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MALDI-TOF-MS法对重组人内皮抑素蛋白分子质量测定
1
作者
季怡萍
夏敏
王群
《分析测试学报》
CAS
CSCD
北大核心
2004年第z1期3-4,共2页
肿瘤的生长依赖于血管的生成,新生血管不仅为肿瘤生长提供必需的营养物质,而且为肿瘤细胞扩散提供了重要的途径[1].1997年哈佛大学的O'Reilly等[2]发现了一种内源性新血管生成抑制因子内皮抑素(Endostatin),显示出特异抑制激活...
肿瘤的生长依赖于血管的生成,新生血管不仅为肿瘤生长提供必需的营养物质,而且为肿瘤细胞扩散提供了重要的途径[1].1997年哈佛大学的O'Reilly等[2]发现了一种内源性新血管生成抑制因子内皮抑素(Endostatin),显示出特异抑制激活的血管内皮细胞增殖和肿瘤新血管生成的生物学活性,其抗肿瘤作用具有高效、低毒、无耐药性的优点.……
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关键词
Matrix
assisted
laser
desorption
ionization
time
-
of
-
flight
mass
spectrometry
(MALDI
-
TOF
-
MS)
Recombinant
human
endostatin
protein
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职称材料
纳米压印技术进展及应用
被引量:
10
2
作者
罗康
段智勇
《电子工艺技术》
2009年第5期253-257,共5页
半导体加工几十年里一直采用光学光刻技术实现图形转移,最先进的浸润式光学光刻在45 nm节点已经形成产能,然而,由于光学光刻技术固有的限制,已难以满足半导体产业继续沿着摩尔定律快速发展。在下一代图形转移技术中,电子束直写、X射线...
半导体加工几十年里一直采用光学光刻技术实现图形转移,最先进的浸润式光学光刻在45 nm节点已经形成产能,然而,由于光学光刻技术固有的限制,已难以满足半导体产业继续沿着摩尔定律快速发展。在下一代图形转移技术中,电子束直写、X射线曝光和纳米压印技术占有重要地位。其中纳米压印技术具有产量高、成本低和工艺简单的优点,是纳米尺寸电子器件的重要制作技术。介绍了传统纳米压印技术以及纳米压印技术的新进展,如热塑纳米压印技术、紫外固化纳米压印技术、微接触纳米压印技术、气压辅助纳米压印技术、激光辅助压印技术、静电辅助纳米压印技术、超声辅助纳米压印技术和滚轴式纳米压印技术等。
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关键词
纳米压印
气压辅助压印
激光辅助压印
滚轴式压印
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职称材料
表面等离子体无掩膜干涉光刻系统的数值分析(英文)
被引量:
5
3
作者
董启明
郭小伟
《光子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012年第5期558-564,共7页
表面等离子体激元具有近场增强效应,可以代替光子作为曝光源形成纳米级特征尺寸的图像.本文数值分析了棱镜辅助表面等离子体干涉系统的参量空间,并给出了计算原理和方法.结果表明,适当地选择高折射率棱镜、低银层厚度、入射波长和光刻...
表面等离子体激元具有近场增强效应,可以代替光子作为曝光源形成纳米级特征尺寸的图像.本文数值分析了棱镜辅助表面等离子体干涉系统的参量空间,并给出了计算原理和方法.结果表明,适当地选择高折射率棱镜、低银层厚度、入射波长和光刻胶折射率,可以获得高曝光度、高对比度的干涉图像.入射波长为431nm时,选择40nm厚的银层,曝光深度可达200nm,条纹周期为110nm.数值分析结果为实验的安排提供了理论支持.
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关键词
干涉光刻
表面等离子体激元
克莱舒曼结构
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职称材料
题名
MALDI-TOF-MS法对重组人内皮抑素蛋白分子质量测定
1
作者
季怡萍
夏敏
王群
机构
中国科学院长春应用化学研究所
北京市理化分析测试中心
出处
《分析测试学报》
CAS
CSCD
北大核心
2004年第z1期3-4,共2页
文摘
肿瘤的生长依赖于血管的生成,新生血管不仅为肿瘤生长提供必需的营养物质,而且为肿瘤细胞扩散提供了重要的途径[1].1997年哈佛大学的O'Reilly等[2]发现了一种内源性新血管生成抑制因子内皮抑素(Endostatin),显示出特异抑制激活的血管内皮细胞增殖和肿瘤新血管生成的生物学活性,其抗肿瘤作用具有高效、低毒、无耐药性的优点.……
关键词
Matrix
assisted
laser
desorption
ionization
time
-
of
-
flight
mass
spectrometry
(MALDI
-
TOF
-
MS)
Recombinant
human
endostatin
protein
Keywords
Matrix
assisted
laser
desorption ionization time
-
of
-
flight mass spectrometry (MALDI
-
TOF
-
MS)
Recombinant human endostatin protein
分类号
O657-55 [理学—分析化学]
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职称材料
题名
纳米压印技术进展及应用
被引量:
10
2
作者
罗康
段智勇
机构
郑州大学
出处
《电子工艺技术》
2009年第5期253-257,共5页
基金
河南省教育厅自然科学基金项目(项目编号:NO.2009A140008)
文摘
半导体加工几十年里一直采用光学光刻技术实现图形转移,最先进的浸润式光学光刻在45 nm节点已经形成产能,然而,由于光学光刻技术固有的限制,已难以满足半导体产业继续沿着摩尔定律快速发展。在下一代图形转移技术中,电子束直写、X射线曝光和纳米压印技术占有重要地位。其中纳米压印技术具有产量高、成本低和工艺简单的优点,是纳米尺寸电子器件的重要制作技术。介绍了传统纳米压印技术以及纳米压印技术的新进展,如热塑纳米压印技术、紫外固化纳米压印技术、微接触纳米压印技术、气压辅助纳米压印技术、激光辅助压印技术、静电辅助纳米压印技术、超声辅助纳米压印技术和滚轴式纳米压印技术等。
关键词
纳米压印
气压辅助压印
激光辅助压印
滚轴式压印
Keywords
nanoimprint
lithography
Pressure
-
assisted
nanoimprint
laser - assisted nanoimprint
Roller
-
type
nanoimprint
分类号
TN29 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
表面等离子体无掩膜干涉光刻系统的数值分析(英文)
被引量:
5
3
作者
董启明
郭小伟
机构
电子科技大学光电信息学院
出处
《光子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012年第5期558-564,共7页
基金
The National Natural Science Foundation of China(No.60906052)
文摘
表面等离子体激元具有近场增强效应,可以代替光子作为曝光源形成纳米级特征尺寸的图像.本文数值分析了棱镜辅助表面等离子体干涉系统的参量空间,并给出了计算原理和方法.结果表明,适当地选择高折射率棱镜、低银层厚度、入射波长和光刻胶折射率,可以获得高曝光度、高对比度的干涉图像.入射波长为431nm时,选择40nm厚的银层,曝光深度可达200nm,条纹周期为110nm.数值分析结果为实验的安排提供了理论支持.
关键词
干涉光刻
表面等离子体激元
克莱舒曼结构
Keywords
Interference lithography
Surface plasmon plortiton
Kretschmann structureCLCN: TN305.7 Document Code:A Article ID:1004
-
4213(2012)05
-
0558
-
70 IntroductionThere is a growing interest in exploring new nanolithography techniques with high efficiency,low cost and large
-
area fabrication to fabricate nanoscale devices for nanotechnology applications.Conventional photolithography has remained a useful microfabrication technology because of its ease of repetition and suitability for large
-
area fabrication[1].The diffraction limit,however,restricts the fabrication scale of photolithography[2].Potential solutions that have actually been pursued require increasingly shorter illumination wavelengths for replicating smaller structures.It is becoming more difficult and complicated to use the short optical wavelengths to reach the desired feature sizes.Other methods such as electron beam lithography[3],ion beam lithography[4],scanning probe lithography[5],
nanoimprint
lithography(NIL)[6],and evanescent near
-
field optical lithography(ENFOL)[7] have been developed in order to achieve nanometer
-
scale features.As we know,the former three techniques need scanning and accordingly are highly inefficient.In NIL,the leveling of the imprint template and the substrate during the printing process,which determines the uniformity of the imprint result,is a challenging issue of this method.ENFOL have the potential to produce subwavelength structures with high efficiency,but it encounters the fact that the evanescent field decays rapidly through the aperture,thus attenuating the transmission intensity at the exit plane and limiting the exposure distance to the scale of a few tens of nanometers from the mask.In recent years,the use of surface
-
plasmon polaritons(SPPs) instead of photons as an exposure source was rapidly developed to fabricate nanoscale structures.SPPs are characterized by its near field enhancement so that SPP
-
based lithography can greatly extend exposure depth and improve pattern contrast.Grating
-
assisted
SPP interference,such as SPP resonant interference nanolithography[8] and SPP
-
assisted
interference nanolithography[9],achieved a sub
-
100nm interference pattern.The techniques,however,are necessary to fabricate a metal grating with a very fine period and only suitable for small
-
area interference.To avoid the fabrication of the metal grating,a prism
-
based SPP maskless interference lithography was proposed in 2006,which promises good lithography performance.The approach offers potential to achieve sub
-
65nm and even sub
-
32nm feature sizes.However,the structure parameters are always not ideal in a real system.One wants to know how much influence the parameter variations have on the pattern resolution and what variations of the parameters are allowed to obtain an effective interference.Thus,it is necessary to explore the parameter spaces.1 SPP maskless interference lithography systemThe SPP maskless interference lithography system is shown in Fig.1.A p
-
polarized
laser
is divided into two beams by a grating splitter,and then goes into the prism
-
based multilayer system.Under a given condition,the metal film can exhibit collective electron oscillations known as SPPs which are charge density waves that are characterized by intense electromagnetic fields confined to the metallic surface.If the metal layer Fig.1 Schematic for SPP maskless interference lithography systemis sufficiently thin,plasma waves at both metal interfaces are coupled,resulting in symmetric and antisymmetric SPPs.When the thickness h of metal film,dielectric constant ε1,ε2,ε3 of medium above,inside,below the metal film are specified,the coupling equation is shown as followstanh(S2h)(ε1ε3S22+ε22S1S3)+(ε1ε2S2S3+ε2ε3S1S2)=0
分类号
TN305.7 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
MALDI-TOF-MS法对重组人内皮抑素蛋白分子质量测定
季怡萍
夏敏
王群
《分析测试学报》
CAS
CSCD
北大核心
2004
0
下载PDF
职称材料
2
纳米压印技术进展及应用
罗康
段智勇
《电子工艺技术》
2009
10
下载PDF
职称材料
3
表面等离子体无掩膜干涉光刻系统的数值分析(英文)
董启明
郭小伟
《光子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012
5
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职称材料
已选择
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参考文献
引证文献
统计分析
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