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具有势垒增强层的MSM光电探测器暗电流的计算 被引量:2
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作者 覃化 史常忻 王森章 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1998年第2期176-180,共5页
将具有完全晶格匹配势垒增强层的MSM-PD简化为一维模型,并通过理论分析,得出了它的暗电流特性,进一步得到器件暗电流与势垒增强层的关系。
关键词 肖特基势垒 势垒增强层 暗电流特性 msm-pd
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