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基于标准CMOS工艺的pH值传感器
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作者 施朝霞 朱大中 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第8期1272-1277,共6页
基于传统离子敏感器件的敏感模型,建立了与CMOS工艺兼容的以钝化层氮化硅作为敏感膜的MFGFET(multi-floating gate FET)多层浮栅晶体管结构阈值电压模型.采用上华0.6μm CMOS标准工艺,设计了一种与CMOS工艺兼容的pH值传感器.片上控制... 基于传统离子敏感器件的敏感模型,建立了与CMOS工艺兼容的以钝化层氮化硅作为敏感膜的MFGFET(multi-floating gate FET)多层浮栅晶体管结构阈值电压模型.采用上华0.6μm CMOS标准工艺,设计了一种与CMOS工艺兼容的pH值传感器.片上控制电路使MFGFET器件源漏电压和源漏电流恒定,器件工作在一个稳定的状态.采用离子敏MFGFET和参考MFGFET差分拓扑结构,减少了测量电路的固定模式噪声.器件溶液实测pH值在1~13范围内,器件的平均灵敏度为35.8mV/pH. 展开更多
关键词 PH值传感器 mfgfet 灵敏度
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集成生物微环境测量CMOS传感芯片研究
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作者 孙颖 朱大中 《仪器仪表学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第2期352-357,共6页
基于标准0.6μm CMOS工艺设计实现了单片集成可用于细胞外微环境溶液pH值和温度同时检测的混合信号生物传感芯片。利用多层浮栅结构场效应管作为pH值传感单元,在恒流恒压电路控制下得到与pH值成反比的电压输出。pH敏感器件与参比器件的... 基于标准0.6μm CMOS工艺设计实现了单片集成可用于细胞外微环境溶液pH值和温度同时检测的混合信号生物传感芯片。利用多层浮栅结构场效应管作为pH值传感单元,在恒流恒压电路控制下得到与pH值成反比的电压输出。pH敏感器件与参比器件的差模输出方式有效减小了电路和溶液的噪声。pH值在1~13范围内,传感器平均灵敏度为35.5mV/pH,线性度优于3.2%。芯片上还集成了与绝对温度成正比的温度传感器,可实时检测生物微环境溶液的温度变化,在25~100℃范围内,输出线性度优于1.7%,平均灵敏度为8.8mV/℃。此外,构建了传感芯片的原型应用电路,对传感器的输出电压进行软件修正后以温度和pH值形式进行显示,以实现两个参数的实时监测。在25~70℃温度范围内,温度测量偏差在-0.6~+1.1℃以内,pH值的测量偏差≤±0.3pH。该芯片具有一定的可重用性,既可用来研究温度变化对细胞微环境溶液pH值的影响,又可作为IP核兼容集成于相同工艺的其他传感器电路中。 展开更多
关键词 生物传感芯片 PH传感器 多层浮栅场效应管(mfgfet) 温度传感器 监测系统
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Modeling and discussion of threshold voltage for a multi-floating gate FET pH sensor
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作者 施朝霞 朱大中 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第11期71-74,共4页
Research into new pH sensors fabricated by the standard CMOS process is currently a hot topic. The new pH sensing multi-floating gate field effect transistor is found to have a very large threshold voltage, which is d... Research into new pH sensors fabricated by the standard CMOS process is currently a hot topic. The new pH sensing multi-floating gate field effect transistor is found to have a very large threshold voltage, which is different from the normal ion-sensitive field effect transistor. After analyzing all the interface layers of the structure, a new sensitive model based on the Gauss theorem and the charge neutrality principle is created in this paper. According to the model, the charge trapped on the multi-floating gate during the process and the thickness of the sensitive layer are the main causes of the large threshold voltage. From this model, it is also found that removing the charge on the multi-floating gate is an effective way to decrease the threshold voltage. The test results for three different standard pH buffer solutions show the correctness of the model and point the way to solve the large threshold problem. 展开更多
关键词 pH sensor mfgfet threshold voltage
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