-
题名ZnO中Li相关缺陷结构性质
被引量:5
- 1
-
-
作者
徐群和
康俊勇
-
机构
厦门大学物理系半导体光子学研究中心
-
出处
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006年第4期509-513,共5页
-
基金
国家自然科学基金(60376015
90206030
+4 种基金
60336020
10134030)
国家"973"计划(001CB610505)
福建省科技项目(2004H054
E0410007)资助项目
-
文摘
采用第一性原理量子力学分子动力学方法,基于32个原子的超原胞模型,计算了ZnO中各种L i相关缺陷的有关几何和电子结构。通过不同模型的计算分析表明,ZnO中L i杂质在间隙位上的总能比替位Zn格位的能量更低,但却形成施主能级。进一步通过构造L i替Zn位L iZn与不同本征缺陷所构成的复合体结构,并对模拟计算的结果进行分析比较得出,O反位OZn可与L iZn形成比L i间隙位更稳定的复合体,可高溶解度地稳定存在于ZnO中,并在禁带中产生受主能级,是较好的p型导电性候选缺陷。
-
关键词
ZNO
本征缺陷
Li掺杂
第一性原理计算
-
Keywords
ZnO
native defect
l-dopant
first principles calculations
-
分类号
O474
[理学—半导体物理]
O775
[理学—晶体学]
-