InGaAs MSM-PD及其与FET单片集成的进展

本文简要报道了具有势垒加强层的长波长InGaAs MSM-PD和单片集成MSM-PD/FET的进展。本文认为采用高阻掺Fe-InGaAs势垒加强层是有效和简单的,因为它兼有势垒加强和介于MSM-PD与FET结构之间的电隔离作用。

InGaAs MSM-PD肖特基势垒增强层的研究

通过在n型InGaAs光吸收层与金属接触间加入p型InGaAs势垒增强层的方法，来提高势垒高度，使其暗电流大为下降，并对其进行了理论和实验研究．

MSM-PD与RTD光电集成的模拟

设计了由谐振隧穿二极管 (RTD)为驱动器件 ,以金属 -半导体 -金属光探测器(MSM PD)为光敏元件的光电集成电路单元 ,利用通用电路模拟软件PSPICE基于其物理意义的电流 -电压方程建立直流电路模型 ,模拟其暂态特性 ,结果表明器件具有反相输出功能和双稳态特性。

平面交叉指状电极间电场分布

研究了具有金属－半导体－金属结构的探测器内部电场与其几何尺寸的关系，并求出了使探测器内部电场均匀性、稳定性达到最佳的几何条件。

具有势垒增强层的MSM光电探测器暗电流的计算

将具有完全晶格匹配势垒增强层的MSM－PD简化为一维模型，并通过理论分析，得出了它的暗电流特性，进一步得到器件暗电流与势垒增强层的关系。

金属-半导体-金属光电探测器的瞬态特性分析

给出了金属 -半导体 -金属光电探测器 ( MSM- PD)高频特性的等效电路模型 ,在此模型基础上编写模拟分析程序 ,分析了探测器相关器件参数对器件截止频率的影响 。

光通信中的主流光电探测器研究

对光通信系统解复用接收部分中的关键器件——主流光电探测器进行综合比较、优缺点分析与展望.分别对PIN光电探测器,普通雪崩二极管,超晶格雪崩二极管,波导型光电探测器,振腔增强型光电探测器,金属-半导体-金属光电探测器的原理和特点做了简要概括,并做系统比较,最后对光电探测器发展前景进行展望.

一个金属-半导体-金属光电探测器等效电路模型

本文提出了一个新的基于外端口直流、交流特性的金属-半导体-金属光电二极管(MSM PD)的等效电路模型,同时给出了直流模型和电容模型参数的物理含义,利用该模型得到的模拟结果和实测结果吻合很好。

金属半导体金属光探测器电路模型的研究

本文给出一个可为开发计算机辅助分析软件采用的完整的MSM-PD电路模型,采用该模型对一个GaAs MSM-PD的直流光电特性模拟分析结果与已报道的实验结果符合很好。

GaAs探测器与放大电路的单片集成

本文介绍一种结构简单且与GaAs MESFET的制备工艺相容的GaAs MSM-PD器件,它可用作探测短波长激光。文中介绍了MSM—PD的特性,还叙述了它与MESFET放大电路的单片集成工艺。最后给出了集成芯片测试的初步结果。

GaAs MSM光电探测器中电子渡越时间研究

根据 GaAs 材料的电子漂移速度与电场的非线性关系,研究了 GaAs MsM光电探测器电极间电子渡越时间与掺杂浓度 N_D、栅宽 L_g 和工作电压 V 的关系,结果表明,MSM-PD 电极间电子渡越时间存在极小值。对于电极间距离为3.0μm的 MSM-PD,掺杂浓度为1×10^(14)cm^(-3)的MSM-PD。工作电压为2倍平带电压时,电子渡越时间处于极小值。研究结果为设计高速响应 GaAs MSM 光电探测器及建立器件光电响应模型提供了依据。

基于PSPICE的光接收机电路设计与仿真

文章基于PSPICE通用软件,设计了一个由金属-半导体-金属Schottky势垒光探测器(MSM-PD)组成的GaAs光接收机电路,并对其进行了电路级仿真,仿真结果显示达到了设计目的。

MSM光电探测器研究现状

由于金属－半导作－金属光电探测器（ＭＳＭ－ＰＤ）潜在的优点，用于光通信、高速片到片互连，以及光控受到极大关注。文中介绍这种光探测器及其与放大器单片集成的最新进展。

光电多芯片模块及其在高速计算机和光通信网络中的应用

为了改善高速计算机和通信网络中的通信延迟和连通性能 ,从 2 0世纪 90年代初的光电子单片集成到 90年代末的光电多芯片模块 ,人们在这一领域进行了很多研究。根据国际上近年来的相关研究报道 ,介绍了光电多芯片模块 (OE MCM )的结构 ,并阐述了其制造工艺及其在高速计算机和通信网络中的应用。