基于纳米金荧光猝灭体系的汗潜指纹示踪研究

本文构建了一种新的汗潜指纹示踪技术,该技术将纳米金与荧光素在合适条件下混合,形成稳定的纳米金-荧光素猝灭体系。该体系基于纳米金荧光与目标指纹结合后,由于纳米金与指纹中的Cl-结合从而在目标指纹处恢复荧光显现出指纹轮廓。通过在不同类型的材料上进行效果检验。发现在非渗透性材料、渗透性材料、高聚物材料中纳米金荧光猝灭体系对于汗潜指纹均有较为良好的示踪效果。

复制状态下EB病毒对宿主细胞中ZEB1基因表达的影响

目的:探究EB病毒(EBV)在潜伏感染和裂解复制状态下对ZEB1、ZEB2、ZEB1-AS1基因表达的影响。方法:将EBV相关癌细胞系Raji、SNU-719、AGS分为实验组(TPA及Na B诱导EBV)和对照组(加入等体积DMSO),将稳定表达p LVshRNA-EGFP-EBVsponge的SNU-719细胞系设为sponge组,未经转染RNA sponge的SNU-719细胞系设为control组(2组细胞均使用TPA及Na B进行诱导),TPA及Na B处理48 h后提取细胞总RNA进行RT-PCR,从mRNA水平检测ZEB1、ZEB2及ZEB1-AS1基因的表达。结果:与对照组相比,EBV复制期间,在Raji、SNU-719、AGS细胞中ZEB1 mRNA表达量显著升高(P<0.05),ZEB1-AS1 mRNA的表达量仅在AGS细胞中显著降低(P<0.05),在SNU-719和AGS细胞中未检测到ZEB2的表达;稳定表达p LVshRNA-EGFPEBVsponge的SNU-719细胞比未转染RNA sponge的SNU-719细胞,ZEB1表达量明显降低(P<0.05)。结论:EBV依靠自身编码的miRNA在复制期间促进ZEB1的表达,同时也对ZEB1-AS1有抑制作用。

断指再植患者创伤后应激障碍的潜在剖面分析及影响因素研究

目的探讨断指再植患者创伤后应激障碍(PTSD)的潜在分型, 并分析不同PTSD分型的影响因素。方法 2022年1月-2023年12月, 采用方便抽样法选取在浙江省台州医院手足外科接受断指再植的335例患者为研究对象。采用一般资料调查表、创伤后应激障碍量表-平民版、事件相关性反刍性沉思量表、中文版领悟社会支持量表和艾森克人格问卷简式量表进行调查。采用潜在剖面分析探讨断指再植患者PTSD的潜在类别, 并采用有序Logistic回归分析探究断指再植患者PTSD分型的影响因素。结果共发放问卷335份, 回收有效问卷328份, 有效回收率为97.91%。潜在剖面分析结果显示, 328例断指再植患者PTSD可分为3个潜类别:低创伤后应激障碍-高回避型(n=67, 占20.43%)、中创伤后应激障碍-高警觉型(n=178, 占54.27%)、高创伤后应激障碍-高警觉型(n=83, 占25.30%)。不同分型的断肢再植患者断指数量、术后血管危象发生情况、反刍性沉思、领悟社会支持和人格特质得分差异均有统计学意义(P<0.05)。以低创伤后应激障碍-高回避型为参照, 有序Logistic回归分析显示, 侵入性反刍、目的性反刍、人格类型(内外向性、神经质、精神质)是中创伤后应激障碍-高警觉型潜在剖面的影响因素(P<0.05);断指数量、术后发生血管危象、侵入性反刍、目的性反刍、领悟社会支持、人格类型(内外向性、神经质、精神质)是高创伤后应激障碍-高警觉型潜在剖面的影响因素(P<0.05)。结论断指再植患者PTSD存在明显的群体异质性, 可分为"低创伤后应激障碍-高回避型""中创伤后应激障碍-高警觉型""高创伤后应激障碍-高警觉型"。护理人员应结合断指数量、术后是否发生血管危象、反刍性沉思水平、人格类型等影响因素早期进行针对性干预, 预防和改善PTSD发生。