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高质量LiGaO2晶体的提拉法生长及表征
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作者 黄涛华 周圣明 +2 位作者 滕浩 林辉 王军 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第3期524-527,523,共5页
采用提拉法成功地生长了高质量的LiGaO2单晶体,生长过程中没有观察到挥发现象。通过四晶X射线衍射、化学腐蚀、光学显微、透过光谱以及原子力显微镜对晶体的质量进行了表征。结果表明:晶体中无包裹物及气泡,具有很高的质量,(001)面晶片... 采用提拉法成功地生长了高质量的LiGaO2单晶体,生长过程中没有观察到挥发现象。通过四晶X射线衍射、化学腐蚀、光学显微、透过光谱以及原子力显微镜对晶体的质量进行了表征。结果表明:晶体中无包裹物及气泡,具有很高的质量,(001)面晶片的摇摆曲线半高宽仅为16.2arcsec,正交的(001)、(100)及(010)三个晶面具有不同的腐蚀形貌,其位错密度均低于104/cm2;LiGaO2晶体的吸收边约为220nm;化学机械抛光后的晶片表面非常光滑,其均方根粗糙度仅为0.1nm(5×5μm2)。 展开更多
关键词 提拉法 ligao2 化学腐蚀 透过光谱 AFM
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LiGaO2晶体的压电特性和缺陷的X射线貌相研究
2
作者 徐科 田玉莲 《北京同步辐射装置年报》 1998年第1期45-47,共3页
关键词 ligao2晶体 压电特性 缺陷 X射线貌相研究 结构 位错
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GaN外延衬底材料LiGaO2晶体的生长缺陷
3
作者 徐科 田玉莲 《北京同步辐射装置年报》 1998年第1期36-39,共4页
LiGaO2与GaN的晶格失配率只有0.2%,是一很有潜力的蓝光衬底材料。本文利用化学侵蚀、光学显微镜、透射电子显微镜对晶体中的缺陷进行了分析,研究了生长参数、原料化学配比对晶体质量的影响及其和晶体中缺陷形成的关系。TEM分析表明... LiGaO2与GaN的晶格失配率只有0.2%,是一很有潜力的蓝光衬底材料。本文利用化学侵蚀、光学显微镜、透射电子显微镜对晶体中的缺陷进行了分析,研究了生长参数、原料化学配比对晶体质量的影响及其和晶体中缺陷形成的关系。TEM分析表明,由于原料近非化学计量比挥发致使组份偏离,容易产生γ-Ga2O3包裹物。包裹物和位错形成具有一定的相互促进作用。X射线貌相分析发现提拉法生长LiGaO2晶体中易于形成平行于(001)面的亚晶界,这可能和其沿[001]方向的极性有关。 展开更多
关键词 GAN 外延衬底材料 ligao2晶体 X射线貌相术 氮化镓 TEM 外延生长
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LiGaO2单晶生长
4
作者 晓予 《电子材料快报》 1998年第5期10-11,共2页
关键词 ligao2 单晶 氮化镓 外延生长 薄膜
全文增补中
LiGaO2衬底上ZnO外延膜的结构与光学特性 被引量:8
5
作者 黄涛华 周圣明 +2 位作者 滕浩 林辉 王军 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第7期1420-1424,共5页
采用磁控溅射法在(001)、(100)及(010)LiGaO2衬底上制备了ZnO薄膜,通过X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)、透过光谱以及光致发光谱(PL)对薄膜的结构、形貌及光学性质进行了表征。结果表明LiGaO2衬底不同晶面上制备的ZnO薄膜具有不同... 采用磁控溅射法在(001)、(100)及(010)LiGaO2衬底上制备了ZnO薄膜,通过X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)、透过光谱以及光致发光谱(PL)对薄膜的结构、形貌及光学性质进行了表征。结果表明LiGaO2衬底不同晶面上制备的ZnO薄膜具有不同的择优取向,在(001)(、100)及(010)LiGaO2上分别获得了[0001][、1100]及[1120]取向的ZnO薄膜;不同取向的ZnO薄膜表面形貌差异较大;薄膜在可见光波段具有较高的透过率;在ZnO薄膜的光致发光谱中只观察到了位于378 nm的紫外发射峰,而深能级发射几乎观察不到,(1100)取向的薄膜紫外发射峰强度最大,半高宽也最小,薄膜光致发光性质的差异主要和晶粒尺寸有关。 展开更多
关键词 薄膜光学 半导体材料 ZNO薄膜 磁控溅射 ligao2 光致发光谱
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用MOCVD法在LiGaO_2(001)上生长GaN的研究 被引量:2
6
作者 杨卫桥 干福熹 +3 位作者 邓佩珍 徐军 李抒智 张荣 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2003年第1期215-219,共5页
LiGaO2单晶是目前所知的GaN最为理想的衬底材料,本研究用金属有机物气相沉积法(MOCVD)在LiGaO2(001)衬底上进行了外延生长GaN膜的试验,生长出了表面较为平整的GaN外延膜.应用原子力显微镜(AFM)、X射线粉末衍射(XRD)和高分辨X射线双晶衍... LiGaO2单晶是目前所知的GaN最为理想的衬底材料,本研究用金属有机物气相沉积法(MOCVD)在LiGaO2(001)衬底上进行了外延生长GaN膜的试验,生长出了表面较为平整的GaN外延膜.应用原子力显微镜(AFM)、X射线粉末衍射(XRD)和高分辨X射线双晶衍射分别对衬底对外延膜和衬底材料进行了分析测试.结果表明,用MOCVD法可以在LiGaO2(001)衬底上生长出较高质量的无掺杂GaN(0001)外延膜.但由于MOCVD法是在高温还原气氛中生长GaN外延膜的,LiGaO2在这种气氛中不够稳定,实验发现衬底材料在生长过程中部分样品发生开裂,但没有发生相变. 展开更多
关键词 GAN ligao2 MOCVD法 半导体材料 氮化镓 金属有机物气相沉积 外延薄膜 外延生长
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不同氧化物衬底上高质量GaN薄膜的外延生长
7
作者 李国强 管云芳 高芳亮 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2013年第10期721-728,共8页
通过对比蓝宝石(Al2O3),SiC,Si,ZnO衬底与三种非常规氧化物衬底即LiGaO2,MgAl2O4和LaAlO3衬底上外延生长GaN薄膜的优缺点,指出了在这几种氧化物衬底上生长GaN薄膜所具有的独特优势;针对氧化物衬底上生长GaN薄膜的问题,提出了相应的解决... 通过对比蓝宝石(Al2O3),SiC,Si,ZnO衬底与三种非常规氧化物衬底即LiGaO2,MgAl2O4和LaAlO3衬底上外延生长GaN薄膜的优缺点,指出了在这几种氧化物衬底上生长GaN薄膜所具有的独特优势;针对氧化物衬底上生长GaN薄膜的问题,提出了相应的解决方法,进而明确指出了研究非常规氧化物衬底的重要意义。在此基础上,详细介绍了在三种氧化物衬底上生长高质量GaN薄膜的方法及研究进展,为高晶体质量GaN薄膜的生长及Ⅲ族氮化物半导体器件的应用研究、特别是基于非常规氧化物衬底的研究起到很好的指导意义。 展开更多
关键词 氧化物衬底 ligao2 MGAL2O4 LAALO3 GAN薄膜
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GaN 用衬底材料 LiGaO_2 晶体超精密抛光的初步实验 被引量:3
8
作者 谢伦 高宏刚 +3 位作者 陈斌 曹健林 王建明 刘琳 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 1997年第5期57-62,共6页
主要介绍了作为发光半导体GaN衬底材料的LiGaO2单晶超精密抛光方法及初步结果。利用聚氨酯抛光盘配合SiO2悬浮液,采用机械化学抛光方法,已加工出表面粗糙度优于0.1mm,的超光滑表面。
关键词 超精密抛光 表面粗糙度 ligao2 晶体 氮化镓
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新型衬底晶体LiGaO_2的生长和结晶性质研究
9
作者 黄为民 徐军 +2 位作者 吴光照 邓佩珍 干福熹 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第1期84-86,共3页
新型衬底晶体LiGaO2的生长和结晶性质研究黄为民徐军吴光照邓佩珍干福熹(中国科学院上海光学精密机械研究所,上海201800)关键词衬底,LiGaO2氮化物长期以来被看作是在蓝光及紫外波段光电子应用中最有希望的材料[... 新型衬底晶体LiGaO2的生长和结晶性质研究黄为民徐军吴光照邓佩珍干福熹(中国科学院上海光学精密机械研究所,上海201800)关键词衬底,LiGaO2氮化物长期以来被看作是在蓝光及紫外波段光电子应用中最有希望的材料[1].但在改进材料质量方面最大的困... 展开更多
关键词 衬底 ligao2 光电子材料 结晶
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Spectra Analysis of a Novel Ti-Doped LiAlO2 Single Crystal 被引量:5
10
作者 邹军 周圣明 +3 位作者 李杨 王军 张连翰 徐军 《Chinese Physics Letters》 SCIE CAS CSCD 2005年第10期2622-2625,共4页
LiAlO2 single crvstals doped with Ti at concentration 0.2at.% are grown by the Czochralskl technique with dimensions φ42×55mm. Ti ions in the crystal are quadrivalence proven by comparing the absorption and fluo... LiAlO2 single crvstals doped with Ti at concentration 0.2at.% are grown by the Czochralskl technique with dimensions φ42×55mm. Ti ions in the crystal are quadrivalence proven by comparing the absorption and fluorescence spectra of pure LiAlO2 and Ti: LiAlO2. After air and Li-rich atmosphere annealing, the absorption peaks in the range of 600-800nm disappear. We conclude that 682 and 756nm absorption peaks are attributed to the VLi and Vo absorptions, respectively: The peaks at 716nm and 798nm may stem from the VLi^+ and absorptions. The colour-centre model can be applied to explain the experimental phenomena. Ti^4+-doping produces more lithium vacancies in the LiAlO2 crystal. The intensities of [LiO4] and the associated bonds remain unchanged, which improves the anti-hydrolyzation and thermal stability of LiAlO2 crystals. 展开更多
关键词 M-PLANE GAN(1(1)OVER-BAR-00) NITRIDE SEMICONDUCTORS FREE ELECTROSTATICFIELDS GAN FILMS GROWTH GAMMA-LIALO2(100) DEPOSITION ALUMINATE ligao2
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化学气相沉积法于镓酸锂基板生长氧化锌薄膜的研究 被引量:4
11
作者 李雪莲 付永胜 《无机盐工业》 CAS 北大核心 2017年第9期11-16,共6页
研究了利用化学气相沉积法在镓酸锂(001)基板上生长氧化锌薄膜,探讨了生长温度、生长压力、生长时间对薄膜结构与特性的影响,以期寻找出生长高品质氧化锌(0002)薄膜的最佳条件。研究结果表明,在氧气与氮气流量比为600/400、生长压力为6.... 研究了利用化学气相沉积法在镓酸锂(001)基板上生长氧化锌薄膜,探讨了生长温度、生长压力、生长时间对薄膜结构与特性的影响,以期寻找出生长高品质氧化锌(0002)薄膜的最佳条件。研究结果表明,在氧气与氮气流量比为600/400、生长压力为6.67 k Pa、生长温度为550℃、生长时间为60 min条件下,于镓酸锂(001)基板上能够生长出高质量的氧化锌(0002)薄膜。 展开更多
关键词 氧化锌薄膜 镓酸锂 化学气相沉积 结晶品质 生长参数
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提拉法生长镓酸锂晶体及缺陷研究 被引量:1
12
作者 刘世良 周圣明 +1 位作者 王银珍 徐军 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第5期988-991,共4页
研究了提拉法生长的镓酸锂单晶的生长习性和结晶质量。晶体表面呈乳白色且表面粗糙。通过光学显微镜、四晶X射线衍射、透射光谱和电感耦合等离子体发射光谱对样品进行了表征,结果表明,在(001)面的抛光样品上存在三种缺陷:[110]和[-110]... 研究了提拉法生长的镓酸锂单晶的生长习性和结晶质量。晶体表面呈乳白色且表面粗糙。通过光学显微镜、四晶X射线衍射、透射光谱和电感耦合等离子体发射光谱对样品进行了表征,结果表明,在(001)面的抛光样品上存在三种缺陷:[110]和[-110]方向的十字线、[010]方向排列的气泡包裹物以及平行于(010)面的界面,界面的产生起因于(010)晶面的滑移;晶体的结晶质量从顶部到底部逐渐下降,这是由于在生长过程中氧化锂的挥发导致熔体成分偏离化学计量比造成的。 展开更多
关键词 单晶 镓酸锂 提拉法 衬底
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Temperature dependent phonon modes and ionicity of LiGaO_2 single crystal
13
作者 马继云 方煦 +4 位作者 M. Kamran 赵华英 毕聪志 赵柏儒 邱祥冈 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2008年第9期3313-3317,共5页
This paper reports that polarized far-infrared reflectivity measurements have been done on LiGaO2 single crystal along two crystalline taxes at different temperatures. The temperature dependent frequencies of the long... This paper reports that polarized far-infrared reflectivity measurements have been done on LiGaO2 single crystal along two crystalline taxes at different temperatures. The temperature dependent frequencies of the longitudinal and transverse optical phonon have been obtained from the real part of optical conductivity and the loss function respectively. A small Drude component is observed at frequency below 300 cm^-1 which could arise from Li ions or oxygen deficiencies. The ionicity of LiGaO2 has been studied from the analysis of the Born effective charge of different ions. 展开更多
关键词 INFRARED optical conductivity ligao2 single crystal PHONON
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用于测纯剪切信号的压电晶体
14
作者 李俊玲 卢芳云 +1 位作者 陈荣 赵鹏铎 《试验技术与试验机》 2007年第4期61-65,77,共6页
为了解决高应变率条件下剪切测试的困难,拟利用压电晶体作为剪应力的传感器。综合比较了能产生理想的纯振动模式的特殊晶体的各项参数和性质,然后对镓酸锂和钛酸钡晶体的纯模方向进行了计算验证。考虑到与霍普金森压剪杆(SHPSB)的铝杆... 为了解决高应变率条件下剪切测试的困难,拟利用压电晶体作为剪应力的传感器。综合比较了能产生理想的纯振动模式的特殊晶体的各项参数和性质,然后对镓酸锂和钛酸钡晶体的纯模方向进行了计算验证。考虑到与霍普金森压剪杆(SHPSB)的铝杆的阻抗匹配问题,计算了晶体中压缩波传播波阻抗。研究结果表明镓酸锂和钛酸钡晶体能满足SHPSB实验对剪应力计的要求,单独测出剪切信号,这将大大提高实验装置的性能。 展开更多
关键词 固体力学 剪应力计 纯模 镓酸锂 钛酸钡
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GaN外延衬底LiGaO_2晶体的生长和缺陷 被引量:4
15
作者 徐科 徐军 +2 位作者 周国清 董俊 邓佩珍 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第4期499-502,共4页
LiGaO2与GaN的晶格失配率只有0.2%,是一种很有潜力的蓝光衬底材料。通过多次实验,用提拉法生长了尺寸为15×60mm的高质量LiGaO2单晶。利用化学侵蚀、光学显微镜、透射电子显微镜对晶体中的缺陷进行了... LiGaO2与GaN的晶格失配率只有0.2%,是一种很有潜力的蓝光衬底材料。通过多次实验,用提拉法生长了尺寸为15×60mm的高质量LiGaO2单晶。利用化学侵蚀、光学显微镜、透射电子显微镜对晶体中的缺陷进行了分析,研究了生长参数、原料化学配比对晶体质量的影响。LiGaO2晶体在〈100〉方向生长速率最快,在〈001〉方向上生长较慢。由于原料按非化学计量比挥发致使组份偏离,容易产生γ-Ga2O3包裹物。包裹物和位错的形成具有一定的相互促进作用,往往形成平行于(001)面的亚晶界。通过调整原料配比、生长工艺参数可克服上述问题。 展开更多
关键词 ligao2 晶体生长 外延衬底 GAN 缺陷
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GaN衬底材料LiGaO_2晶体的温度梯度法生长及分析 被引量:2
16
作者 杨卫桥 干福熹 +4 位作者 邓佩珍 周永宗 徐军 李抒智 蒋成勇 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第6期761-764,共4页
以温度梯度法生长LiGaO2 晶体 ,通过形貌观察、X射线衍射分析和X射线光电子能谱分析确认在样品的中部形成了单一相的LiGaO2 晶体。但在生长过程中由于CO气体的存在 ,熔体表面形成了LiO 和金属态的Ga,钼坩埚被侵蚀形成Li2 MoO4 进入熔体 ... 以温度梯度法生长LiGaO2 晶体 ,通过形貌观察、X射线衍射分析和X射线光电子能谱分析确认在样品的中部形成了单一相的LiGaO2 晶体。但在生长过程中由于CO气体的存在 ,熔体表面形成了LiO 和金属态的Ga,钼坩埚被侵蚀形成Li2 MoO4 进入熔体 ,使样品上下两部分的结晶质量变差。 展开更多
关键词 衬底材料 ligao2晶体 GAN 温度梯度法 氮化镓 晶体生长 晶体分析 锂镓氧化物
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气相传输平衡技术制备LiGaO_2薄膜
17
作者 张俊刚 夏长泰 +7 位作者 吴锋 裴广庆 李抒智 徐军 周圣明 邓群 徐悟生 史宏声 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第9期1424-1428,共5页
为获得与GaN薄膜晶格失配小的衬底材料,报道了利用气相传输平衡技术(VTE)在(100)-βGa2O3单晶衬底上制备高度[001]取向LiGaO2薄膜的方法。经过X射线衍射分析表明得到的薄膜是由单相LiGaO2组成。利用扫描电镜(SEM)观察表面形貌,发现经气... 为获得与GaN薄膜晶格失配小的衬底材料,报道了利用气相传输平衡技术(VTE)在(100)-βGa2O3单晶衬底上制备高度[001]取向LiGaO2薄膜的方法。经过X射线衍射分析表明得到的薄膜是由单相LiGaO2组成。利用扫描电镜(SEM)观察表面形貌,发现经气相传输平衡技术处理得到的薄膜表面形貌主要受温度的影响,表面晶粒尺寸随温度上升而增大。而X射线衍射测试表明随着温度上升,所得到的薄膜也从多晶向单晶化转变。在经过退火处理后,通过观察吸收谱发现LiGaO2薄膜中产生色心,并且色心的种类与温度有关。表明可以通过气相传输平衡技术技术,在远低于LiGaO2熔点的温度制备外延GaN用(001)LiGaO2∥(100)β-Ga2O3复合衬底。 展开更多
关键词 薄膜光学 复合衬底 GaN外延膜 气相传输平衡技术 β-Ga2O3单晶 ligao2薄膜 色心
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衬底温度对非极性ZnO薄膜结晶性能和发光特性的影响
18
作者 贾婷婷 周圣明 +4 位作者 林辉 滕浩 侯肖瑞 王建峰 徐科 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第10期144-147,共4页
采用金属有机化学汽相沉积(MOCVD)设备在LiGaO2(100)衬底上制备了结晶性能良好的非极性ZnO薄膜。研究了衬底温度对ZnO薄膜结晶性能的影响。X射线衍射(XRD)分析结果表明在衬底温度为500℃时可以获得高质量的(1100)晶面取向的非极性ZnO薄... 采用金属有机化学汽相沉积(MOCVD)设备在LiGaO2(100)衬底上制备了结晶性能良好的非极性ZnO薄膜。研究了衬底温度对ZnO薄膜结晶性能的影响。X射线衍射(XRD)分析结果表明在衬底温度为500℃时可以获得高质量的(1100)晶面取向的非极性ZnO薄膜。采用原子力显微镜(AFM)观察ZnO薄膜的表面形貌及晶体尺寸,观察到500℃生长的ZnO薄膜表面更加平整,晶粒分布均匀,粗糙度均方根值(RMS)为0.626nm。光致发光(PL)光谱结果显示,ZnO薄膜的带边发光峰均位于375nm,但是在较低温度下(400℃)生长时黄光峰较强,说明低温生长时结晶性能较差,且缺陷较多。 展开更多
关键词 光学材料 ZNO薄膜 非极性半导体 ligao2 金属有机化学汽相沉积
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