α-C∶H膜化学结构对光学性能的影响

选用体积分数为99.9999%的H2及反式-2-丁烯(T2B)为工作气体,利用低压等离子体增强化学气相沉积法制备了α-C∶H薄膜。利用傅里叶变换红外光谱仪和X射线光电子能谱对薄膜化学键和电子结构进行分析,并结合高斯分峰拟合分析了薄膜中sp3/sp2杂化键比值和sp3C杂化键分数。结果表明:薄膜中氢含量较高,主要以sp3C—H形式存在;工作气压越高,制备的薄膜中C=C键含量越少,薄膜中sp3/sp2杂化键比值和sp3C杂化键分数增加,薄膜稳定性提高。应用UV-VIS光谱仪,获得了波长在400～1000nm范围内薄膜的光吸收特性,结果显示:α-C∶H薄膜透过率可达98%。光学常数公式计算得到工作压强为4～14Pa时光学带隙在2.66～2.76之间,并均随着工作气压的升高而增大。结果表明,随工作气压的升高,薄膜内sp3键减小,从而促使透过率、光学带隙增大。

硅掺杂辉光放电聚合物薄膜的成分结构分析

以H2、反式二丁烯（T2B）和四甲基硅烷（TMS）混合气体为工作气体，在不同TMS流量条件下，用低压等离子体增强化学气相沉积法制备了Si掺杂辉光放电聚合物（GDP）薄膜。采用傅里叶变换红外光谱表征了不同TMS流量下Si掺杂GDP薄膜的化学组成结构。X射线光电子能谱表征了Si掺杂GDP薄膜成分，分析了TMS流量对Si掺杂GDP薄膜化学结构与元素组成的影响。研究表明：薄膜中成功地掺入了Si元素；Si掺杂GDP薄膜中Si元素主要以Si—C，Si—H等键合形式存在；在TMS流量为0．5～2mL／min（标准状态）的范围内，薄膜中Si的原子浓度为0．72％～1．35％；随着TMS流量的逐渐增加，薄膜中Si含量逐渐增大。