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Growth Rate of a-Si∶H Film Influenced by Magnetic Field Gradient in MWECR CVD Plasma System 被引量:2
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作者 胡跃辉 吴越颖 +3 位作者 陈光华 王青 张文理 阴生毅 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第6期613-619,共7页
The magnetic field profiles,which are produced by three ways in the deposition chamber and plasma chamber of single coil divergent field MWECR CVD system,are investigated.The magnetic field gradient of these magnetic ... The magnetic field profiles,which are produced by three ways in the deposition chamber and plasma chamber of single coil divergent field MWECR CVD system,are investigated.The magnetic field gradient of these magnetic field profiles is obtained quantitatively by using Lorentz fit.The results indicate that the gradient value of the magnetic field profile near by the substrate,which is produced by a coil current with 137.7A if a SmCo permanent magnet is equipped under the substrate holder,is the largest;when the SmCo permanent magnet is taken away,the larger one is produced by the coil current with 137.7A and the smallest one produced by a coil current with 115.2A.High deposition rate of a-Si∶H film is observed near by the substrate with high magnetic field gradient.But uneven deposition rate along the radius of the sample holder is also found by infrared analysis technology when sample is deposited in magnetic field profile,which is produced by the coil current with 137.7A if the SmCo permanent magnet is equipped under the substrate holder. 展开更多
关键词 magnetic field gradient Lorentz fit a-Si∶H film deposition rate mwecr cvd deposition system
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MWECR-CVD法高速沉积氢化非晶硅薄膜 被引量:2
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作者 刘国汉 丁毅 +3 位作者 何斌 朱秀红 陈光华 贺德衍 《兰州大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2006年第2期43-46,共4页
介绍了一种新型的 MWECR-CVD 装置.该装置设计采用了一种由单个电磁线圈和永磁体单元组合的新型磁场,设计了一种新型的矩形耦合波导.应用这一装置使 a-Si∶H 薄膜的沉积速率达到了 2nm/s 以上.为了降低薄膜的光致衰退效应,提出了热... 介绍了一种新型的 MWECR-CVD 装置.该装置设计采用了一种由单个电磁线圈和永磁体单元组合的新型磁场,设计了一种新型的矩形耦合波导.应用这一装置使 a-Si∶H 薄膜的沉积速率达到了 2nm/s 以上.为了降低薄膜的光致衰退效应,提出了热丝辅助的 MWECR-CVD,这一改进可以大大降低薄膜的氢含量,改善薄膜的光照稳定性. 展开更多
关键词 微波电子回旋共振化学气相沉积 氢化非晶硅薄膜 磁场 微波 热丝
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热丝辅助MWECR-CVD法沉积氢化非晶硅薄膜研究 被引量:1
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作者 刘国汉 丁毅 +3 位作者 朱秀红 何斌 陈光华 贺德衍 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第10期986-989,共4页
为了降低a-Si:H薄膜中的氢含量,提高其稳定性,在我们MWECR-CVD系统中引入了热丝装置,热丝对等离子体的热辐射使等离子体升温,既促进了气体的进一步分解和电离,获得较多的低氢原子基团,也减少了活性高硅烷聚合物的生成,从而使薄膜中的(Si... 为了降低a-Si:H薄膜中的氢含量,提高其稳定性,在我们MWECR-CVD系统中引入了热丝装置,热丝对等离子体的热辐射使等离子体升温,既促进了气体的进一步分解和电离,获得较多的低氢原子基团,也减少了活性高硅烷聚合物的生成,从而使薄膜中的(SiH2)n的含量降低。同时,热丝对样品表面提供的热辐射和光辐射也可以进一步降低薄膜的氢含量。实验结果表明,用这种装置沉积的a-Si:H薄膜,氢含量可降低到4.5at%左右,稳定性明显增强,光敏性也有一定改善。 展开更多
关键词 电子回旋共振 等离子体增强化学气相沉积 氢化非晶硅薄膜 热丝 光致衰退效应
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MWECRCVD法高速沉积α-Si:H薄膜的红外光谱研究
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作者 宋雪梅 宋道颖 +5 位作者 陈蔚忠 芦奇力 冯贞健 鲍旭红 邓金祥 陈光华 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第3期321-324,共4页
应用微波电子回旋共振化学气相沉积 (MWECRCVD)方法 ,在较高速度下沉积了α Si:H薄膜 ,用FTIR红外谱仪研究了α Si:H薄膜的结构特性随H2 /SiH4 、沉积温度和沉积速率变化关系 ,并对 2 0 0 0cm-1附近的特征吸收峰用高斯函数进行了拟合分... 应用微波电子回旋共振化学气相沉积 (MWECRCVD)方法 ,在较高速度下沉积了α Si:H薄膜 ,用FTIR红外谱仪研究了α Si:H薄膜的结构特性随H2 /SiH4 、沉积温度和沉积速率变化关系 ,并对 2 0 0 0cm-1附近的特征吸收峰用高斯函数进行了拟合分析 ,获得了沉积高质量α Si:H薄膜的最佳工艺条件。 展开更多
关键词 mwecr-cvd α-Si:H薄膜 IR分析 高斯函数拟合
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用MWECR CVD系统制备具有非晶/微晶两相结构的硅薄膜研究
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作者 谢耀江 胡跃辉 +4 位作者 肖仁贤 陈光华 徐海军 陈义川 王立富 《陶瓷学报》 CAS 北大核心 2010年第4期596-600,共5页
用微波电子回旋共振化学气相沉积(MWECR CVD)系统制备了具有非晶/微晶两相结构的硅薄膜,研究了沉积温度和沉积压力等对制备微晶硅薄膜的结构和电学特性的影响。结果表明:较低的反应压和较高的衬底温度有利于获得非晶/微晶两相结构的硅薄... 用微波电子回旋共振化学气相沉积(MWECR CVD)系统制备了具有非晶/微晶两相结构的硅薄膜,研究了沉积温度和沉积压力等对制备微晶硅薄膜的结构和电学特性的影响。结果表明:较低的反应压和较高的衬底温度有利于获得非晶/微晶两相结构的硅薄膜,当反应压为0.7 Pa、衬底温度为170℃时,得到非晶/微晶两相结构的硅薄膜晶相体积比约为30%;具有这种晶相体积比的非晶/微晶两相结构的硅薄膜,μτ乘积值约为10-5量级左右,比不含微晶成分的氢化非晶硅样品的μτ乘积值大约2个量级,同时这种晶相体积比的非晶/微晶两相结构的硅薄膜的光敏性在103~104左右,其兼具很好的光电导稳定性和优良的光电特性,是制备非晶硅太阳电池的器件级本征层材料。 展开更多
关键词 mwecr cvd沉积系统 非品硅 微品硅
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Preparation of hydrogenated microcrystalline silicon films with hot-wire-assisted MWECR-CVD system
6
作者 何斌 陈光华 +6 位作者 朱秀红 张文理 丁毅 马占杰 郜志华 宋雪梅 邓金祥 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2006年第4期866-871,共6页
Intrinsic hydrogenated microcrystalline silicon (μc-Si:H) films have been prepared by hot-wire-assisted microwave electron-cyclotron-resonance chemical vapour deposition (HW-MWECR-CVD) under different deposition... Intrinsic hydrogenated microcrystalline silicon (μc-Si:H) films have been prepared by hot-wire-assisted microwave electron-cyclotron-resonance chemical vapour deposition (HW-MWECR-CVD) under different deposition conditions, Fourier-transform infrared spectra and Raman spectra were measured. Optical band gap was determined by Tauc plots, and experiments of photo-induced degradation were performed. It was observed that hydrogen dilution plays a more essential role than substrate temperature in microcrystalline transformation at low temperatures. Crystalline volume fraction and mean grain size in the films increase with the dilution ratio (R=H2/(H2+SiH4)). With the rise of crystallinity in the films, the optical band gap tends to become narrower while the hydrogen content and photo-induced degradation decrease dramatically. The samples, were identified as μc-Si:H films, by calculating the optical band gap. It is considered that hydrogen dilution has an effect on reducing the crystallization activation energy of the material, which promotes the heterogeneous solid-state phase transition characterized by the Johnson-Mehl-Avrami (JMA) equation. The films with the needed structure can be prepared by balancing deposition and crystallization through controlling process parameters. 展开更多
关键词 HW-mwecr-cvd μc-Si:H hydrogen dilution heterogeneous solid-state phase transition
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热丝对微波ECRCVD方法制备的a-Si:H薄膜氢含量的影响
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作者 李瀛 陈光华 +2 位作者 朱秀红 胡跃辉 宋雪梅 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2005年第3期225-228,共4页
采用微波ECRCVD系统制备了aSi∶H薄膜,对比有无热丝辅助情况下薄膜的生长情况,并通过红外光谱测试进行氢含量分析。aSi∶H薄膜中氢的引入对薄膜的光学、电学性能有着极大的影响,它可以钝化非晶硅薄膜中大量存在的悬挂键,降低薄膜的缺陷... 采用微波ECRCVD系统制备了aSi∶H薄膜,对比有无热丝辅助情况下薄膜的生长情况,并通过红外光谱测试进行氢含量分析。aSi∶H薄膜中氢的引入对薄膜的光学、电学性能有着极大的影响,它可以钝化非晶硅薄膜中大量存在的悬挂键,降低薄膜的缺陷密度,从而显著提高薄膜稳定性。通过对沉积速率的研究发现,在有热丝辅助的情况下沉积速率明显提高,可达3nm/s。实验证明,高温的热丝提高了工作气体的分解率,从而提高了薄膜的沉积速率。此外,在有热丝辅助的条件下制备出薄膜样品比没有热丝辅助条件下制备出的薄膜样品的氢含量低而且稳定性有了较大的改进。 展开更多
关键词 氢化非晶硅 微波ECR cvd沉积速率 氢含量
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HW-MWECR-CVD法制备氢化微晶硅薄膜及其微结构研究 被引量:9
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作者 刘国汉 丁毅 +2 位作者 朱秀红 陈光华 贺德衍 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2006年第11期6147-6151,共5页
用热丝辅助微波电子回旋共振化学气相沉积方法制备出高晶化体积分数的氢化微晶硅(μc-Si:H)薄膜.拉曼散射和X射线衍射技术对样品的微观结构测量分析表明,当反应气体中SiH4浓度在3.6%—50%之间大范围变化时,μc-Si:H薄膜均具有高的晶化... 用热丝辅助微波电子回旋共振化学气相沉积方法制备出高晶化体积分数的氢化微晶硅(μc-Si:H)薄膜.拉曼散射和X射线衍射技术对样品的微观结构测量分析表明,当反应气体中SiH4浓度在3.6%—50%之间大范围变化时,μc-Si:H薄膜均具有高的晶化体积分数.进一步的分析表明,在SiH4浓度较大时制备的薄膜,其结构以非晶-微晶的过渡相为主.薄膜易于晶化或生长为过渡相的主要原因是微波电子回旋共振使SiH4气体高度分解,等离子体高度电离. 展开更多
关键词 微波电子回旋共振化学气相沉积 氢化微晶硅薄膜 拉曼散射 X射线衍射
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MWECRCVD等离子体系统梯度磁场对沉积a-Si:H薄膜特性研究 被引量:3
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作者 胡跃辉 阴生毅 +5 位作者 陈光华 吴越颖 周小明 周健儿 王青 张文理 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2004年第7期2263-2269,共7页
分别研究了磁场线圈电流为 115 2和 137 7A以及 137 7A并在加热台下加放SmCo永磁体的方法 ,来改变单磁场线圈分散场MWECRCVD系统等离子体室及沉积室磁场形貌 .用洛伦兹拟合定量地得到了三种磁场形貌的磁场梯度 .研究了磁场梯度对沉积a ... 分别研究了磁场线圈电流为 115 2和 137 7A以及 137 7A并在加热台下加放SmCo永磁体的方法 ,来改变单磁场线圈分散场MWECRCVD系统等离子体室及沉积室磁场形貌 .用洛伦兹拟合定量地得到了三种磁场形貌的磁场梯度 .研究了磁场梯度对沉积a Si:H薄膜性能的影响 .研究表明 :在衬底附近 ,高的磁场梯度可以获得高的沉积速率 ;在温度不很高时 ,高的磁场梯度可得到光敏性较好的a Si:H薄膜 . 展开更多
关键词 梯度磁场 洛伦兹拟合 微波电子回旋共振化学气相沉积技术 薄膜生长 沉积速率
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氟化非晶碳膜的光学带隙和伏安特性
10
作者 黄峰 康健 +4 位作者 杨慎东 叶超 程珊华 宁兆元 甘肇强 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第3期283-285,共3页
用苯 (C6H6)和三氟甲烷 (CHF3 )混合气体作源气体 ,采用永磁微波电子回旋共振等离子体化学气相沉积 (MWECR CVD)技术 ,制备了氟化非晶碳膜 (a C∶F)。光学带隙的结果表明它与膜中的C、F元素含量和键结构都有关系 ;伏安特性的测量表明a C... 用苯 (C6H6)和三氟甲烷 (CHF3 )混合气体作源气体 ,采用永磁微波电子回旋共振等离子体化学气相沉积 (MWECR CVD)技术 ,制备了氟化非晶碳膜 (a C∶F)。光学带隙的结果表明它与膜中的C、F元素含量和键结构都有关系 ;伏安特性的测量表明a C∶F薄膜的电导在低电场下呈欧姆特性 。 展开更多
关键词 氟化非晶碳膜 光学带隙 伏安特性 超大规模集成电路
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a-Si∶H薄膜及MWECR-CVD制备技术
11
作者 阴生毅 陈光华 《物理》 CAS 北大核心 2004年第4期272-277,共6页
文章回顾了a -Si∶H薄膜的发展历程 ,并介绍了其近 10年的研究状况 .为提高a -Si∶H薄膜的沉积速度 ,还重点介绍了一种新的微波电子回旋共振等离子体CVD(MWECR -CVD)技术 .该技术的特点是 :不含电极 ,可避免电极溅射造成的污染 ;等离子... 文章回顾了a -Si∶H薄膜的发展历程 ,并介绍了其近 10年的研究状况 .为提高a -Si∶H薄膜的沉积速度 ,还重点介绍了一种新的微波电子回旋共振等离子体CVD(MWECR -CVD)技术 .该技术的特点是 :不含电极 ,可避免电极溅射造成的污染 ;等离子区离子密度高 ,对硅烷能高度分解 ,从而可显著提高薄膜生长速率 ;改变磁场位形和结构 ,可改变等离子体分布及轰击基片离子的能量 .文章还分析了其制备a -Si∶H薄膜存在的问题 ,提出了今后的研究方向 . 展开更多
关键词 微波电子回旋共振等离子体cvd技术 等离子体增强cvd技术 薄膜制备 薄膜生长 磁场位形 磁场结构 氢化非晶硅薄膜
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沉积条件对硅基薄膜非晶转微晶相变、沉积速率及其光电性能的影响(英文)
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作者 朱秀红 陈光华 郑茂盛 《功能材料与器件学报》 CAS CSCD 北大核心 2012年第2期103-108,共6页
本文采用HWA-MWECR-CVD系统制备了微晶硅薄膜。研究了氢稀释比、反应压强以及微波功率对微晶硅薄膜非晶转微晶相变及其相关性能的影响。实验结果表明:当氢稀释比为94%、反应压强为1.5Pa以及微波功率为500W时,高质量的微晶硅薄膜可以被获... 本文采用HWA-MWECR-CVD系统制备了微晶硅薄膜。研究了氢稀释比、反应压强以及微波功率对微晶硅薄膜非晶转微晶相变及其相关性能的影响。实验结果表明:当氢稀释比为94%、反应压强为1.5Pa以及微波功率为500W时,高质量的微晶硅薄膜可以被获得,如2.86*104的高光敏性,1nm左右的沉积速率以及8.9%的光致衰退速率等。 展开更多
关键词 HWA-mwecr-cvd系统 微晶硅薄膜 相变 沉积速率 光电性能
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