基于MOSFET PDE模型的射频电路周期稳态分析

研究了基于 MOSFET PDE模型的射频电路周期稳态分析有效算法 :通过恰当的系统解耦、松弛迭代和边值问题求解等方法避免了复杂的 PDE周期稳态分析 ,较好地解决了基于 MOSFET PDE模型的射频电路周期稳态分析的计算效率问题。采用该算法仿真典型的 C类功率放大器得到电流波形和工业界公认标准器件仿真器 MEDICI瞬态模拟得到电流波形比较 ,显示出很好的一致性。

MOSFET的大信号动态集总模型及射频电路模拟

针对 RF电路模拟的需要 ,在文中提出了一个基于表面势的 MOSFET大信号动态集总模型。这个模型是由 MOSFET的 PDE模型简化推导而来。它不仅比传统的模型能更精确地描述晶体管在高频大信号情况下的伏 -安特性 ,而且比 PDE模型易于求解 ,从而大大提高了电路模拟的速度。通过模拟几个具体的 RF电路 ,将这个模型与 PDE模型作了比较 ,结果表明两者吻合得很好。