基于熵带与DS理论的焊缝等级磁记忆量化评价

针对焊缝不同等级的磁记忆特征提取及定量评价难题,提出信息熵带与D-S理论联合的磁记忆定量评价模型。以Q235B焊接试件为实验材料,通过焊缝疲劳损伤试验,对照X射线定量评价标准,引入能够反映焊缝损伤程度的奇异谱熵、功率谱熵和小波空间能谱熵,分别提取不同损伤等级对应的这3种信息熵及其熵带的特征值,构建基于信息熵带数学期望的各等级贴近度公式,以信息熵贴近度作为证据体,建立基本可信度分配函数,通过D-S理论的证据组合原理将基本可信度进行信息融合,依据D-S诊断规则输出焊缝缺陷等级的定量识别结果,建立基于信息熵带和D-S证据理论联合的焊缝等级磁记忆评价模型。结果表明焊缝等级识别的不确定度为0.008,为实际工程中焊缝缺陷等级磁记忆定量化评定提供新的思路和方法依据。

全耗尽SOI器件源/漏区抬升结构的形成（英文）

介绍了在全耗尽绝缘体上硅(FDSOI)结构上,通过在SOI表面外延生长形成金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)源/漏区抬升结构的方法。研究了不同的工艺参数对外延生长的影响,从而在合适的掺杂浓度下得到均匀的外延生长形貌。提出了两种新的途径来控制SOI的厚度:采用一种新的方法生长垫氧层,以及在源漏区外延生长前,在衬底外延生长硅薄膜层,从而补偿工艺导致的SOI损耗。这两种新的方法使SOI厚度增加了约5 nm。工艺优化后的FDSOI器件沟道厚度约为6 nm,源漏外延层厚度为20~30 nm。最后,阐述了外延成分对器件电学性能的影响。

新型金属源/漏工程新进展

当MOSFET器件的栅长缩小到纳米尺度以后,金属源/漏(S/D)结构具有一系列的优点:原子级突变结能够抑制短沟道效应(SCE),低S/D串联电阻和接触电阻,S/D形成的低温工艺适宜集成高k栅介质、金属栅和应变硅等新材料,使之成为掺杂硅S/D结构最有希望的替代者。文章主要介绍形成低肖特基势垒高度(SBH,Schottky Barrier Height)结材料的选择,以及采用杂质分凝、界面工程和应变工程等肖特基势垒调节技术的主要制备工艺和势垒调节机理。

长寿湖水体及底泥中重金属的空间分布及污染评价

通过研究长寿湖水体及底泥重金属的质量浓度及空间分布格局,以及利用饮用水标准、地表水标准及渔业水质标准、地质积累指数评价长寿湖水质及底泥状况.结果表明:长寿湖的水质较好,仅Hg是潜在污染物质,最大值出现在人类活动较频繁的的野猫岩区域;底泥中的Cd,Pb,Cu是主要的污染物质,As和Hg也已处于轻微污染的状态;底泥中的重金属元素在空间分布中呈现出较好的一致性.相关性分析表明,水体重金属和底泥重金属元素间的关系都不密切,说明重金属没有特定的污染源.