锑在硼砂溶液中阳极极化膜半导体性质的研究（续）

本工作利用白光电流和交流阻抗法研究了锑在０．０５ｎ１Ｏｌ·ｄｍ￣（－３）Ｎａ＿２Ｂ＿４Ｏ＿７＋、０．５ｍｏｌ·ｄｍ“Ｎａ２Ｓｏ４溶液中（ＰＨ一９．ｌ，３０Ｃ）于１．２ｖ（ｖＳ。ＳＣＥ）阳极形成膜的半导体性质。实验结果表明，该阳极膜是一种ｎ型半导体，其平带电位为一０．３６Ｖ，施主密度为２．８×ｌ０￣１８ｃｍ￣（－３）。讨论了锑增加对在硫酚溶液中形成的阳极ｐｂ（Ⅱ）氧化物膜生长的影响。

锑在弱碱溶液中阳极形成膜半导体性质的研究

采用交流阻抗和白光电流测量法 ,研究了锑在恒电位 1.2V(VS .SCE)于 0 .0 2 5mol.dm- 3Na2 CO3+0 .0 2 5mol.dm- 3Na2 HCO3+0 .50 0mol.dm- 3Na2 SO4 (PH =9.98,30℃ )缓冲溶液中阳极形成膜半导体性质。实验证明 ,该阳极氧化膜是一种n -型半导体 ,其平带电位Efb和施主密度ND 分别为- 0 .53V(VS .SCE)和 2 .86× 10 18cm- 3。