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题名大束流离子注入机能量污染的研究
被引量:1
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作者
陈林
刘晓芝
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机构
电子部第四十八研究所
长沙大学物理系
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出处
《半导体情报》
1998年第4期52-55,共4页
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文摘
能够精确控制离子注入的能量从而控制掺杂的深度是离子注入机的重要特征。本文讨论了大束流离子注入机能量污染,产生的原因及降低能量污染的方法。
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关键词
大束流
离子注入机
能量污染
半导体器件
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Keywords
large beam ion implanter Energy contamination
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分类号
TN305.3
[电子电信—物理电子学]
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题名离子注入技术现状与发展趋势
被引量:2
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作者
本刊编辑部
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出处
《电子工业专用设备》
2009年第10期1-8,共8页
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文摘
离子注入制程已成为器件设计的最前端工作,现在更被视为实现32nm和22nm晶体管制程的推动要素。器件漏电流、浅结面制作,器件尺寸缩小,以及急速增加成本的挑战,正在限制摩尔定律的延伸。针对32nm节点离子注入制程器件的工艺要求,介绍了离子注入设备的发展方向。
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关键词
32
nm节点器件
漏电流控制
超浅结注入
大束流低能注入
单晶片注入
机械扫描
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Keywords
32 nm Node Devices
Drain Current Control
Ultra-Shallow Junction implantation
large beam low-energy implantation
Single-Chip implantation
Mechanical Scanning
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分类号
TN305.3
[电子电信—物理电子学]
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题名大角度离子注入机的束纯度控制
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作者
王迪平
孙勇
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机构
中国电子科技集团公司第四十八研究所
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出处
《电子工业专用设备》
2011年第1期21-23,共3页
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文摘
从大角度离子注入机束线系统设计上的改进出发,对加/减速模式和多电荷注入等情况下的束能量纯度控制进行了阐叙,同时依靠大量的实验,从SIMS的实验数据来验证控制设计的合理性和有效性。
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关键词
大角度离子注入机
加/减速
多电荷
束线系统
束能量纯度
二次离子质谱分析仪(SIMS)
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Keywords
large tilt ion implanter
Accel/decel
Multiply charged
beamline system
beam energy purity
Secondary-ion mass spectrometry(SIMS)
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分类号
TN305.3
[电子电信—物理电子学]
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