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GaSb衬底上外延InAs_xSb_(1-x)材料的LP-MOCVD研究 被引量:4
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作者 李晓婷 王一丁 +5 位作者 汪韬 殷景致 王警卫 赛小锋 高鸿楷 张志勇 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第9期1363-1366,共4页
采用自制的低压金属有机化学汽相淀积LP-MOCVD设备,在(100)面GaSb单晶衬底上外延生长了InAsSb材料.用X射线双晶衍射、光学显微镜和扫描电镜、电子探针能谱仪等对材料特性进行了表征,分析研究了生长温度、Ⅴ/Ⅲ比、过渡层等对外延层的影... 采用自制的低压金属有机化学汽相淀积LP-MOCVD设备,在(100)面GaSb单晶衬底上外延生长了InAsSb材料.用X射线双晶衍射、光学显微镜和扫描电镜、电子探针能谱仪等对材料特性进行了表征,分析研究了生长温度、Ⅴ/Ⅲ比、过渡层等对外延层的影响.并且获得了与GaSb衬底晶格失配度较低的表面光亮的晶体质量较好的InAsSb外延层. 展开更多
关键词 lp-mocvd GASB INASSB 生长温度
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LP-MOCVD生长InGaAs/InP应变量子阱的研究 被引量:3
2
作者 刘宝林 杨树人 +2 位作者 陈佰军 王本忠 刘式墉 《光子学报》 EI CAS CSCD 1994年第4期313-318,共6页
本文研究了LP-MOCVD对不同x值的In1-xGaxAs/InP生长条件,并且生长了压缩应变为0.5%三个不同阱宽的InGaAs/InP量子阱结构,利用77KPL光谱分析了能级同阱宽的关系,实现最窄阱宽为4.4nm... 本文研究了LP-MOCVD对不同x值的In1-xGaxAs/InP生长条件,并且生长了压缩应变为0.5%三个不同阱宽的InGaAs/InP量子阱结构,利用77KPL光谱分析了能级同阱宽的关系,实现最窄阱宽为4.4nm,最小全半高峰宽为17.0mev。 展开更多
关键词 应变 量子阱 化学汽相沉积 砷铟镓
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LP-MOCVD生长温度对InGaAs性能的影响 被引量:3
3
作者 刘宝林 杨树人 +2 位作者 陈佰军 王本忠 刘式墉 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1993年第4期387-390,共4页
众所周知,InGaAs在InP和GaAs二个系列材料中具有最大的载流子迁移率和最大的饱和速率,InGaAs/GaAs应变量子阱可以把GaAs的发射波长从0.83μm延伸到1.1μm,而InGaAs/InP量子阱激光器又可以实现1.1~1.8μm内任意波长发射,并且,InGaAs/In... 众所周知,InGaAs在InP和GaAs二个系列材料中具有最大的载流子迁移率和最大的饱和速率,InGaAs/GaAs应变量子阱可以把GaAs的发射波长从0.83μm延伸到1.1μm,而InGaAs/InP量子阱激光器又可以实现1.1~1.8μm内任意波长发射,并且,InGaAs/InP探测器的响应波长范围为0.93μm~1.65μm,因此,它不论对高速电子器件如HBT和HEMT,还是光电子器件如激光器(LD)和探测器(PIN和APD)都具有极重要的意义。虽然利用液相外延巳生长出高质量的InGaAs/InP材料,但是, 展开更多
关键词 化学汽相沉积 砷钼镓 温度
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LP—MOCVD研制InGaAs/InP应变量子阱LD 被引量:1
4
作者 刘宝林 杨树人 +4 位作者 陈伯军 王本忠 安海岩 秦福文 刘式墉 《光子学报》 EI CAS CSCD 1996年第5期434-438,共5页
本文指出在LP—MOCVD生长过程中,采用量子阱有源区和上限制层不同的生长温度以及生长非掺杂过渡层等技术能有效地控制InGaAs/InP量子阱激光器的p—n结结位,给出了采用DEZn和H_2S做掺杂源在InP材料中p... 本文指出在LP—MOCVD生长过程中,采用量子阱有源区和上限制层不同的生长温度以及生长非掺杂过渡层等技术能有效地控制InGaAs/InP量子阱激光器的p—n结结位,给出了采用DEZn和H_2S做掺杂源在InP材料中p型和n型杂质溶度和p-n结控制的条件,并研制出有源区阱层InGaAs与InP存在0.5%压缩应变量子阱激光器,这一结构LD实现室温脉冲激射,得到峰值功率为106mW以上,阈值电流密度为2.6kA/cm2。 展开更多
关键词 mocvd 量子阱 激光器 INGAAS
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LP-MOCVD生长InGaAlP外延层In组分控制的动力学分析 被引量:1
5
作者 文尚胜 范广涵 +1 位作者 廖常俊 刘颂豪 《量子电子学报》 CAS CSCD 北大核心 2001年第2期175-178,共4页
本文分析了低压转盘MOCVD生长室中气流的流动特征,首次提出了在高温(700℃左右)下生长InGaAlP外延层时,抑制In组分脱吸附的“动压力模型”.解释了托盘转速和生长压力等生长参数对In组分控制的影响.
关键词 低压有机金属化学气相外延 INGAAlp 铟组分 控制 外延层生长 动力学分析
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LP-MOCVD法制备高质量InP薄膜 被引量:1
6
作者 陈佰军 杨树人 +2 位作者 刘宝林 王本忠 刘式墉 《吉林大学自然科学学报》 CAS CSCD 1993年第2期59-62,共4页
本文报导以国产三甲基铟(TMIn)和进口的磷烷(PH_3)为源,采用低压金属有机化合物化学气相沉积(LP-MOCVD)方法,在InP衬底上生长高质量InP的工艺条件以及外延层的电学特性和光学特性.
关键词 lp-mocvd 薄膜 磷化铟
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InP衬底上LP-MOCVD生长InAs自组装量子点 被引量:1
7
作者 王本忠 刘式墉 +3 位作者 赵方海 孙洪波 彭宇恒 李正廷 《吉林大学自然科学学报》 CAS CSCD 1997年第2期70-72,共3页
报道利用低压金属有机化学气相沉积(LP-MOCVD)技术在(001)InP衬底上生长InAs自组装量子点的结果,用光致发光技术观察到较强的室温光荧光谱,其峰值波长约为1603um,分布在1300um^1700um范围内。
关键词 砷化铟 自组装量子点 mocvd 磷化铟 衬底
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Growth and Characterisation of In AsSb Ternary Layers on (100) GaSb Substrates by LP-MOCVD
8
作者 李晓婷 汪韬 +5 位作者 王警卫 王一丁 殷景致 赛小锋 高鸿楷 张志勇 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第12期2298-2302,共5页
InAsSb alloys are grown on n-(100) GaSb (Te-doped) and GaAs substrates by the MOCVD using TMIn, TMSb,and AsH3 sources. The influence of growth parameters such as temperature, Ⅴ/Ⅲ ratio,and buffer layer on the su... InAsSb alloys are grown on n-(100) GaSb (Te-doped) and GaAs substrates by the MOCVD using TMIn, TMSb,and AsH3 sources. The influence of growth parameters such as temperature, Ⅴ/Ⅲ ratio,and buffer layer on the surface morphology and solid composition is studied. The surface morphology is observed by AFM and SEM. The As and Sb concentrations in the solid are characterized by electron microprobe analysis. The crystalline quality of the InAsSb epilayer is characterized by double-crystal X-ray rocking curve diffraction. The electrical properties are observed by the (Van der Pauw) Hall technique at room temperature. An InAsSb epitaxy layer with mirror-like surface and lattice mismatch of 0.4% is obtained. 展开更多
关键词 lp-mocvd GASB INASSB GROWTH
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LP-MOCVD生长InGaAlP双异质结中In组分控制的研究
9
作者 文尚胜 范广涵 +1 位作者 廖常俊 刘颂豪 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 2000年第5期346-348,共3页
根据已经发表的有关文献实验数据 ,针对InGaAlP发光材料的LP -MOCVD生长 ,给出了描述In组分偏离的经验表达式 。
关键词 lp-mocvd InGaA1P 双异质结 组分控制
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LP-MOCVD生长伸张应变InGaAs/InP多量子阱的研究
10
作者 刘宝林 杨树人 +1 位作者 陈佰军 刘式墉 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1995年第3期239-243,共5页
首先从理论上研究了在应变情况下量子阱中能级的计算,然后利用LP-MOCVD研究了InGaAs/InP组份的控制及生长条件,最后生长伸张应变为0.5%的四个量子阱InGaAs/InP结构材料,利用PL光谱测量得最小阶宽... 首先从理论上研究了在应变情况下量子阱中能级的计算,然后利用LP-MOCVD研究了InGaAs/InP组份的控制及生长条件,最后生长伸张应变为0.5%的四个量子阱InGaAs/InP结构材料,利用PL光谱测量得最小阶宽为1.8nm。 展开更多
关键词 伸张应变 量子阱 半导体 生长
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应用LP-MOCVD方法研制InGaAs/InP应变量子阱LD
11
作者 刘宝林 黄钟英 《厦门大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 1998年第6期857-860,共4页
利用低压-金属有机化合物蒸汽沉积(LP-MOCVD)的方法研究在生长过程中温度和时间对PN结结位的影响,并用它来控制InGaAs/InP量子阱激光器的p-n结结位.探讨在InP材料中使用DEZn和H2S做掺杂源时,P... 利用低压-金属有机化合物蒸汽沉积(LP-MOCVD)的方法研究在生长过程中温度和时间对PN结结位的影响,并用它来控制InGaAs/InP量子阱激光器的p-n结结位.探讨在InP材料中使用DEZn和H2S做掺杂源时,P型和N型的杂质浓度和PN结控制的条件,得出在0.5%压缩条件下有源区阱层InGaAs和InP的应变量子阱激光器(LD).当激光器实现室温脉冲激射时,可获得峰值功率>106mW、阈值电流密度为2. 展开更多
关键词 lp-mocvd 应变 量子阱 激光器 INGAAS 磷化铟
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LP-MOCVD生长ZnO薄膜的氧源
12
作者 陈童 顾书林 +6 位作者 叶建东 朱顺明 秦锋 胡立群 张荣 施毅 郑有炓 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第2期177-182,共6页
使用 CO2 、O2 氧源得到了 Zn O择优取向薄膜样品 ,实验证实了小尺寸的交流高压离化器件确实能够为低压金属有机物化学气相沉积 (L P- MOCVD)生长 Zn O薄膜提供有效的离化氧源支持 .运用电晕放电模型和 Zn O薄膜台阶生长模型研究了离化... 使用 CO2 、O2 氧源得到了 Zn O择优取向薄膜样品 ,实验证实了小尺寸的交流高压离化器件确实能够为低压金属有机物化学气相沉积 (L P- MOCVD)生长 Zn O薄膜提供有效的离化氧源支持 .运用电晕放电模型和 Zn O薄膜台阶生长模型研究了离化效率对电压、气压和不同氧源气体的依赖关系及负氧浓度对生长速率和薄膜质量的影响 .对 X射线衍射谱、光致发光谱、原子力显微镜和俄歇电子能谱的分析表明 ,CO2 氧源由于离化效率较高 ,负氧浓度较大 ,使得生长速率较慢 ,薄膜表面较为平坦 ,但表面 C污染影响了薄膜内部质量 ;而 O2 氧源样品取向更接近(0 0 0 2 )衬底取向 ,样品内部应力较小 ,晶格常数更接近正常化学配比的 Zn O单晶 ,这表明最优负氧浓度的存在和气源带来的污染是 Zn O生长中必须考虑的问题 . 展开更多
关键词 氧源 ZNO薄膜 lp-mocvd 离化
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1.55μm InGaAsP/InP应变量子阱激光器的LP-MOCVD生长
13
作者 祝进田 李玉东 +3 位作者 胡礼中 陈松岩 胡朝辉 刘式墉 《光子学报》 EI CAS CSCD 1994年第3期273-277,共5页
本文首次报导了生长温度为550℃,以三甲基镓(TMGa)和三甲基铟(TMIn)为Ⅲ族源,用低压金属有机物气相沉积(LFMOCVD〕技术,高质量1.62um和1.3umInGaAsP及In0.57Ga0.43As0.9... 本文首次报导了生长温度为550℃,以三甲基镓(TMGa)和三甲基铟(TMIn)为Ⅲ族源,用低压金属有机物气相沉积(LFMOCVD〕技术,高质量1.62um和1.3umInGaAsP及In0.57Ga0.43As0.98P0.04/In0.73Ga0.27As0.6P0.4量子阶结构的生长,并给出了1.55umGaAsP/InP分别限制应变量子阱结构激光器的生长条件,激光器于室温下脉冲激射,其阈值电流密度为2.4kA/cm2。 展开更多
关键词 应变 量子阱 激光器 化学汽相沉积
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InAsSb材料的LP-MOCVD生长
14
作者 徐庆安 邵逸恺 +4 位作者 汪韬 尹飞 闫欣 辛丽伟 王警卫 《半导体光电》 CAS 北大核心 2015年第5期733-735,740,共4页
采用低压金属有机物化学气相沉积(LP-MOCVD)设备,在(100)面GaSb单晶衬底上生长了高质量的InAsSb材料。分析了InAs/GaSb超晶格红外材料在不同生长条件下的生长质量,对器件材料结构进行了表征,并进行了理论分析和优化生长。采用X射线双晶... 采用低压金属有机物化学气相沉积(LP-MOCVD)设备,在(100)面GaSb单晶衬底上生长了高质量的InAsSb材料。分析了InAs/GaSb超晶格红外材料在不同生长条件下的生长质量,对器件材料结构进行了表征,并进行了理论分析和优化生长。采用X射线双晶衍射原子力显微镜对其外延薄膜的单晶质量进行分析,得到外延层与衬底材料的晶格失配仅为-0.43%。通过调节过渡层材料来减小界面处的应变,提高材料的生长质量,利用光致发光谱对材料做了检测分析。给出了InAsSb材料的LP-MOCVD生长的参数分析和测量分析,为以后生长和分析InAsSb材料提供了很好的基础。 展开更多
关键词 INASSB lp-mocvd 超晶格 GaSb衬底 红外探测器
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InGaAsP及其量子阱结构的LP-MOCVD
15
作者 胡朝晖 胡礼中 李玉东 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 1994年第2期159-162,174,共5页
报道了用低压金属有机化学汽相淀积(LP-MOCVD)技术在(100)InP衬底上生长InGaAsP体材料及InGaAsP(1.3μm)/InGaAsP(1.6μm)量子阱结构的生长条件和实验结果。比较了550℃和58... 报道了用低压金属有机化学汽相淀积(LP-MOCVD)技术在(100)InP衬底上生长InGaAsP体材料及InGaAsP(1.3μm)/InGaAsP(1.6μm)量子阱结构的生长条件和实验结果。比较了550℃和580℃两个生长温度下In1-xGaxAsyP1-y体材料及相应量子阱结构的特性,表明在580℃生长条件下,晶体具有更好的质量和特性。 展开更多
关键词 化学汽相定积 多量子阱 光致发光 INGAASP
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应用LP-MOCVD方法研制InGaAs/InP应变量子阱LD
16
作者 黄钟英 刘宝林 《沈阳航空工业学院学报》 1998年第3期40-44,共5页
(在CP—MOCVD生长过程中)本文研究生长温度和生长过程对PN结结位的影响,并用它来控制InGaAs/InP量子阶激光器的p-n结结位,还探讨了在InP材料中使用DEZn和H2S做掺杂源时P型和N型的杂质浓度和PN结控制的条件,得出在0.5%压缩条件... (在CP—MOCVD生长过程中)本文研究生长温度和生长过程对PN结结位的影响,并用它来控制InGaAs/InP量子阶激光器的p-n结结位,还探讨了在InP材料中使用DEZn和H2S做掺杂源时P型和N型的杂质浓度和PN结控制的条件,得出在0.5%压缩条件下有源区阶层InGaAs和InP的应变量子层激光器。用这一LD结构实现室温脉冲激射时,我们可获得峰值功率为106mW以上、阈值电流密度为2.6kA/cm2的应变三量子阱激光器。 展开更多
关键词 lp-mocvd 应变 量子阱 激光器 铟镓砷 磷化铟
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生长速率对低压MOCVD外延生长GaAs/Ge异质结的影响 被引量:3
17
作者 汪韬 李宝霞 +2 位作者 李晓婷 赛小锋 高鸿楷 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第12期1479-1482,共4页
采用自制的液相金属氧化物化学汽相沉积 (LP MOCVD)设备 ,在Ge( 1 0 0 )向 ( 1 1 0 )面偏 9°外延生长出GaAs单晶外延层 ,对电池材料进行了X射线衍射测试分析 ,半峰宽为 5 2″ 讨论了外延生长参量对GaAs/Ge的影响 ,表明抑制反向畴... 采用自制的液相金属氧化物化学汽相沉积 (LP MOCVD)设备 ,在Ge( 1 0 0 )向 ( 1 1 0 )面偏 9°外延生长出GaAs单晶外延层 ,对电池材料进行了X射线衍射测试分析 ,半峰宽为 5 2″ 讨论了外延生长参量对GaAs/Ge的影响 ,表明抑制反向畴不仅与过渡层有关 ,而且与GaAs单晶外延生长参量有关 展开更多
关键词 生长速率 低压mocvd 外延生长 异质结 液相金属氧化物化学汽相沉积 GAAS/GE 反向畴 砷化镓 半导体 太阳电池
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GaInP_2/GaAs/Ge叠层太阳电池材料的低压MOCVD外延生长 被引量:4
18
作者 李辉 汪韬 +2 位作者 李宝霞 赛晓峰 高鸿楷 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第2期209-212,共4页
本文采用自制的 L P-MOCVD设备 ,外延生长出 Ga In P2 / Ga As/ Ge叠层太阳电池结构片 ,对电池材料进行了 X射线衍射测试分析 .另外 ,采用二次离子质谱仪测试了电池结构的剖面曲线 .用此材料做出的叠层太阳电池 ,AMO条件下光电转换效率 ... 本文采用自制的 L P-MOCVD设备 ,外延生长出 Ga In P2 / Ga As/ Ge叠层太阳电池结构片 ,对电池材料进行了 X射线衍射测试分析 .另外 ,采用二次离子质谱仪测试了电池结构的剖面曲线 .用此材料做出的叠层太阳电池 ,AMO条件下光电转换效率 η=1 3 .6% ,开路电压 Voc=2 2 3 0 m V,短路电流密度 Jsc=1 2 .6m A/ cm2 . 展开更多
关键词 lp-mocvd CaInP2/GaAs/Ge 叠层太阳电池 外延生长 镓铟磷化合物 砷化镓
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Zn_(1-x)Mg_xO薄膜的低压MOCVD生长与性质 被引量:2
19
作者 刘伟 顾书林 +8 位作者 叶建东 朱顺明 秦锋 周昕 刘松民 胡立群 张荣 施毅 郑有炓 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第7期809-813,共5页
利用低压金属有机物气相沉积 (L P- MOCVD)技术 ,采用两步生长法 ,在 (0 0 0 1 )蓝宝石衬底上获得了纤锌矿结构的 Zn1 - x Mgx O合金单晶薄膜 .实验发现随着 Mg原子的增多 ,Zn Mg O的晶格常数逐渐减小 .X射线衍射谱中未出现除 (0 0 0 2 ... 利用低压金属有机物气相沉积 (L P- MOCVD)技术 ,采用两步生长法 ,在 (0 0 0 1 )蓝宝石衬底上获得了纤锌矿结构的 Zn1 - x Mgx O合金单晶薄膜 .实验发现随着 Mg原子的增多 ,Zn Mg O的晶格常数逐渐减小 .X射线衍射谱中未出现除 (0 0 0 2 )峰之外的其他峰位 ,表明该合金薄膜具有很强的择优取向和较好的晶体质量 .室温透射谱与光致发光谱显示 ,其吸收边或带边发光峰随 Mg原子浓度的增加首先出现红移然后出现蓝移 .该反常现象与 Zn Mg O薄膜中产生的杂质缺陷的行为有关 .研究表明在 MOCVD生长 Zn Mg O合金薄膜过程中 ,必须优化与控制反应条件 。 展开更多
关键词 锌镁氧合金 低压金属有机物气相沉积 X射线衍射 透射谱 光致发光谱 PACC 6855 8115H
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高温处理工艺对低压MOCVD外延GaAs/Ge太阳电池的影响 被引量:1
20
作者 李晓婷 汪韬 +1 位作者 赛小锋 高鸿楷 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第8期921-924,共4页
采用自制的低压金属有机化学汽相淀积LP MOCVD设备 ,在Ge衬底 (10 0 )面向 (111)偏9°外延生长出GaAs电池结构 ,对电池材料进行了X射线衍射分析 另外 ,对由此材料制成的太阳电池进行了性能测试 ,测试结果表明 ,Ge衬底的高温处理工... 采用自制的低压金属有机化学汽相淀积LP MOCVD设备 ,在Ge衬底 (10 0 )面向 (111)偏9°外延生长出GaAs电池结构 ,对电池材料进行了X射线衍射分析 另外 ,对由此材料制成的太阳电池进行了性能测试 ,测试结果表明 ,Ge衬底的高温处理工艺对GaAs/Ge太阳电池的电流电压特性有一定的影响 试验表明 ,在 6 0 0~ 70 0℃之间高温处理效果较好 。 展开更多
关键词 lp-mocvd GAAS/GE 太阳电池
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