共4页
采用顶部籽晶提拉法生长出了Yb3+/Tm3+∶KLa(MoO4)2双掺杂激光晶体,单晶体尺寸达到15 mm×27mm。测试并分析了室温下的吸收光谱,计算出了各跃迁能级对应的吸收截面。利用J-O理论计算出了Yb3+/Tm3+∶KLa(MoO4)2中Tm3+掺杂离子的J-... 采用顶部籽晶提拉法生长出了Yb3+/Tm3+∶KLa(MoO4)2双掺杂激光晶体,单晶体尺寸达到15 mm×27mm。测试并分析了室温下的吸收光谱,计算出了各跃迁能级对应的吸收截面。利用J-O理论计算出了Yb3+/Tm3+∶KLa(MoO4)2中Tm3+掺杂离子的J-O强度参数。 展开更多
关键词 Yb3+/Tm3+ kla(MoO4)2 提拉法 光谱特性
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流加法测定反应器溶氧系数KLa的研究 被引量:2
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作者 林剑 《微生物学杂志》 CAS CSCD 1999年第4期29-30,共2页
应用亚硫酸盐流加法测定了机械搅拌式反应器的溶氧系数KLa,通过与Coper法及动态法比较认为,流加法可以用于机械搅拌式反应器溶氧系数KLa的测定,也适应于在真实发酵条件下机械搅拌式反应器溶氧系数KLa的测定。
关键词 亚硫酸钠流加法 溶氧系数kla 反应器
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Nd^(3+)∶KLa(MoO_4)_2激光晶体的光谱特性分析
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作者 李安明 韩永飞 +4 位作者 陈振强 龙西法 李景照 张戈 李真 《暨南大学学报(自然科学与医学版)》 CAS CSCD 北大核心 2010年第1期63-66,共4页
采用中频感应提拉法生长出了Nd3+∶KLa(MoO4)2单晶,测试其室温下非偏振吸收光谱、荧光发射光谱.805 nm处吸收峰半峰宽10 nm,吸收截面为3.74×10-20cm2.主荧光发射峰位于1 059.45 nm处,荧光寿命160.6μs.利用Judd-Ofelt理论计算出J-... 采用中频感应提拉法生长出了Nd3+∶KLa(MoO4)2单晶,测试其室温下非偏振吸收光谱、荧光发射光谱.805 nm处吸收峰半峰宽10 nm,吸收截面为3.74×10-20cm2.主荧光发射峰位于1 059.45 nm处,荧光寿命160.6μs.利用Judd-Ofelt理论计算出J-O强度参数Ωt(t=2,4,6)及自发辐射概率、荧光分支比、辐射寿命、荧光量子效率及受激发射截面等参数. 展开更多
关键词 Nd3+∶kla(MoO4)2 激光晶体 JUDD-OFELT理论 光谱特性
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以Kla值优化L-谷氨酸发酵的供氧条件
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作者 宋翔 魏文静 +2 位作者 涂郑禹 孙玉春 陈宁 《天津化工》 CAS 2011年第3期26-28,共3页
以Kla(体积溶氧系数)值为重要参考对黄色短杆菌进行了分批补料发酵过程中有关供氧条件的研究。在10L台式发酵罐中进行补料分批发酵,当Kla为377 h-1左右时,供氧比较适宜,可发酵产生130g/LL-谷氨酸。
关键词 L-谷氨酸 供氧 发酵 kla
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KLA-Tencor以创新把握经济复苏机遇
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作者 李健 《电子产品世界》 2009年第10期81-81,共1页
半导体市场从08年4季度开始、受经济危机拖累陷入低谷,其中半导体制造和封测设备市场更是首当其冲,削减运营成本支出一时间成为半导体厂商追捧的过冬手段。然而、对于谋求市场复兴机遇的企业,继续保持创新和研发的力度才是进补的最... 半导体市场从08年4季度开始、受经济危机拖累陷入低谷,其中半导体制造和封测设备市场更是首当其冲,削减运营成本支出一时间成为半导体厂商追捧的过冬手段。然而、对于谋求市场复兴机遇的企业,继续保持创新和研发的力度才是进补的最好战略。近日,在一年一度的品质管理峰会(Yield Management Seminar,YMS)上, 展开更多
关键词 经济复苏 创新 kla 半导体市场 半导体制造 半导体厂商 经济危机 设备市场
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Er^(3+):KLa(WO_4)_2晶体的生长与光谱性质 被引量:1
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作者 何龙 赵迪 +4 位作者 孙同庆 张康 陈绍林 孔勇发 宋峰 《中国稀土学报》 CAS CSCD 北大核心 2007年第4期479-482,共4页
采用提拉法生长出尺寸为Ф25mm×40mm的透明Er3+:KLa(WO4)2(简称Er:KLW)晶体,并确定了较佳的生长工艺。X射线粉末衍射分析结果表明该晶体为四方晶系白钨矿结构(I41/a空间群),晶格常数为a=b=0.5444(3)nm,c=1.2120(6)nm。测量了Er:KL... 采用提拉法生长出尺寸为Ф25mm×40mm的透明Er3+:KLa(WO4)2(简称Er:KLW)晶体,并确定了较佳的生长工艺。X射线粉末衍射分析结果表明该晶体为四方晶系白钨矿结构(I41/a空间群),晶格常数为a=b=0.5444(3)nm,c=1.2120(6)nm。测量了Er:KLW晶体的拉曼谱,发现了380,450和808cm-1等钨酸根的特征振动峰。测量了晶体的吸收光谱,应用J-O理论计算了晶体中Er3+离子的强度参量(Ω2,Ω4,Ω6);荧光光谱测量结果表明该晶体在1529nm附近有很强的荧光发射峰,利于产生受激辐射。 展开更多
关键词 Er^3+:kla(WO4)2 晶体生长 光谱性质 稀土
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草酸对KLa(WO_4)_2:Eu^(3+)纳米晶形貌及发光性能影响
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作者 潘婷婷 刘连利 +1 位作者 姜国庆 王莉丽 《电子元件与材料》 CAS CSCD 2016年第7期16-18,26,共4页
采用水热法,以K_2WO_4·2H_2O和La_2O_3为原料,以草酸为沉淀-模板剂,在pH=7,180℃下,通过调控草酸的添加量制备出了纯四方相结构的球形KLa(WO_4)_2:5%Eu^(3+)纳米晶。通过X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)及荧光光谱(PL)对不同条件下... 采用水热法,以K_2WO_4·2H_2O和La_2O_3为原料,以草酸为沉淀-模板剂,在pH=7,180℃下,通过调控草酸的添加量制备出了纯四方相结构的球形KLa(WO_4)_2:5%Eu^(3+)纳米晶。通过X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)及荧光光谱(PL)对不同条件下制备出的产物物相、形貌以及荧光性质进行表征,探讨了草酸添加量对产物形貌及发光性能的影响。结果表明,在初始溶液的pH值为7,摩尔比n(C_2O_4^(2-))/n(La^(3+))=0.3~0.5时,得到表面光滑直径为6~7μm的"足球形"KLa(WO_4)_2:5%Eu^(3+)纳米晶,在393 nm激发下在614 nm处发光性强,草酸起到控制游离La^(3+)浓度和模板剂的作用,草酸添加量对产物的形貌及发光性能起到重要作用。 展开更多
关键词 球形 水热合成 草酸 发光性能 kla(WO4)2 纳米晶
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Growth and Spectral Properties of Nd^(3+) Doped KLa(MoO_4)_2 Crystal
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作者 WANG Guo-Jian HAN Xiu-Mei +1 位作者 LONG Xi-Fa WANG Guo-Fu 《Chinese Journal of Structural Chemistry》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2006年第2期192-196,共5页
Nd^3+ doped KLa(MoO4)2 single crystal with the size up to Ф25 × 40 mm^3 was grown by the Czochralski technique. The absorption and luminescence spectra of trivalent neodymium in KLa(MoO4)2 crystal were inve... Nd^3+ doped KLa(MoO4)2 single crystal with the size up to Ф25 × 40 mm^3 was grown by the Czochralski technique. The absorption and luminescence spectra of trivalent neodymium in KLa(MoO4)2 crystal were investigated at room temperature. The absorption and emission cross 10-20 sections are 3.02 ×10^-20 cm^2 at 808 nm and 20.01 × 10^-2 cm^2 at 1061 nm, respectively. The fluorescence lifetime is 164μs at room temperature. 展开更多
关键词 Nd^3+ kla(MoO4)2 crystal crystal growth spectral properties
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QSC首款有源线阵列系统KLA系列
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《电声技术》 2011年第4期89-89,共1页
KLA有源线阵是QSC公司第一款有源线阵产品,该款扬声器内置了与有源K和KW扬声器一致的功放模块,曲线造型优美,安装极为方便,旨在满足基于流动应用或是永久性固定安装所需的灵活多变的使用要求,如多功能厅、娱乐场所、会议中心和户... KLA有源线阵是QSC公司第一款有源线阵产品,该款扬声器内置了与有源K和KW扬声器一致的功放模块,曲线造型优美,安装极为方便,旨在满足基于流动应用或是永久性固定安装所需的灵活多变的使用要求,如多功能厅、娱乐场所、会议中心和户外演出及其他需要线阵应用的场所。 展开更多
关键词 线阵列 kla 有源 系统 娱乐场所 功放模块 曲线造型 多功能厅
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KLA-Tencor推EUV计算光刻工具PROLITHTM 12
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《电子工业专用设备》 2008年第10期67-67,共1页
KLA—Tencor公司近日推出了PROLITHTM12,这是一款业界领先的新版计算光刻工具。此新版工具让领先的芯片制造商及研发机构的研究人员能够以具有成本效益的方式探索与极紫外线(EUV)光刻有关的各种光罩设计、光刻材料及工艺的可行性。
关键词 光刻材料 kla 工具 计算 EUV 成本效益 研究人员 研发机构
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KLA和TEL推出全新软件包ACUSHAPETM
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《中国集成电路》 2009年第6期6-6,共1页
近日,KLA—Tencor和TEL宣布推出一款全新的制模和库产生软件包AcuShape^TM,以满足32奈米制程技术及更先进技术的光学临界尺寸测量要求。
关键词 软件包 TEL kla 制程技术 尺寸测量
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KLA-Tencor将WPI技术优势推广到所有光罩类型
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《电子工业专用设备》 2008年第10期66-67,共2页
KLA—Tencor公司日前推出其最新的基于数据库(die—to—database)的晶圆表片光罩检测技术——Wafer Plane Inspection(wei)。WPI让占据领先地位的逻辑电路与晶圆代工光罩制造商能在检测光罩上缺陷的同时,评估这些缺陷是否有可能印... KLA—Tencor公司日前推出其最新的基于数据库(die—to—database)的晶圆表片光罩检测技术——Wafer Plane Inspection(wei)。WPI让占据领先地位的逻辑电路与晶圆代工光罩制造商能在检测光罩上缺陷的同时,评估这些缺陷是否有可能印到晶圆上。这是第一次可以在非重复区域的单芯片光罩和多芯片光罩上使用这种功能。 展开更多
关键词 检测技术 WPI kla 光罩 类型 优势 晶圆代工 逻辑电路
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KLA-Tencor帮助客户掌控最高利润点
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作者 姚钢 《集成电路应用》 2009年第9期17-17,共1页
采用最新技术者往往是高利润获取者,最先采用最新工艺的晶圆厂就能掌控获得利润最高点。为此,KLA—Tencor日前推出两款新型晶圆缺陷监测系统2835和Puma9550、及一款新型电子束再检测系统eDR-5210,以应对客户在3Xnm/2Xnm技术节点上... 采用最新技术者往往是高利润获取者,最先采用最新工艺的晶圆厂就能掌控获得利润最高点。为此,KLA—Tencor日前推出两款新型晶圆缺陷监测系统2835和Puma9550、及一款新型电子束再检测系统eDR-5210,以应对客户在3Xnm/2Xnm技术节点上的量测需求。KLA—Tencor首席营销官Brian Trafas表示,“3Xnm/2Xnm节点会有多种多样的缺陷技术问题,不仅严重影响良率而且捕捉到这些缺陷难度很大。本次推出的新机台可为用户量产时带来性能和产能的大幅提升,帮助我们的客户更快的解决难题。” 展开更多
关键词 利润 客户 最新技术 技术节点 监测系统 检测系统 kla 缺陷
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KLA-Tencor新近推出的Aleris8500薄膜度量系统用于45nm及更小尺寸厚度与成份的测定
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《电子工业专用设备》 2007年第12期68-68,共1页
KLA—Tencor公司新近推出了Aleris^TM系列薄膜度量系统,该系列从Aleris 8500开始,是业界第一套将可用于生产的成份与多层薄膜厚度测定结合在一起的系统。其它Aleris系列系统将在未来数月内以不同配置推出,以满足45nm节点及以下尺寸... KLA—Tencor公司新近推出了Aleris^TM系列薄膜度量系统,该系列从Aleris 8500开始,是业界第一套将可用于生产的成份与多层薄膜厚度测定结合在一起的系统。其它Aleris系列系统将在未来数月内以不同配置推出,以满足45nm节点及以下尺寸所有薄膜应用的性能与CoO要求。 展开更多
关键词 多层薄膜 厚度测定 kla 小尺寸 系统 成份 度量 COO
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KLA-Tencor推出新一代Teron 600光罩缺陷检测平台
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《中国集成电路》 2009年第10期13-13,共1页
KLA—Tencor公司宣布推出了Teron600系列光罩缺陷检测系统。全新的Teron600平台中加入了可编程扫描机曝光功能,并且灵敏度和模拟光刻计算功能上与当前行业标准平台TeraScanTMXR相比,有明显改进,为2Xnm逻辑(3XnmHP内存)节点下的光... KLA—Tencor公司宣布推出了Teron600系列光罩缺陷检测系统。全新的Teron600平台中加入了可编程扫描机曝光功能,并且灵敏度和模拟光刻计算功能上与当前行业标准平台TeraScanTMXR相比,有明显改进,为2Xnm逻辑(3XnmHP内存)节点下的光罩设计带来了一次重大转型。这些优势对开发和制造2Xnm节点的创新光罩是非常必要的。 展开更多
关键词 光罩 检测平台 缺陷 检测系统 曝光功能 标准平台 计算功能 kla
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奔驰221、216车型KLA—SG设置错误
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作者 李军 《汽车维修与保养》 2012年第7期40-40,共1页
故障现象:无冷气输出。 故障诊断:利用Xentry Diagnose升级空调控制器AACCU软件时,KLA—SG可能会错误识别当前的发动机型号。结果,在KLA—SG中“已安装的电磁离合器”的设码会错误地自动设码成“是”。
关键词 kla 奔驰 设置 车型 空调控制器 发动机型号 电磁离合器 故障现象
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KLA—Tencor在新加坡的新厂房将成为区域性扩张的基础
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《电子工业专用设备》 2008年第6期65-65,共1页
为半导体制造及相关行业提供制程控制解决方案的全球领先企业KLA—Tencor公司目前为其在新加坡的新厂房举行了正式揭幕庆典。该公司将利用这座厂房大幅度提升其高精度制造能力,并扩大其广泛的培训、销售与公司职能。
关键词 新加坡 kla 厂房 区域性 基础 半导体制造 制程控制 制造能力
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突破性的KLA—Tencor技术-通过识别可印刷缺陷实现高等级光罩检测
20
《电子工业专用设备》 2008年第5期69-70,共2页
KLA—Tencor公司日前推出其称为“晶片平面光罩检测”(Wafer Plane Inspection,WPI)的最新光罩检测技术。该技术系业界首次在单一系统上提供既可查找光罩上的所有缺陷,又能显示只印刷在晶片上的缺陷的多功能性。WPI不但征服了对优... KLA—Tencor公司日前推出其称为“晶片平面光罩检测”(Wafer Plane Inspection,WPI)的最新光罩检测技术。该技术系业界首次在单一系统上提供既可查找光罩上的所有缺陷,又能显示只印刷在晶片上的缺陷的多功能性。WPI不但征服了对优良率至关重要的32am光罩缺陷检测的挑战,它的运行速度也比先前的检测系统快达40%,从而有望缩短检测光罩占用生产总时间的百分比。 展开更多
关键词 检测技术 印刷缺陷 kla 光罩 高等级 突破性 识别 单一系统
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