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具有势垒增强层的MSM光电探测器暗电流的计算
被引量:
2
1
作者
覃化
史常忻
王森章
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
1998年第2期176-180,共5页
将具有完全晶格匹配势垒增强层的MSM-PD简化为一维模型,并通过理论分析,得出了它的暗电流特性,进一步得到器件暗电流与势垒增强层的关系。
关键词
肖特基势垒
势垒增强层
暗电流特性
msm-pd
下载PDF
职称材料
题名
具有势垒增强层的MSM光电探测器暗电流的计算
被引量:
2
1
作者
覃化
史常忻
王森章
机构
上海交通大学微电子技术研究所
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
1998年第2期176-180,共5页
文摘
将具有完全晶格匹配势垒增强层的MSM-PD简化为一维模型,并通过理论分析,得出了它的暗电流特性,进一步得到器件暗电流与势垒增强层的关系。
关键词
肖特基势垒
势垒增强层
暗电流特性
msm-pd
Keywords
Schottky Barrier
Barrier-enhancement Layer
Dark Current Characteristic
metal-semiconductor-metal
photo-detector
(
msm-pd
)
分类号
TN36 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
具有势垒增强层的MSM光电探测器暗电流的计算
覃化
史常忻
王森章
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
1998
2
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职称材料
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