纳米线MOSFET量子电容讨论

讨论了纳米线MOSFET量子电容测量及影响因素,同时讨论了计算方法,得出量子电容为1.2 aF。观察到室温单电子遂穿现象,是一个单电子晶体管。提出了一种新的模型,解释室温出现大电流单电子库仑阻塞效应,认为是类似于库柏对电子对纳米线岛“似单电荷”的库仑阻塞效应起作用,亦即进入岛的非单子而是电子对,出岛的也如此。这样就解释了大电流量子台阶出现的现象。

未掺杂纳米线高电阻与其晶体微结构光电性质

讨论了纳米线的电阻测量及引起高电阻的原因,即宽带多型、纳米尺寸和未掺杂本征阻值大等.对纳米碳化硅线分别进行了直径为5 nm、10 nm、20 nm纳米线电阻测量,在电压为100 V以内测量其电阻达100 MΩ.此外,纳米线MOSFET晶体管室温出现I-V高电流特性.讨论了这一现象的产生可能性,提出了假设,认为纳米线晶体中的电子在某种机制的作用下,形成电子对,这时,库仑阻塞效应的机制由单电子变成成对的多电子才能解释这一现象.其公式为ΔE=(ne)2C.对纳米线进行拉曼光谱鉴定和投射电子显微镜鉴别,显示出纳米线为4H碳化硅多型的衍射和光谱特点.