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MMIC用NiFe-SiO_x磁性金属颗粒膜电感研究 被引量:1
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作者 孔岑 李辉 +2 位作者 张万里 陈辰 陈效建 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2010年第2期208-211,共4页
在蓝宝石基的氮化镓衬底上采用射频磁控溅射结合剥离的方法制作了NiFe-SiOx磁性金属颗粒膜,利用PECVD淀积绝缘层,制备出"SiN绝缘层/NiFe-SiOx薄膜/SiN绝缘层/金属线圈"结构的平面电感。测试表明,对于单圈电感,与无磁膜结构相... 在蓝宝石基的氮化镓衬底上采用射频磁控溅射结合剥离的方法制作了NiFe-SiOx磁性金属颗粒膜,利用PECVD淀积绝缘层,制备出"SiN绝缘层/NiFe-SiOx薄膜/SiN绝缘层/金属线圈"结构的平面电感。测试表明,对于单圈电感,与无磁膜结构相对比在1 GHz时电感量有30%的提升,且对Q值影响不大;对于多圈电感,电感量与电感结构密切相关,当磁膜同时存在于线圈下和线圈之间时对电感量提升最大,但截止频率较低;而磁膜在电感线圈正下方的结构对电感量提升较前一种磁膜电感低,但截止频率较前一种磁膜电感高。 展开更多
关键词 磁性金属颗粒膜 磁膜电感 单片微波集成电路工艺 图形化磁膜
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GaAs单片移相器设计 被引量:5
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作者 周志鹏 杜小辉 代合鹏 《微波学报》 CSCD 北大核心 2005年第4期54-57,共4页
本文选择了适于单片微波集成的移相器设计方案,使用砷化钾(GaAs)0.5 μm高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺原型,经微波电路、电场仿真,设计出五位移相器,并试制了180°位样片.试制样品尺寸1.5×1.0mm2,测试结果性能良好,在2.5~5.0... 本文选择了适于单片微波集成的移相器设计方案,使用砷化钾(GaAs)0.5 μm高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺原型,经微波电路、电场仿真,设计出五位移相器,并试制了180°位样片.试制样品尺寸1.5×1.0mm2,测试结果性能良好,在2.5~5.0GHz带宽内,移相起伏小于10°;在2.6~3.5GHz带宽内,移相起伏小于5°,同设计仿真结果基本吻合. 展开更多
关键词 GaAs单片移相器 单片微波集成电路 GaAs工艺原型 高电子迁移率晶体管(HEMT) 单片移相器 设计 GAAS 高电子迁移率晶体管 3.5GHz 仿真结果 0.5μm 五位移相器 微波集成
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GaAs工艺监测研究 被引量:3
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作者 于信明 崔玉兴 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2011年第7期520-523,共4页
介绍了GaAs MMIC(GaAs microwave monolithic integrated circuit)工艺运用监测技术控制工艺过程,实时掌握工艺状况,保证产品的一致性、可重复性和可靠性。针对薄层电阻和接触电阻的阻值以及器件的栅阻和栅长等工艺过程中关键的参数,分... 介绍了GaAs MMIC(GaAs microwave monolithic integrated circuit)工艺运用监测技术控制工艺过程,实时掌握工艺状况,保证产品的一致性、可重复性和可靠性。针对薄层电阻和接触电阻的阻值以及器件的栅阻和栅长等工艺过程中关键的参数,分别用范德堡结构、开尔文结构和十字桥结构进行监测。采用范德堡结构测得薄层电阻Rs=(π/ln 2)V14/I23,开尔文结构得到接触电阻Rc=V13/I24,十字桥结构可以了解栅阻和栅长。然后通过运用统计过程控制技术对数据进行分析,可以有效改进工艺,提高产品质量。 展开更多
关键词 GAASmmic 工艺监测 薄层电阻 十字桥 统计过程控制
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一种新型的在线式微波功率传感器
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作者 韩磊 黄庆安 廖小平 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第7期1144-1148,共5页
提出了一种基于MEMS技术的在线式微波功率传感器结构,并对该结构进行了理论分析、设计、制作和测量.该结构通过测量由MEMS膜耦合出的一小部分微波功率实现功率的测量.该结构制作工艺与GaAs MMIC工艺完全兼容.测量结果显示,在12GHz频率以... 提出了一种基于MEMS技术的在线式微波功率传感器结构,并对该结构进行了理论分析、设计、制作和测量.该结构通过测量由MEMS膜耦合出的一小部分微波功率实现功率的测量.该结构制作工艺与GaAs MMIC工艺完全兼容.测量结果显示,在12GHz频率以内,微波功率传感器的反射系数小于-15dB,插入损耗小于2dB,在10GHz中心频率下的灵敏度为10.4μV/mW. 展开更多
关键词 微波功率 功率传感器 在线式 MEMS GAAS mmic工艺
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RF MEMS的关键技术与器件 被引量:2
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作者 夏牟 郝达兵 《电子与封装》 2006年第1期35-39,共5页
文章介绍了RF MEMS的基本概念、基本特征与关键工艺技术。文章在介绍了RF-MEMS 元器件的基础上,对RF MEMS与MMIC进行了比较,分析了RF MEMS需解决的重点问题。最后对 RF MEMS的发展前景进行了展望。
关键词 RF MEMS 加工技术 元器件 mmic
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一种开路短截线结构的耦合式微波功率传感器
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作者 韩磊 《微波学报》 CSCD 北大核心 2011年第3期70-74,共5页
提出了一种基于MEMS技术的在线式微波功率传感器结构,并对该结构进行了理论分析、设计、制作和测量。该微波功率传感器通过加入阻抗匹配和开路短截线结构实现低损耗和宽频带的在线测量。该结构制作工艺与GaAs MMIC工艺完全兼容。测量结... 提出了一种基于MEMS技术的在线式微波功率传感器结构,并对该结构进行了理论分析、设计、制作和测量。该微波功率传感器通过加入阻抗匹配和开路短截线结构实现低损耗和宽频带的在线测量。该结构制作工艺与GaAs MMIC工艺完全兼容。测量结果显示,在8GHz~12GHz频率范围内,微波功率传感器的反射系数小于-18dB,插入损耗优于0.45dB,在10GHz中心频率下的灵敏度为12.0μV/mW。 展开更多
关键词 微波功率 功率传感器 在线式 MEMS GAAS mmic工艺
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基于248 nm扫描光刻机工艺的0.15μm GaAs单片限幅低噪声放大器 被引量:3
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作者 王溯源 章军云 +1 位作者 彭龙新 黄念宁 《电子与封装》 2019年第8期39-43,共5页
报道了一种0.15μm GaAs单片限幅低噪声放大器的材料设计和制作工艺,器件关键层制备使用248 nm扫描光刻机和烘胶工艺方案。利用X波段限幅低噪声放大电路对该工艺进行了流片验证。微波测试结果显示,在7~13 GHz频段内,电路增益大于19.5 dB... 报道了一种0.15μm GaAs单片限幅低噪声放大器的材料设计和制作工艺,器件关键层制备使用248 nm扫描光刻机和烘胶工艺方案。利用X波段限幅低噪声放大电路对该工艺进行了流片验证。微波测试结果显示,在7~13 GHz频段内,电路增益大于19.5 dB,在7.7 GHz处增益达22.3 dB;噪声系数小于1.98 dB,在7.2 GHz处,最小噪声为1.28 dB;直流功耗为190 mW,展示了良好的器件和电路性能。 展开更多
关键词 248 nm扫描光刻机 烘胶工艺 X波段 GAAS 单片限幅低噪声放大器
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低电调电压全集成10~20GHz VCO的设计与实现 被引量:4
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作者 高晓强 张加程 +1 位作者 王增双 孙高勇 《半导体技术》 CAS 北大核心 2021年第1期30-35,46,共7页
研制了一款低电调电压、多频段压控振荡器(VCO)微波单片集成电路(MMIC),MMIC主要由6频段振荡电路、控制电路、译码电路等组成。将10~20 GHz的频率范围分为6个频段覆盖,从而将电调电压控制在5 V以内。基于GaAs异质结双极晶体管(HBT) 2μ... 研制了一款低电调电压、多频段压控振荡器(VCO)微波单片集成电路(MMIC),MMIC主要由6频段振荡电路、控制电路、译码电路等组成。将10~20 GHz的频率范围分为6个频段覆盖,从而将电调电压控制在5 V以内。基于GaAs异质结双极晶体管(HBT) 2μm工艺对所设计的VCO进行了流片验证,芯片面积为3.4 mm×3.2 mm。测试结果表明,在室温下,当电源电压为5 V、电调电压在0~5 V时,每个频段VCO可覆盖的频率为9.58~11.6 GHz、11.06~13.23 GHz、12.77~14.89 GHz、14.21~16.48 GHz、16~18.48 GHz和17.7~20.17 GHz;当电调电压为2.5 V、频偏为100 kHz时,每个频段VCO的相位噪声分别为-91.8、-90.5、-90.3、-90、-88.2和-87.1 dBc/Hz。因此,该6频段VCO覆盖了10~20 GHz的频率范围,且每段VCO的相位噪声指标良好,可满足低压电子系统的应用需求。 展开更多
关键词 多频段压控振荡器(VCO) 微波单片集成电路(mmic) GaAs异质结双极晶体管(HBT)工艺 控制电路 38译码器
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A 50 MHz-1 GHz high linearity CATV amplifier with a 0.15μm InGaAs PHEMT process
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作者 徐建 王志功 +1 位作者 张瑛 黄晶 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第7期70-73,共4页
A 50 MHz-1 GHz low noise and high linearity amplifier monolithic-microwave integrated-circuit (MMIC) for cable TV is presented.A shunt AC voltage negative feedback combined with source current negative feedback is a... A 50 MHz-1 GHz low noise and high linearity amplifier monolithic-microwave integrated-circuit (MMIC) for cable TV is presented.A shunt AC voltage negative feedback combined with source current negative feedback is adopted to extend the bandwidth and linearity.A novel DC bias feedback is introduced to stabilize the operation point,which improved the linearity further.The circuit was fabricated with a 0.15μm InGaAs PHEMT (pseudomorphic high electron mobility transistor) process.The test was carried out in 75Ωsystems from 50 MHz to 1 GHz.The measurement results showed that it gave a small signal gain of 16.5 dB with little gain ripples of less than±1dB.An excellent noise figure of 1.7-2.9 dB is obtained in the designed band.The IIP3 is 16 dBm, which shows very good linearity.The CSO and CTB are high up to 68 dBc and 77 dBc,respectively.The chip area is 0.56 mm^2 and the power dissipation is 110 mA with a 5 V supply.It is ideally suited to cable TV systems. 展开更多
关键词 low noise high linearity mmic InGaAs PHEMT process CATV amplifier
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