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基于硅工艺的12GHz单片接收RF Front-End设计
1
作者
马建国
韩磊
+1 位作者
谢李萍
汪金铭
《电子科技大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006年第S1期638-641,共4页
提出了一种基于硅材料的、工作在12 GHz频率的用于接收卫星数字图像广播的单片射频前端系统,该系统含有低噪声放大器、混频器和第二级放大器,所有的电路都集成在硅材料工艺中,可以用于频率在12GHz的卫星通信频段信号的接收。
关键词
射频前端系统
硅
低噪声放大器
混频器
第二级低噪声放大器
本振
下载PDF
职称材料
题名
基于硅工艺的12GHz单片接收RF Front-End设计
1
作者
马建国
韩磊
谢李萍
汪金铭
机构
电子科技大学电子工程学院
电子科技大学微电子与固体电子学院
出处
《电子科技大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006年第S1期638-641,共4页
文摘
提出了一种基于硅材料的、工作在12 GHz频率的用于接收卫星数字图像广播的单片射频前端系统,该系统含有低噪声放大器、混频器和第二级放大器,所有的电路都集成在硅材料工艺中,可以用于频率在12GHz的卫星通信频段信号的接收。
关键词
射频前端系统
硅
低噪声放大器
混频器
第二级低噪声放大器
本振
Keywords
RF front-end
Si
LNA
mixer
lna2
local oscillator
分类号
TN492 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
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1
基于硅工艺的12GHz单片接收RF Front-End设计
马建国
韩磊
谢李萍
汪金铭
《电子科技大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006
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