后退火处理对La_2Ti_2O_7薄膜结构和介电物理性质的影响（英文）

采用脉冲激光沉积镀膜技术在Si(100)衬底上生长了La_2Ti_2O_7栅介质薄膜.通过X射线衍射、原子力显微及同步辐射红外透射光谱技术探索了不同温度下的后退火处理对薄膜结构及介电性能产生的影响.结果表明,未经退火处理的La_2Ti_2O_7薄膜为非晶态,退火后薄膜结晶形成单斜结构.红外谱表明退火处理能够显著增加薄膜介电常数.沉积的非晶态薄膜具有较低的介电常数是因为损失了一些声子振动模式,尤其在低波数段损失的更加明显.实验结果说明后退火处理对La_2Ti_2O_7薄膜的介电性能有非常重要的影响.