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水解法制备M-VO_2纳米粉体
被引量:
4
1
作者
杨修春
王胤博
+1 位作者
周石山
董琰峰
《建筑材料学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2010年第6期827-830,共4页
以VOSO_4和NH_4HCO_3为原料,采用水解沉淀法制备M-VO_2纳米粉体;借助TGA-DTA,XRD,IR和TEM等方法对VO_2形成机理进行了分析.结果表明:在226℃之前,VOSO_4的水解产物脱去物理吸附水,失重率达13.19%(质量分数),在226~415℃,脱去—OH基团,...
以VOSO_4和NH_4HCO_3为原料,采用水解沉淀法制备M-VO_2纳米粉体;借助TGA-DTA,XRD,IR和TEM等方法对VO_2形成机理进行了分析.结果表明:在226℃之前,VOSO_4的水解产物脱去物理吸附水,失重率达13.19%(质量分数),在226~415℃,脱去—OH基团,形成无定形VO_2;在DTA曲线上,375.7℃附近的放热峰为无定形VO_2向B-VO_2转变时的析晶峰;继续提高热处理温度和延长热处理时间,B-VO_2逐渐转变为M-VO_2.VO_2前躯体在氩气保护下500℃热处理3 h,即得到高纯度M-VO_2纳米粉体,其颗粒直径为25~80 nm,且大部分为单晶,相变温度为68℃.
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关键词
水解沉淀法
m-v
O_2
相变温度
下载PDF
职称材料
题名
水解法制备M-VO_2纳米粉体
被引量:
4
1
作者
杨修春
王胤博
周石山
董琰峰
机构
同济大学材料科学与工程学院
同济大学先进土木工程材料教育部重点实验室
出处
《建筑材料学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2010年第6期827-830,共4页
基金
上海市科委基础研究重点项目(08JC1419000)
文摘
以VOSO_4和NH_4HCO_3为原料,采用水解沉淀法制备M-VO_2纳米粉体;借助TGA-DTA,XRD,IR和TEM等方法对VO_2形成机理进行了分析.结果表明:在226℃之前,VOSO_4的水解产物脱去物理吸附水,失重率达13.19%(质量分数),在226~415℃,脱去—OH基团,形成无定形VO_2;在DTA曲线上,375.7℃附近的放热峰为无定形VO_2向B-VO_2转变时的析晶峰;继续提高热处理温度和延长热处理时间,B-VO_2逐渐转变为M-VO_2.VO_2前躯体在氩气保护下500℃热处理3 h,即得到高纯度M-VO_2纳米粉体,其颗粒直径为25~80 nm,且大部分为单晶,相变温度为68℃.
关键词
水解沉淀法
m-v
O_2
相变温度
Keywords
hydrolysis method
m-v02
phase transition temperature
分类号
TQ050.42 [化学工程]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
水解法制备M-VO_2纳米粉体
杨修春
王胤博
周石山
董琰峰
《建筑材料学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2010
4
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职称材料
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