MEH-PPV薄膜的光学参数计算

测量了由修正的Gilch方法制作的MEH -PPV薄膜的反射光谱,对于玻璃基底对反射谱的影响做了修正 利用了修正后的反射谱进行了kk变换,获得了薄膜的折射率n 再用计算所得的数据反算出薄膜的反射率与测量的反射谱是一致的,获得的折射率随波长的变化与测量的吸收谱是相对应的,对所得结果进行了误差分析。

采用热处理方法提高MEH-PPV单层聚合物有机发光二极管发光性能的研究

对以MEH PPV为发光层的单层聚合物有机发光二极管 (OLED)器件在最佳条件下进行真空热处理 ,并用金相显微镜观察施加电压后器件的阴极表面形貌。发现处理后的器件阴极表面的气泡及黑斑明显减少。器件的发光性能显著提高。与未经处理的器件相比 ,最大相对发光强度提高了一个数量级、启亮电压降低了2 0V ,半寿命提高了 1 2 7倍。初步分析表明热处理方法提高器件发光性能的主要原因在于有效地减少了器件在工作过程中由于焦耳热产生的某些气体 ,从而减少阴极表面气泡及黑斑的出现 ,另一方面 ,热处理方法也增强了有机发光层与阴极接触界面的结合力 。

有机EL器件MEH-PPV/Alq_3的光伏特性

制备了ITOMEHPPVAlq3LiFAl光伏(PV)器件。MEHPPV和Alq3分别为电子受体和给体。光谱响应曲线主要和Alq3的吸收光谱相匹配。在功率为05mW·cm2的紫外氙灯照射下电池的短路电流为24μA·cm-2,开路电压为26V,Fill因子为071,电池的能量转换效率达到09%。在直流电的驱动下,器件具有电致发光的特性并且发出明亮的桔红色光,在15V的直流电压驱动下,最大亮度达到了1000cd·cm-2。

利用表面光电压谱研究MEH-PPV定域跃迁

利用外场调制的表面光电压谱研究聚合物材料 MEH-PPV的定域跃迁 ( 3 50～ 42 0 nm)与非定域跃迁 ( 42 0～ 60 0 nm) .实验证明 。

共轭聚合物MEH-PPV的固态阴极射线发光

在有机 /无机异质结ZnS/MEH PPV/ZnS器件中 ,交流驱动条件下 ,实现了共轭聚合物MEH PPV的固态阴极射线发光 ,器件的发光光谱与MEH PPV的光致发光谱相同。电子经过ZnS层加速后 ,成为过热电子 ,这些过热电子直接碰撞激发MEH PPV而发光。在日光灯照明下 ,可以看到器件的均匀发光。

含纳米随机微腔MEH-PPV/玻璃光波导激光

用浸涂法制备了ＭＥＨ－ＰＰＶ／ＴｉＯ２重量比分别为１∶０，１∶１，１∶２和１∶３四种不同纳米微晶薄膜。与已报道的亚微米散射体不同，本实验采用粒径约为２０ｎｍ的ＴｉＯ２纳米微晶作为多重散射体。可以不必考虑光在散射体上的出、入射方向和内部传播情况。飞秒激光器经ＯＰＡ调谐产生脉宽为１３０ｆｓ的超短脉冲，激发波长为５４４ｎｍ，重复频率为１ｋＨｚ，激发功率为３μＪ／ｐｕｌｓｅ。研究了不同激发强度下，光谱的增益窄化，激射强度和与激发光条长度的关系。这种激光发射的本质还是放大自发辐射（ＡＳＥ）为主。分析了在平均自由程 ｌ＝５．４ ×１０５ｎｍ下光的输运和光局域对这种随机激光产生的影响。

MEH-PPV型单体[2,5-双(4′-溴-2′,5′-二甲氧基苯基乙烯基)-1-甲氧基-4-(2′-乙基己基氧基)苯]的合成及其发光性能

以对苯二甲醚为原料,经甲酰化和溴代反应合成2,5-二甲氧基-4-溴苯甲醛(2)。以对甲氧基苯酚为原料,经烷基化、氯甲基化和Michaelis-Arbuzov反应合成亚膦酸酯(5);2和5经Horner-Wittig-Emmons反应合成了2,5-双(4′-溴-2′,5′-二甲氧基苯基乙烯基)-1-甲氧基-4-(2′-乙基己基氧基)苯(6),总收率44.7%,其结构经1HNMR,13C NMR和元素分析表征。UV-Vis和荧光光谱(FL)研究表明,6的UV-Vis和FL的λmax分别位于410 nm和479 nm,497 nm,是一种绿光的MEH-PPV型单体。

热处理对MEH-PPV薄膜微力学行为的影响

利用纳米压痕技术研究了热处理对聚(2-甲氧基-5-(2'-乙基己基氧)-1-4-苯撑乙烯)(MEH-PPV)薄膜力学性能的影响,结果表明:随着热处理温度的提高,最大压痕深度先减小后增加,弹性模量、硬度随着热处理温度的提高而降低;另外,MEH-PPV薄膜对负载率的敏感性随热处理温度的提高而降低;同时利用高斯网络模型分析了热处理对MEH-PPV薄膜力学性能影响的原因,拓扑缠结对MEH-PPV薄膜力学性能影响是主要的,而凝聚缠结对MEH-PPV薄膜力学性能影响是次要的。

热退火对MEH-PPV/Alq3掺杂膜能量转移及光学性质的影响(英文)

以旋转涂膜技术制备了m(MEH-PPV)∶m(Alq3)为5∶1,5∶2,5∶4,11和1∶2的MEH-PPV/Alq3复合膜.利用紫外可见吸收谱和荧光光谱研究了该复合膜的能量转移和光学性质.结果表明,Alq3的发射谱和MEH-PPV的吸收谱存在较大的重叠,此暗示在复合膜发光过程中从Alq3到MEH-PPV的能量转移起着重要作用.此外,在室温到80℃之间,测量了复合膜的发光性质,结果显示复合膜的能量转移和发光性质都严重受热淬灭.总之,复合物发光性质除了依赖掺杂浓度外,还受退火温度的影响.

MEH-PPV单层光伏器件特性研究

利用聚[2-甲氧基-5-(2′-乙烯基-己氧基)聚对苯乙烯撑](MEH-PPV)材料制备出单层光伏器件,并对其光电特性进行研究.

ZnSe(ZnS)纳米晶与MEH-PPV的共掺有机电致发光器件

采用水相法合成核壳结构ZnSe/ZnS纳米晶,经X射线衍射(XRD)分析和透射电子显微镜(TEM)表征,证实所制备的样品为立方晶型闪锌矿结构ZnSe/ZnS量子点。按照一定的质量比将ZnSe/ZnS纳米晶和有机聚合物MEH-PPV(poly[2-methoxy-5-(2'-ethyl hexyloxy-p-phenylenevinylene)])共掺并将其作为发光层,分别制备单层和多层有机电致发光器件,结构为ITO/MEH-PPV∶ZnSe(ZnS)(50 nm)/Al和ITO/PEDOT∶PSS(70nm)/MEH-PPV∶ZnSe(ZnS)(50 nm)/BCP(15 nm)/Alq3(12 nm)/LiF(0.5 nm)/Al。实验结果表明,多层发光器件的发光特性与单层器件不同,工作电压的增大使其发光峰发生了明显的蓝移。

基于量子点和MEH-PPV的白光发光二极管的研究

利用无机纳米材料与有机聚合物材料相结合的方法制备白光发光二极管器件,研究了蓝光量子点QDs(B)掺杂聚[2-甲氧基-5-(2-乙基己氧基-1,4-苯撑乙烯撑](MEH-PPV)复合体系的发光特性及量子点QDs(B)掺杂浓度(质量分数)不同对器件发光特性的影响.制备了ITO/PEDOT:PSS/MEHPPV:QDs(B)/Li F/Al结构的电致发光器件,测试了器件的电致发光光谱和电学、光学特性.当QDs掺杂浓度为40%,驱动电压为8 V时器件能得到较为理想的白光发射.同时,对比研究了非掺杂体系的发光特性,制备了结构为ITO/PEDOT:PSS/MEH-PPV/QDs(B)/LiF/Al的器件,掺杂体系相较于非掺杂体系,器件的最大亮度增大,启亮电压降低,并分析了掺杂体系器件性能改善的原因.

CBP有机薄膜对MEH-PPV聚合物发光二极管性能的影响

以聚合物发光材料MEH-PPV为发光层的聚合物发光二极管的ITO阳极与发光层之间,加入一层溶解于氯仿中的有机小分子CBP,能显著改善发光器件的电流特性。在电压较低的时候能提高电流,在电压较高的时候能抑制电流,从而增加工作电压范围。此外,器件的电流效率也能得到显著的提高。实验结果表明,加入CBP层后,在低电压时,CBP层能够减缓空穴注入到发光层中,将其限制在CBP层,从而在器件中形成一个内电场,有助于电子的传输,降低开启电压,提高发光亮度。在电压较高时,CBP作为电子阻挡层,能阻挡电子漏泄到阳极,从而使在复合区的空穴与少数载流子电子的复合效率提高,改善器件的性能。

基于MEH-PPV/ZnSe纳米复合器件的电致发光特性的研究

以巯基乙酸作为稳定剂在水相中制备了ZnSe纳米晶,用X射线粉末衍射(XRD)和X射线光电子能谱(XPS)对其进行了表征。用表面活性剂将ZnSe纳米晶从水相中转移到有机相中,使其与聚合物MEH-PPV复合作为发光层,制备了多层电致发光器件Glass/ITO/MEH-PPV:ZnSe/BCP/Alq3。对ZnSe纳米晶和MEH-PPV薄膜的光致发光谱及其吸收光谱的比较表明ZnSe纳米晶和MEH-PPV之间存在着能量传递,这是导致纳米复合薄膜的光致发光光谱和电致发光光谱存在差异的原因之一。文章对其在光激发和载流子注入条件下的不同发光机制进行了讨论。通过对器件的光电特性进行研究,发现ZnSe纳米晶发光的比例随着外加电压的增加而增加,而且器件的I-V特性基本上符合二极管的特性。

MEH-PPV/ZnO纳米晶无机有机复合电致发光器件的研究

以Ⅱ Ⅵ族无机半导体ZnO纳米颗粒为电子传输层 ,MEH PPV为空穴传输层兼发光层 ,得到的电致发光器件比单层MEH PPV器件的发光亮度和效率都明显提高。器件结构为ITO/MEH PPV/ZnO/Al的电致发光光谱同单层PPV器件的光谱出现了不同 ,在 6 2 0nm处出现了一个小的发光峰 ,应该是ZnO的发光。另外 ,双层结构器件的启亮电压由单层器件的 9V降到了 4V左右。由I V曲线及发光光谱可判断出发光区域应在MEH PPV/ZnO界面处 。

MEH-PPV/PEG聚合物电双稳器件的研究

将PEG(聚乙二醇)引入到ITO/MEH-PPV(聚(2-甲氧基,5(2'-乙基己氧基)-1,4-苯撑乙烯撑)/Al三明治器件中,实现了很好的电双稳性能。通过改变PEG的分子量、浓度以及退火温度等条件,对器件性能进行了优化。通过电流-电压(I-V)测试研究了不同器件的性能,结果表明,分子量为4 000的PEG,在30 mg/mL的浓度下,通过120℃退火制备的薄膜,其器件性能最优,电流开关比可以达到10~3以上。利用SEM测试研究了活性层的膜形貌,并结合电流-电压(I-V)曲线的线性拟合,分析了电荷在器件中的传输过程。研究发现,相分离产生的陷阱对电荷的俘获是该器件产生电双稳特性的主要原因。

MEH-PPV/CdSe纳米复合器件的光电导特性的研究

以CdO和Se粉作为前驱物,在TOPO/TOP有机体系中制备了CdSe纳米晶,将其与聚合物MEH-PPV复合制备了复合光电导器件,研究了它的光电导特性,并将其与单层MEH-PPV光电导器件的特性进行了比较。结果发现纳米复合光电导器件的光电流响应光谱的2个峰的位置基本上与MEH-PPV和CdSe纳米晶的吸收峰的位置相对应,这说明CdSe纳米晶和聚合物MEH-PPV的吸收对光电流都有贡献,主要是由于CdSe纳米晶和MEH-PPV界面处的激子离化和电荷转移造成的。而且复合器件的光电流较单层有所增强,且MEH-PPV器件光谱的响应范围更宽。

TBPe与MEH-PPV共掺杂的有机电致发光器件的优化研究

采用有机小分子TBPe(2,5,8,11-tetratertbutylperylene)以不同比例掺入MEH-PPV(poly[2-methoxy-5-(2-ethylhexyloxy)-1,4-phenylenevinylene])作为发光层,研究了TBPe不同掺杂比例对器件性能的影响,进而对发光强度进行优化。对于所制备的ITO/PEDOT∶PSS/MEH-PPV/TBPe/Al有机电致发光器件,TBPe的最优蒸镀厚度为0.5 nm,其发光强度相对于标准器件提高了325%。ITO/PEDOT∶PSS/MEH-PPV∶TBPe/TBPe/Liq/Al有机电致发光器件的最优掺杂比例为MEH-PPV∶TBPe=100∶30(质量比),其发光亮度相比于未掺杂器件提高了44%。在上述器件的基础上增加Alq3层提高电子注入,分别制作了Liq和LiF作为修饰层的ITO/PEDOT∶PSS/MEH-PPV∶TBPe/TBPe/Alq3/Liq/Al和ITO/PEDOT∶PSS/MEH-PPV∶TBPe/TBPe/Alq3/LiF/Al多层器件,发光亮度分别达到4 162 cd/m2和4 701 cd/m2。所有器件的电致发光波长均为580 nm,为MEH-PPV的发光,TBPe的掺杂对MEH-PPV的发光起到了增强作用。

基于MEH-PPV/Ir(ppy)_3聚合物电双稳器件

通过逐层旋涂的方法,利用MEH-PPV(Poly[2-methoxy-5-(2-ethylhexyloxy)-1,4-phenylenevinylene]与Ir(ppy)_3(tris(2-phenylpyridine)iridium(Ⅲ))),制备活性层,实现了高性能的电双稳器件。通过改变MEHPPV的浓度,制备了不同器件并进行性能比较,发现所有器件都具有明显的电双稳特性。当MEH-PPV的浓度达到4 mg/mL时,器件的开关比可以达10~3。同时,通过测试器件的电流-循环次数研究了器件的持续稳定特性。经过10~4次的反复读写测试,器件性能依然稳定。最后,通过对器件的Ⅰ-Ⅴ曲线进行线性拟合,并结合器件的能级图,对器件的工作原理进行了研究。结果表明,MEH-PPV/Ir(ppy)_3器件的电双稳特性产生的主要原因是偶极层的形成与破坏。

温和条件下合成MEH-PPV的工艺及其相对分子质量控制

以叔丁醇钾(t-BuOK)为催化剂,四氢呋喃(THF)为溶剂,采用去卤缩合聚合法,合成2-甲氧基-5-(2′-乙基-己氧基)-对苯乙炔(MEH-PPV)光伏材料。对反应温度、反应时间、催化剂、溶剂等条件的影响规律进行研究。结果表明,在THF作为溶剂的情况下,MEH-PPV的合成过程无需加热,且收率较高,反应过程中几乎没有凝胶现象;在反应体系中加入对甲氧基苯酚,可以控制MEH-PPV的相对分子质量,重现性良好。