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用于T形栅光刻的新型移相掩模技术 被引量：2
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作者 韩安云 王育中 +5 位作者 王维军 张 倩 田振文 樊照田 陈宝钦 崔 铮 《微纳电子技术》 CAS 2002年第5期37-40,共4页
根据移相掩模基本原理,通过光刻工艺模拟提出了一种适于T形栅光刻的新型移相掩模技术——M-PEL。初步实验证明,M-PEL技术可在单层厚胶上经一次光刻形成理想的T形栅抗蚀剂形貌。
关键词 光学光刻 移相掩模 T形栅 m-pel
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