LiIO_3晶体的受激拉曼散射

采用腔外单次通过方式,测量了LiIO3晶体在532 nm皮秒脉冲下的受激拉曼散射。实验中观察到3级斯托克斯线(556.07,582.30,611.76 nm)和1级反斯托克斯线(509.57 nm),由此可计算出其频率间隔为820 cm-1。测量了LiIO3晶体各级拉曼散射谱线的阈值和增益系数,受激拉曼散射的整体转换效率达到56%。基于LiIO3晶体实现了皮秒外腔式拉曼激光器的运转,双波长输出总转换效率为27%,最大输出能量1.4 mJ。

α-LiIO_3∶Ni^(2+)晶体中的Ni^(2+)-V_(Li)三角中心局域结构的研究

通过计算α LiIO3∶Ni2 + 晶体零场分裂D和 g因子 ,研究了掺杂Ni2 + 的α LiIO3晶体中Ni2 + VLi三角中心的局域结构 ,估算出Ni2 + 离子应向Li+ 空位 (VLi)位移ΔZ≈ 0 .2 5 ,以及VLi附近的氧离子应位移ΔX≈ 0 .14 9 .

空间低温溶液晶体生长的地基实验

首次使用疏水型聚四氟乙烯微孔滤膜,利用其透气不透水的特性,密封晶体生长容器,采用恒温蒸发法进行晶体生长.溶剂通过蒸发离开生长容器后,被生长容器外的吸附剂吸附,使得溶液维持一定过饱和度,以实现单晶的连续生长.在此基础上研制出一套空间低温溶液晶体生长地基模拟装置.利用此装置进行了一系列地基模拟实验,获得一批高质量α-LiIO_3单晶,证实了该生长装置的溶剂蒸发量和容器密封性能够满足空间低温溶液晶体生长需要,为未来空间低温溶液晶体生长实验奠定了基础.

LiIO_3倍频晶体相位匹配角θ_m和dθ_m(λ)/dλ参数的计算

倍频晶体相位匹配角θ_m及其波长系数dθ_m(λ)/dλ是晶体固有的特性,它是评价倍频晶体和设计倍频器件的重要参数。文献[1]已给出了计算dθ_m(λ)/dλ系数的近似方法,本文介绍一种计算LiIO_3晶体不同波长时θ_m和dθ_m(λ)/dλ系数的简便方法。