期刊文献+
共找到1篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
含钪扩散阴极电子发射研究 被引量:2
1
作者 王辉 李季 +4 位作者 潘克新 廉艳强 王金淑 王一曼 刘伟 《真空电子技术》 2006年第5期14-18,共5页
采用水冷阳极平板二极管结构测试了含钪扩散阴极,结果表明,它有比其它扩散阴极更大的发射电流密度。在849℃(亮度温度),利用亚微米粉体制备的含钪阴极的功函数约为1.55 eV,电子发射常数为1.126 A/cm2K2。同时,采用米拉曲线讨论了这类阴... 采用水冷阳极平板二极管结构测试了含钪扩散阴极,结果表明,它有比其它扩散阴极更大的发射电流密度。在849℃(亮度温度),利用亚微米粉体制备的含钪阴极的功函数约为1.55 eV,电子发射常数为1.126 A/cm2K2。同时,采用米拉曲线讨论了这类阴极的欠热特性和电子发射性能。 展开更多
关键词 亚微米粉体 含钪扩散阴极 电子发射 米拉曲线
下载PDF
上一页 1 下一页 到第
使用帮助 返回顶部