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ULSI多层布线中Cu的CMP技术 被引量:3
1
作者 王弘英 刘玉岭 +1 位作者 王新 檀柏梅 《电子器件》 CAS 2001年第2期107-112,共6页
作者对当前 ULSI多层布线中金属铜的 CMP技术作了系统的介绍 ,对抛光机理、多层布线中铜图案成型技术、浆料目前的种类及成分和表面完美性问题作了详细地分析和论述 ,并对目前存在问题及解决的方法和发展方向进行了讨论。
关键词 多层布线 化学机械抛光 浆料 ULSI 集成电路
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ULSI多层铜布线钽阻挡层及其CMP抛光液的优化 被引量:4
2
作者 刘玉岭 邢哲 +2 位作者 檀柏梅 王新 李薇薇 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2004年第7期18-20,34,共4页
分析了铜多层布线中阻挡层的选取问题,根据铜钽在氧化剂存在的情况下,抛光速率对pH值的不同变化趋势,提出优化碱性抛光液配比进而改变pH值,以达到铜钽抛光一致性的方法,并进行了相应的实验研究。
关键词 化学机械抛光 抛光液 cmp 多层布线 ULSI 铜钽抛光
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GLSI多层布线钨插塞CMP表面质量的影响因素分析 被引量:1
3
作者 韩力英 牛新环 +1 位作者 贾英茜 刘玉岭 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2011年第3期447-450,469,共5页
随着超大规模集成电路向高集成、高可靠性及低成本的方向发展,对IC工艺中的全局平坦化提出了更高的要求。在特大规模集成电路(GLSI)多层布线化学机械抛光(CMP)过程中,抛光质量对器件的性能有明显影响。研究了多层互连钨插塞材料CMP过程... 随着超大规模集成电路向高集成、高可靠性及低成本的方向发展,对IC工艺中的全局平坦化提出了更高的要求。在特大规模集成电路(GLSI)多层布线化学机械抛光(CMP)过程中,抛光质量对器件的性能有明显影响。研究了多层互连钨插塞材料CMP过程中表面质量的影响因素及控制技术,分析了抛光过程中影响抛光质量的主要因素,确定了获得较高去除速率和较低表面粗糙度的抛光液配比及抛光工艺参数。 展开更多
关键词 特大规模集成电路 多层布线 钨插塞 化学机械抛光 粗糙度
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电化学方法去除Si片CMP后表面金属杂质的研究
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作者 边娜 檀柏梅 +2 位作者 刘玉岭 牛新环 刘金玉 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2010年第9期881-884,共4页
论述了集成电路制备中Si衬底CMP过程中引入的金属杂质的危害,分析了目前CMP后清洗中金属杂质去除方法的现状和存在问题,通过对金属杂质在Si片表面的吸附进行理论分析,提出了用金刚石膜电化学清洗方法去除。该方法通过阴极对金属离子的... 论述了集成电路制备中Si衬底CMP过程中引入的金属杂质的危害,分析了目前CMP后清洗中金属杂质去除方法的现状和存在问题,通过对金属杂质在Si片表面的吸附进行理论分析,提出了用金刚石膜电化学清洗方法去除。该方法通过阴极对金属离子的吸附并放电还原,达到了去除微量金属杂质的目的,同时使难以去除的重金属杂质也得到了有效去除,减少了环境污染。 展开更多
关键词 集成电路 化学机械抛光 金属杂质 电化学 清洗
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磨料粒径对铝栅CMP去除速率和粗糙度的影响 被引量:1
5
作者 张金 刘玉岭 +1 位作者 闫辰奇 张文霞 《电镀与精饰》 CAS 北大核心 2017年第1期29-31,39,共4页
在铝栅化学机械平坦化(CMP)中磨料直接影响去除速率和表面粗糙度。采用不同粒径的磨料配置抛光液对铝栅进行CMP实验,对去除速率和表面形貌测试结果进行分析。结果表明,去除速率与参与抛光的磨料颗粒数目和单个颗粒去除速率有关,表面粗... 在铝栅化学机械平坦化(CMP)中磨料直接影响去除速率和表面粗糙度。采用不同粒径的磨料配置抛光液对铝栅进行CMP实验,对去除速率和表面形貌测试结果进行分析。结果表明,去除速率与参与抛光的磨料颗粒数目和单个颗粒去除速率有关,表面粗糙度与单个磨料颗粒机械作用和抛光后磨料颗粒表面吸附有关,并对抛光液稳定性进行了研究。最终选用粒径70 nm,质量分数为5%的磨料,去除速率可达到181 nm/min,表面粗糙度为9.1 nm,对今后铝栅CMP的研究提供了参考。 展开更多
关键词 化学机械平坦化 去除速率 粒径 粗糙度 高k金属栅极
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用于新一代器件的最新STI和金属CMP浆料(英文)
6
作者 Toranosuke Ashizawa 《电子工业专用设备》 2004年第6期13-15,共3页
现已开发出了用于浅沟道隔离穴STI雪、铜CMP和低k介质的新型材料。90nm以及下一代技术节点的新型器件要求在软接触CMP条件下减少缺陷率,改善片子表面形貌的衰减。获得的新材料展示了在CMP性能和街写特性方面的改进,因此这些材料被认为... 现已开发出了用于浅沟道隔离穴STI雪、铜CMP和低k介质的新型材料。90nm以及下一代技术节点的新型器件要求在软接触CMP条件下减少缺陷率,改善片子表面形貌的衰减。获得的新材料展示了在CMP性能和街写特性方面的改进,因此这些材料被认为能够适应未来技术要求。这些材料的关键之处在于大颗粒尺寸的控制,进行平面化和金属抛光的化学控制以及将控制方法用于旋涂玻璃()材料。 展开更多
关键词 浅沟道隔离 金属CHP 低κ介质 CHP浆料 平坦化工艺
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金属离子对麦草化机浆白度及可漂性的影响 被引量:5
7
作者 马邕文 陈中豪 王宗和 《中国造纸学报》 CAS CSCD 北大核心 1996年第1期24-27,共4页
从工艺和机理两方面研究了金属离子对麦草磺化化机浆白度及可漂性的影响。研究结果表明,金属离子对麦草化机浆漂后纸浆白度有一定的影响。表现在一是使纸浆漂后白度降低,二是增加了H2O2的无效分解。对于Fe3+、Mn2+、Cu... 从工艺和机理两方面研究了金属离子对麦草磺化化机浆白度及可漂性的影响。研究结果表明,金属离子对麦草化机浆漂后纸浆白度有一定的影响。表现在一是使纸浆漂后白度降低,二是增加了H2O2的无效分解。对于Fe3+、Mn2+、Cu2+而言,Mn2+对麦草磺化化机浆的H2O2漂白影响最大,其次是Fe3+和Cu2+;DTPA和EDTA都能较好地去除麦草化机浆中的金属离子;对金属离子含量变化及H2O2漂白工艺实验结果表明,麦草化机浆中的金属离子并不是构成麦草化机浆难漂性的主要原因。 展开更多
关键词 化机浆 麦草 可漂性 H2O2漂白 白度 纸浆 金属离子 磺化 DTPA 工艺
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镉、铅及其复合污染对大麦幼苗部分生理指标的影响 被引量:48
8
作者 张义贤 李晓科 《植物研究》 CAS CSCD 北大核心 2008年第1期43-46,53,共5页
以Cd、Pb为胁迫因子,以大麦为试验材料,采用室内培养法,研究了重金属Cd、Pb及复合污染不同时间(3、5 d)对大麦幼苗叶片部分生理指标的影响。结果表明,随着Cd、Pb及Cd+Pb处理浓度的增加,大麦幼苗叶片中可溶性糖的含量表现为先升后降。在C... 以Cd、Pb为胁迫因子,以大麦为试验材料,采用室内培养法,研究了重金属Cd、Pb及复合污染不同时间(3、5 d)对大麦幼苗叶片部分生理指标的影响。结果表明,随着Cd、Pb及Cd+Pb处理浓度的增加,大麦幼苗叶片中可溶性糖的含量表现为先升后降。在Cd、Pb单一处理条件下,不同浓度Cd、Pb均可造成叶细胞膜透性增大,叶片的相对电导率和脯氨酸含量上升。不同浓度的Cd+Pb复合处理对叶细胞膜的损伤均大于单一处理,低浓度Cd+Pb(5+50 mg.L-1)复合处理组的可溶性糖含量比单一处理高。在不同处理时间(3、5 d)内,所有Cd+Pb复合处理组叶中脯氨酸含量均高于单一处理组,Cd、Pb复合处理对脯氨酸的积累有促进作用。单一处理中Cd对大麦幼苗的毒性比Pb大,而复合处理(Cd+Pb)对大麦幼苗的损伤和毒害作用比单一处理更为严重,其交互作用机理值得进一步研究。 展开更多
关键词 重金属 大麦 可溶性糖 细胞膜透性 脯氨酸
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化学机械抛光对铜互连器件的影响及失效分析 被引量:2
9
作者 林晓玲 刘建 +2 位作者 章晓文 侯通贤 姚若河 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2011年第1期143-145,149,共4页
探讨了Cu化学机械抛光(CMP)工艺引起Cu互连器件失效的原因以及对可靠性的影响,对Cu CMP工艺缺陷导致器件失效的案例进行分析。由于CMP的技术特点,不可避免地会产生一些工艺缺陷和工艺误差,从而引起器件失效。必须根据标准要求,出厂或封... 探讨了Cu化学机械抛光(CMP)工艺引起Cu互连器件失效的原因以及对可靠性的影响,对Cu CMP工艺缺陷导致器件失效的案例进行分析。由于CMP的技术特点,不可避免地会产生一些工艺缺陷和工艺误差,从而引起器件失效。必须根据标准要求,出厂或封装前对圆片进行芯片功能参数测试和严格的镜检,以便在封装前剔除存在潜在工艺缺陷的芯片,达到既定可靠性要求。 展开更多
关键词 化学机械抛光 CU互连 工艺缺陷 金属残留
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铝栅去除速率控制机理 被引量:3
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作者 冯翠月 张文倩 刘玉岭 《微纳电子技术》 北大核心 2016年第2期129-134,共6页
后形成栅极(RMG)化学机械抛光(CMP)是实现高k介质/金属栅的关键,决定了芯片上器件的可靠性。高去除速率、速率可控性与抑制电化学腐蚀是RMG平坦化抛光液的核心挑战。通过研究氧化剂、FA/OⅡ螯合剂和SiO_2磨料之间的配比,来控制自钝化、... 后形成栅极(RMG)化学机械抛光(CMP)是实现高k介质/金属栅的关键,决定了芯片上器件的可靠性。高去除速率、速率可控性与抑制电化学腐蚀是RMG平坦化抛光液的核心挑战。通过研究氧化剂、FA/OⅡ螯合剂和SiO_2磨料之间的配比,来控制自钝化、络合溶解及传质三个过程的动态平衡,实现高去除速率及速率可控性。实验结果表明,氧化剂体积分数和FA/OⅡ螯合剂体积分数之比为4∶3、SiO_2磨料质量分数为24%时,铝栅CMP的自钝化、络合溶解及传质三个过程之间基本达到平衡,获得了较高的去除速率和较佳的表面粗糙度,分别为286.2 nm/min和12.83 nm。按照该比例成倍加入三种化学试剂,达到了速率可控的目的。 展开更多
关键词 后形成栅极(RMG) 铝栅 化学机械抛光(cmp) 去除速率 抛光液
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高性能亚100nm栅长氮氧叠层栅介质难熔W/Ti N金属栅电极CMOS器件(英文)
11
作者 钟兴华 周华杰 +1 位作者 林钢 徐秋霞 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第3期448-453,共6页
在国内首次将等效氧化层厚度为1·7nm的N/O叠层栅介质技术与W/Ti N金属栅电极技术结合起来,用于栅长为亚100nm的金属栅CMOS器件的制备.为抑制短沟道效应并提高器件驱动能力,采用的关键技术主要包括:1·7nm N/O叠层栅介质,非CMP... 在国内首次将等效氧化层厚度为1·7nm的N/O叠层栅介质技术与W/Ti N金属栅电极技术结合起来,用于栅长为亚100nm的金属栅CMOS器件的制备.为抑制短沟道效应并提高器件驱动能力,采用的关键技术主要包括:1·7nm N/O叠层栅介质,非CMP平坦化技术,T型难熔W/Ti N金属叠层栅电极,新型重离子超陡倒掺杂沟道剖面技术以及双侧墙技术.成功地制备了具有良好的短沟道效应抑制能力和驱动能力的栅长为95nm的金属栅CMOS器件.在VDS=±1·5V,VGS=±1·8V下,nMOS和pMOS的饱和驱动电流分别为679和-327μA/μm.nMOS的亚阈值斜率,DIBL因子以及阈值电压分别为84·46mV/dec ,34·76mV/ V和0·26V.pMOS的亚阈值斜率,DIBL因子以及阈值电压分别为107·4mV/dec ,54·46mV/ V和0·27V.结果表明,这种结合技术可以完全消除B穿透现象和多晶硅耗尽效应,有效地降低栅隧穿漏电并提高器件可靠性. 展开更多
关键词 等效氧化层厚度 氮氧叠层栅介质 W/TiN金属栅 cmp平坦化
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关于FA/O螯合剂降低铜布线片漏电流的研究 被引量:1
12
作者 苏伟东 刘玉岭 +4 位作者 高宝红 黄妍妍 田巧伟 刘楠 杨飞 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2012年第10期679-682,共4页
简要论述了互连工艺中铜布线取代铝布线的必然趋势,以及铜布线片化学机械抛光(CMP)后进行清洗的必要性。在集成电路制造的过程中,漏电流的危害已经引起了广泛关注。在CMP过程中产生的三种主要表面缺陷对漏电流都有一定的影响,但其中重... 简要论述了互连工艺中铜布线取代铝布线的必然趋势,以及铜布线片化学机械抛光(CMP)后进行清洗的必要性。在集成电路制造的过程中,漏电流的危害已经引起了广泛关注。在CMP过程中产生的三种主要表面缺陷对漏电流都有一定的影响,但其中重金属离子对漏电流的影响是最大的。通过使用不同浓度的FA/O螯合剂对铜布线片进行清洗,从而得出最佳的去除金属离子降低漏电流的清洗浓度。为了防止FA/O螯合剂对铜线条造成腐蚀,采用在清洗液中加入缓蚀剂苯并三氮唑(BTA)来有效控制铜线条的表面腐蚀,从而得到理想的清洗结果。25℃时,加入20 mmol/L BTA的体积分数为0.4%的FA/O螯合剂降低漏电流的效果最佳。 展开更多
关键词 cmp后清洗 漏电流 FA/O螯合剂 苯并三氮唑(BTA) 金属离子污染
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化学机械抛光中的颗粒技术 被引量:2
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作者 Kalyan S. Gokhale Brij M. Moudgil +1 位作者 涂佃柳(译) 刘晓斌(译) 《电子工业专用设备》 2011年第2期1-7,共7页
多层金属化是集成芯片以摩尔定律的速度更替的重要工艺手段。在多层金属化中,平坦的晶圆表面对每道工序的成功完成都是非常必要的,而化学机械抛光工艺能在每道工序之前将晶圆表面抛光。化学机械抛光主要是通过使用颗粒研浆去除材料来实... 多层金属化是集成芯片以摩尔定律的速度更替的重要工艺手段。在多层金属化中,平坦的晶圆表面对每道工序的成功完成都是非常必要的,而化学机械抛光工艺能在每道工序之前将晶圆表面抛光。化学机械抛光主要是通过使用颗粒研浆去除材料来实现晶圆抛光。除了研浆本身的化学性质外,研浆的效果也受研磨颗粒性质的影响。如果我们能够更好的理解研磨颗粒的特性和颗粒研磨机制,将会有助于提高化学机械抛光效果。本文主要讨论了颗粒形成、研浆稳定性、颗粒润滑以及化学机械抛光中颗粒设计中的最新进展。 展开更多
关键词 cmp 多层金属化 研磨颗粒 设计
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Defectivity control of aluminum chemical mechanical planarization in replacement metal gate process of MOSFET 被引量:1
14
作者 张金 刘玉岭 +2 位作者 闫辰奇 何彦刚 高宝红 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 2016年第4期120-124,共5页
The replacement metal gate(RMG) defectivity performance control is very challenging in high-k metal gate(HKMG) chemical mechanical polishing(CMP). In this study, three major defect types, including fall-on parti... The replacement metal gate(RMG) defectivity performance control is very challenging in high-k metal gate(HKMG) chemical mechanical polishing(CMP). In this study, three major defect types, including fall-on particles, micro-scratch and corrosion have been investigated. The research studied the effects of polishing pad,pressure, rotating speed, flow rate and post-CMP cleaning on the three kinds of defect, which finally eliminated the defects and achieved good surface morphology. This study will provide an important reference value for the future research of aluminum metal gate CMP. 展开更多
关键词 chemical mechanical planarization(cmp high-k metal gate(HKMG) defectivity control surface morphology
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