V^(5+)取代对Mg_4(SbNb_(1-x)V_x)O_9陶瓷介电性能的影响

研究了不同V^(5+)含量Mg_4(SbNb_(1-x)V_x)O_9[MSNV,0.05≤x≤0.3]系陶瓷的烧结特性、微观结构和微波介电性能.结果表明:一定量V^(5+)取代能够明显降低该陶瓷的烧结温度.在所有组成范围内,XRD显示了单一刚玉型结构.随V^(5+)含量的增加,样品的介电常数ε和品质因数Q·f先增大后减小,样品的谐振频率温度系数τ_f逐渐减小,这是由于V^(5+)的取代使得B位键价增强所致.在c=0.15,1250℃烧结,可获得ε_r=9.98,Q·f=20248GHz(8GHz),τ_f=-23.3×10^(-6)·K^(-1)的新型微波介质陶瓷.

Ba(Mg1/3Nb2/3)O3-Mg4Nb2O9复相陶瓷微波介电性能研究

采用传统固相法制备了(1-x)Ba(Mg1/3Nb2/3)O3-xMg4Nb2O9[(1-x)BMN-xM4N2,x=0.003~0.125]微波介质陶瓷,研究了相结构、烧结性能与介电性能随x的变化规律。结果表明:BMN与M4N2可以两相共存,且二者间存在有限固溶,BMN的烧结温度及高温稳定性有所降低。随着x的增大,介电常数εr和谐振频率温度系数τf逐渐减小,Q×f值的变化易受到BMN有序参数S的影响,高度1:2有序的x=0.026陶瓷获得了最大Q×f值125000 GHz。综合来看,在1320℃下保温4 h烧结的x=0.125样品表现出最佳的微波介电性能:εr=26.6,Q×f=111000 GHz,τf=5 ppm/℃。