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Effect of Back Diffusion of Mg Dopants on Optoelectronic Properties of InGaN-Based Green Light-Emitting Diodes
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作者 张宁 魏学成 +6 位作者 路坤熠 冯梁森 杨杰 薛斌 刘喆 李晋闽 王军喜 《Chinese Physics Letters》 SCIE CAS CSCD 2016年第11期96-98,共3页
The effect of back-diffusion of Mg dopants on optoelectronic characteristics of InGaN-based green light-emitting diodes (LEDs) is investigated. The LEDs with less Mg back-diffusion show blue shifts of longer wavelen... The effect of back-diffusion of Mg dopants on optoelectronic characteristics of InGaN-based green light-emitting diodes (LEDs) is investigated. The LEDs with less Mg back-diffusion show blue shifts of longer wavelengths and larger wavelengths with the increasing current, which results from the Mg-dopant-related polarization screening. The LEDs show enhanced efficiency with the decreasing Mg back-diffusion in the lower current region. Light outputs follow the power law L α I^m, with smaller parameter m in the LEDs with less Mg back-diffusion, indicating a lower density of trap states. The trap-assisted tunneling current is also suppressed by reducing Mg- defect-related nonradiative centers in the active region. Furthermore, the forward current-voltage characteristics are improved. 展开更多
关键词 LEDs in it as InGaN Effect of Back Diffusion of mg dopants on Optoelectronic Properties of InGaN-Based Green Light-Emitting Diodes of on
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在Al_xGa_(1-x)As/GaAs太阳电池中的Mg掺杂和接触扩散特性
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作者 罗江财 刘宗光 《功能材料》 EI CAS CSCD 1993年第1期76-79,共4页
研究了液相外延生长的高铝含量的Al_xGa_(1-x)/GaAs结构中的Mg掺杂特性,测量了各种接触扩散时间所对应的载流子浓度分布和表面质量。表明用Mg掺杂和接触扩散,能得到合适的结深和较高的载流子浓度的P-GaAs层。如果母液组份和生长温度恒定... 研究了液相外延生长的高铝含量的Al_xGa_(1-x)/GaAs结构中的Mg掺杂特性,测量了各种接触扩散时间所对应的载流子浓度分布和表面质量。表明用Mg掺杂和接触扩散,能得到合适的结深和较高的载流子浓度的P-GaAs层。如果母液组份和生长温度恒定,并适当控制接触扩散时间,可以制备出重复性好的均匀高质量P-N结。 展开更多
关键词 mg掺杂 接触扩散 浓度 太阳能电池
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Na-Mg弱掺杂ZnO薄膜的结构和电学特性 被引量:5
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作者 王烨 李伟 +3 位作者 赵文刚 杨文继 王德明 马忠权 《上海大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2006年第6期604-609,共6页
报道了用溶胶凝胶法制备由Na、Mg两种元素共同掺杂的ZnO薄膜,研究了在Na-Mg共同掺杂情况下,ZnO薄膜的表面形貌、微结构和电学性质.通过改变Na、Mg掺杂量与Zn的比值,ZnO薄膜可呈现良好的c-轴取向.同时,经过Hall效应测量发现:ZnO薄膜的电... 报道了用溶胶凝胶法制备由Na、Mg两种元素共同掺杂的ZnO薄膜,研究了在Na-Mg共同掺杂情况下,ZnO薄膜的表面形貌、微结构和电学性质.通过改变Na、Mg掺杂量与Zn的比值,ZnO薄膜可呈现良好的c-轴取向.同时,经过Hall效应测量发现:ZnO薄膜的电阻率、载流子浓度和迁移率随着Na、Mg的掺杂量而变化,并出现离散性,薄膜电阻率最低可达0.57×105Ω.cm,具有P-型传导性. 展开更多
关键词 溶胶凝胶法 Na-mg掺杂 ZNO薄膜 电阻率测量
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弛豫铁电陶瓷Ba(Mg,Nb)O_3的制备及性能研究
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作者 单连伟 吴泽 +2 位作者 董立敏 韩志东 张显友 《信息记录材料》 2009年第4期18-21,共4页
采用传统陶瓷烧结方法,在空气气氛下烧结制得Ba(Mg,Nb)O3(BMN)陶瓷,并分析了烧结温度对体系相组成及相结构的影响。X射线衍射(XRD)研究表明,随着烧结时间的增加,体系中钙钛矿相也相应增加。红外(FTIR)研究研究表明结构无序的BMN钙钛矿... 采用传统陶瓷烧结方法,在空气气氛下烧结制得Ba(Mg,Nb)O3(BMN)陶瓷,并分析了烧结温度对体系相组成及相结构的影响。X射线衍射(XRD)研究表明,随着烧结时间的增加,体系中钙钛矿相也相应增加。红外(FTIR)研究研究表明结构无序的BMN钙钛矿相中部分的区域出现了结构有序现象。通过X射线光电子能谱(XPS)可以发现,随着烧结温度的增加,体系中Nb2O5进入Ba(Mg1/3,Nb2/3)O3晶格。微波介电性能表明,随着烧结温度的增加,Ba(Mg,Nb)O3的rε和Qf值有逐渐增加的趋势。 展开更多
关键词 Ba(mg Nb)O3 XPS 微波性能
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Mg掺杂的ZnO薄膜的带隙宽化
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作者 胡永金 吴云沛 +2 位作者 刘国营 史秋月 罗时军 《湖北汽车工业学院学报》 2013年第1期56-59,共4页
用溶胶-凝胶法分别在硅片和玻璃衬底上生长出了纯的和Mg掺杂的ZnO薄膜。通过对Mg掺杂的ZnO薄膜进行元素成分分析,证明Mg元素成功地掺入到ZnO晶格中。通过透射光谱,得到了其带隙能量,且大小随着掺杂浓度的增加而线性增大。在同样掺杂浓度... 用溶胶-凝胶法分别在硅片和玻璃衬底上生长出了纯的和Mg掺杂的ZnO薄膜。通过对Mg掺杂的ZnO薄膜进行元素成分分析,证明Mg元素成功地掺入到ZnO晶格中。通过透射光谱,得到了其带隙能量,且大小随着掺杂浓度的增加而线性增大。在同样掺杂浓度下,从光致发光光谱得到的带隙能量略大于通过透射光谱计算的结果,但是两者的增长率非常接近。 展开更多
关键词 mg掺杂的ZnO薄膜 溶胶-凝胶法 掺杂浓度 带隙宽化
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Mg杂质调控高Al组分AlGaN光学偏振特性
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作者 郑同场 林伟 +3 位作者 蔡端俊 李金钗 李书平 康俊勇 《厦门大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2016年第2期237-243,共7页
高Al组分(即原子分数)AlGaN带边发光以e光为主的发光特性,从根本上限制了沿c面生长器件的正面出光,成为光电器件发光效率急剧下降的主要原因.第一性原理模拟计算表明,AlxGa1-xN混晶的晶格常数比c/a偏离理想值程度随Al组分的增大而增大,... 高Al组分(即原子分数)AlGaN带边发光以e光为主的发光特性,从根本上限制了沿c面生长器件的正面出光,成为光电器件发光效率急剧下降的主要原因.第一性原理模拟计算表明,AlxGa1-xN混晶的晶格常数比c/a偏离理想值程度随Al组分的增大而增大,导致晶体场分裂能Δcr从GaN的40meV逐渐减小;当组分达到0.5时呈现0值,Al组分继续提升,Δcr进一步下降,价带顶排列顺序翻转,直至AlN达到最低值-197meV.通过Mg掺杂应变AlGaN量子结构能带工程调控高Al组分AlGaN的价带结构,反转价带顶能带排序,实现光发射o光占主导,从根本上克服高Al组分AlGaN发光器件正面出光难的问题. 展开更多
关键词 高Al组分AlGaN 发光偏振特性 mg杂质 能带工程
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XPS Study on Barium Lanthanum Magnesium Niobate
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作者 单连伟 张显友 《Journal of Rare Earths》 SCIE EI CAS CSCD 2006年第z2期310-313,共4页
Relaxor-type ferroelectric perovskites attract a lot of attentions due to their excellent dielectric and electrostrictive properties. (Ba,La)(Mg, Nb)O3(BLMN) ceramics were synthesized from oxides by sintering in airs ... Relaxor-type ferroelectric perovskites attract a lot of attentions due to their excellent dielectric and electrostrictive properties. (Ba,La)(Mg, Nb)O3(BLMN) ceramics were synthesized from oxides by sintering in airs using a conventional mixed oxide process. Thermogravimetry-differential analyzer (TG-DTA) analysis shows that the fired temperature of the Ba(Mg1/3, Nb2/3)O3 is above 1627.2 K. From the study of X-ray diffraction (XRD) patterns, it is founded that the amount of the perovskite phase increases with the increasing amount of La2O3. Furthermore, by the X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) analysis, it is discovered that the amount of Nb4+ is increased as La2O3 dopant increases from 0 to 0.04. 展开更多
关键词 (Ba La)(mg Nb)O3 XPS PEROVSKITE dopant rare earths
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掺杂GaN/AlN超晶格第一性原理计算研究 被引量:2
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作者 饶雪 王如志 +1 位作者 曹觉先 严辉 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2015年第10期242-249,共8页
第一性原理计算方法在解释实验现象和预测新材料结构及其性质上有着重要作用.因此,通过基于密度泛函理论的第一性原理的方法,本文系统地研究了Mg和Si掺杂闪锌矿和纤锌矿两种晶体结构的GaN/AlN超晶格体系中的能量稳定性以及电学性质.结... 第一性原理计算方法在解释实验现象和预测新材料结构及其性质上有着重要作用.因此,通过基于密度泛函理论的第一性原理的方法,本文系统地研究了Mg和Si掺杂闪锌矿和纤锌矿两种晶体结构的GaN/AlN超晶格体系中的能量稳定性以及电学性质.结果表明:在势阱层(GaN层)中,掺杂原子在体系中的掺杂形成能不随掺杂位置的变化而发生变化,在势垒层(Al N层)中也是类似的情况,这表明对于掺杂原子来说,替代势垒层(或势阱层)中的任意阳离子都是等同的;然而,相比势阱层和势垒层的掺杂形成能却有很大的不同,并且势阱层的掺杂形成能远低于势垒层的掺杂形成能,即掺杂元素(MgGa,MgAl,SiGa和SiAl)在势阱区域的形成能更低,这表明杂质原子更易掺杂于结构的势阱层中.此外,闪锌矿更低的形成能表明:闪锌矿结构的超晶格体系比纤锌矿结构的超晶格体系更易于实现掺杂;其中,闪锌矿结构中,负的形成能表明:当Mg原子掺入闪锌矿结构的势阱层中会自发引起缺陷.由此,制备以闪锌矿结构超晶格体系为基底的p型半导体超晶格比制备n型半导体超晶格需要的能量更低并且更为容易制备.对于纤锌矿体系来说,制备p型和n型半导体的难易程度基本相同.电子态密度对掺杂体系的稳定性和电学性质进一步分析发现,掺杂均使得体系的带隙减小,掺杂前后仍然为第一类半导体.综上所述,本文内容为当前实验中关于纤锌矿结构难以实现p型掺杂问题提供了一种新的技术思路,即可通过调控相结构实现其p型掺杂. 展开更多
关键词 GaN/AlN超晶格 第一性原理 Si和mg掺杂 电子态密度
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