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调制周期数对Mo/AZO成分调制多层膜透光、反光特性以及电性能的影响
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作者 张邵奇 吴隽 +3 位作者 王凯丰 宋坤峰 卢志红 祝柏林 《武汉科技大学学报》 CAS 北大核心 2024年第2期107-113,共7页
采用射频(RF)和单极中频脉冲直流(UMFPDC)磁控溅射技术,在300℃下制备了Mo/AZO成分调制多层膜。测试结果表明,Mo/AZO成分调制多层膜以(002)为取向的六方纤锌矿型ZnO结构为主;薄膜中Mo的化学态随薄膜厚度而变化,当薄膜厚度为1.67 nm时,M... 采用射频(RF)和单极中频脉冲直流(UMFPDC)磁控溅射技术,在300℃下制备了Mo/AZO成分调制多层膜。测试结果表明,Mo/AZO成分调制多层膜以(002)为取向的六方纤锌矿型ZnO结构为主;薄膜中Mo的化学态随薄膜厚度而变化,当薄膜厚度为1.67 nm时,Mo除单质态外,还存在部分+4和+5的离子价态,当薄膜厚度降至0.83 nm时,已无单质态Mo;调制周期数对成分调制多层膜的透光、反光特性以及电性能影响显著,当调制周期数为3时,Mo/AZO成分调制多层膜的综合性能达到最佳,电阻率、霍尔迁移率和载流子浓度分别为8.64×10^(-4)Ω·cm、8.78 cm^2)/(V·s)和8.23×10^(20)cm^(-3)。在保持金属层、半导体层总厚度不变的情况下,通过改变调制周期数可以增加薄膜的光学透过率并可在较宽范围内调节多层膜的综合性能,这为制备综合性能优异的金属/半导体型透光导电薄膜提供了一条切实可行的途径。 展开更多
关键词 磁控溅射 mo/AZO多层膜 调制周期 光性能 电性能
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Enhanced Photoelectric Property of Mo-C Codoped TiO2 Films Deposited by RF Magnetron Cosputtering 被引量:2
2
作者 罗胜耘 YAN Bingxi 沈杰 《Journal of Wuhan University of Technology(Materials Science)》 SCIE EI CAS 2017年第2期223-228,共6页
Mo-C codoped TiO2 films were prepared by RF magnetron cosputtering. Ultraviolet-visible spectroscopy, atomic force microscopy, X-ray photoelectron spectroscopy, energy dispersive X-ray Analysis and X-Ray Diffraction w... Mo-C codoped TiO2 films were prepared by RF magnetron cosputtering. Ultraviolet-visible spectroscopy, atomic force microscopy, X-ray photoelectron spectroscopy, energy dispersive X-ray Analysis and X-Ray Diffraction were used to study the influences of codoping on energy gap, surface morphology, valence states of elements, ions content and crystal structure, respectively. The concentration of photogenerated carriers was measured by studying photocurrent density, while catalytic property was evaluated by observing degradation rate of methylene blue under visible light. A Mo-doped TiO2 film, whose content of Mo had been optimized in advance, was prepared and later used for subsequent comparisons with codoped samples. The result indicates that Mo-C codoping could curtail the energy gap and shift the absorption edge toward visible range. Under the illumination of visible light, codoped TiO2 films give rise to stronger photocurrent due to smaller band gaps. It is also found that Mo, C codoping results in a porous surface, whose area declines gradually with increasing carbon content. Carbon and Molybdenum doses were delicately optimized. Under the illumination of visible light, sample doped with 9.78at% carbon and 0.36at% Mo presents the strongest photocurrent which is about 8 times larger than undoped TiO2 films, and about 6 times larger than samples doped with Mo only. 展开更多
关键词 mo-C codoping TiO2 film magnetron sputtering photoelectric photocatalytic property
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Influence of bath composition on the electrodeposition of cobalt-molybdenum amorphous alloy thin films
3
作者 Qiaoying Zhou Hongliang Ge Guoying Wei Qiong Wu 《Journal of University of Science and Technology Beijing》 CSCD 2008年第5期611-617,共7页
Cobalt-molybdenum (Co-Mo) amorphous alloy thin films were deposited on copper substrates by the electrochemical method at pH 4.0. Among the experimental electrodeposition parameters,only the concentration ratio of m... Cobalt-molybdenum (Co-Mo) amorphous alloy thin films were deposited on copper substrates by the electrochemical method at pH 4.0. Among the experimental electrodeposition parameters,only the concentration ratio of molybdate to cobalt ions ([MoO4^2-]/[Co^2+]) was varied to analyze its influence on the mechanism of induced cobalt-molybdenum codeposition. Voltammetry was one of the main techniques,which was used to examine the voltammetric response,revealing that cobalt-molybdenum codeposition depended on the nature of the species in solution. To correlate the type of the film to the electrochemical response,various cobalt-molybdenum alloy thin films obtained from different [MoO4^2-]/[Co^2+] solutions were tested. Crack-free homogeneous films could be easily obtained from the low molybdate concentrations ([MoO4^2-]/[Co^2+]≈0.05) applying low deposition potentials. Moreover,the content of molybdenum up to 30wt% could be obtained from high molybdate concentration; in this case,the films showed cracks. The formation of these cracked films could be predicted from the observed distortions in the curves of electric current-time (j-t) deposition transients. The films with amorphous structure were obtained. The hysteresis loops suggested that the easily magnetized axis was parallel to the surface of the films. A saturation magnetization of 137 emu·g^-1 and a coercivity of 87 Oe of the film were obtained when the deposition potential was -1025mV,and [ MoO4^2-]/[Co^2+] was 0.05 in solution,which exhibited a nicer soft-magnetic response. 展开更多
关键词 Co-mo alloy thin films AmoRPHOUS ELECTRODEPOSITION soft magnetism
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溅射功率对Mo薄膜微结构和性能的影响 被引量:10
4
作者 廖国 何智兵 +4 位作者 陈太红 许华 李俊 谌加军 唐永建 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第9期2386-2390,共5页
实验采用直流磁控溅射沉积技术在不同溅射功率下制备Mo膜,研究了不同溅射功率下Mo膜的沉积速率、表面形貌及晶型结构,并对其晶粒尺寸和应力进行了研究。利用原子力显微镜观察样品的表面形貌发现随着溅射功率的增加,薄膜表面粗糙度逐渐... 实验采用直流磁控溅射沉积技术在不同溅射功率下制备Mo膜,研究了不同溅射功率下Mo膜的沉积速率、表面形貌及晶型结构,并对其晶粒尺寸和应力进行了研究。利用原子力显微镜观察样品的表面形貌发现随着溅射功率的增加,薄膜表面粗糙度逐渐增大。X射线衍射分析表明薄膜呈立方多晶结构,晶粒尺寸为14.1~17.9nm;应力先随溅射功率的增大而增大,在40W时达到最大值(2.383GPa),后随溅射功率的增大有所减小。 展开更多
关键词 直流磁控溅射 mo薄膜 溅射功率 表面形貌 X射线衍射
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直流溅射工艺参数对Mo薄膜结构及电性能的影响 被引量:5
5
作者 黄涛 闫勇 +6 位作者 黄稳 张艳霞 晏传鹏 刘连 张勇 赵勇 余洲 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第4期499-503,共5页
采用直流磁控溅射法在SLG衬底上沉积Mo薄膜,对不同溅射功率和溅射工作气压下沉积的薄膜进行X射线衍射、SEM(扫描电子显微镜)、电阻率测试,讨论了工艺参数对沉积Mo薄膜相结构、表面微观形貌、薄膜沉积速率和电学性能的影响。结果表明,随... 采用直流磁控溅射法在SLG衬底上沉积Mo薄膜,对不同溅射功率和溅射工作气压下沉积的薄膜进行X射线衍射、SEM(扫描电子显微镜)、电阻率测试,讨论了工艺参数对沉积Mo薄膜相结构、表面微观形貌、薄膜沉积速率和电学性能的影响。结果表明,随着溅射功率的增加,薄膜的结晶性能变好,沉积速率提高,在沉积功率范围内薄膜均匀致密,表面无空隙,电阻率较低;随着溅射工作气压增加,薄膜结晶性能变差,沉积速率先增加后降低,在沉积工作气压范围内,薄膜致密;随气压降低,电阻率急剧减小。因此,较高的溅射功率和较低的工作气压沉积的Mo薄膜更适合作CIGS薄膜太阳电池的BC层(背接触层)。 展开更多
关键词 mo薄膜 直流磁控溅射 电阻率
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工作气压对磁控溅射Mo膜的影响 被引量:4
6
作者 廖国 王冰 +9 位作者 张玲 牛忠彩 张志娇 何智兵 杨晓峰 李俊 许华 陈太红 曾体贤 谌家军 《表面技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第6期82-84,93,共4页
采用直流磁控溅射沉积技术在不同工作气压下制备Mo膜,研究了工作气压对Mo膜的沉积速率、表面形貌及晶型结构的影响规律,研究表明:工作气压在0.1~0.5Pa范围内,沉积速率基本保持不变,在0.5~1.5Pa范围内沉积速率随工作气压的升高而增大;M... 采用直流磁控溅射沉积技术在不同工作气压下制备Mo膜,研究了工作气压对Mo膜的沉积速率、表面形貌及晶型结构的影响规律,研究表明:工作气压在0.1~0.5Pa范围内,沉积速率基本保持不变,在0.5~1.5Pa范围内沉积速率随工作气压的升高而增大;Mo膜的表面粗糙度随工作气压的升高而增加;不同工作气压下制备的Mo膜为立方结构,在较低工作气压下薄膜结晶性能较好。 展开更多
关键词 直流磁控溅射 mo薄膜 工作气压 沉积速率 表面形貌
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Ti-Mo合金薄膜的储氢特性和抗氢脆能力 被引量:24
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作者 施立群 周筑颖 赵国庆 《金属学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2000年第5期530-534,共5页
用前向反冲方法和高能非Rutherford背散射方法研究了磁控溅射制备的Ti-Mo合金薄膜的氢化性能和碳、氧污染的影响。掺Mo的Ti合金薄膜不仅能大大减低碳的污染,而且较纯钛有较高的吸氢性能.合金氢化后由δ相氢化物和... 用前向反冲方法和高能非Rutherford背散射方法研究了磁控溅射制备的Ti-Mo合金薄膜的氢化性能和碳、氧污染的影响。掺Mo的Ti合金薄膜不仅能大大减低碳的污染,而且较纯钛有较高的吸氢性能.合金氢化后由δ相氢化物和β相固溶体组成.随着Mo成分增加,合金中的β-(Ti,Mo)含量上升.当Mo含量(原子分数,%)约20时可形成单一的β相固溶体,此时氢含量(原子分数,%)仍可在45以上.Ti-Mo合金薄膜同时也具有良好的附着力和抗粉化性能。 展开更多
关键词 TI-mo合金 薄膜 氢化 氢脆 储氢特性
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CIGS薄膜太阳能电池用Mo背电极的制备与结构性能研究 被引量:6
8
作者 赵志明 丁宇 +4 位作者 曹智睿 田亚萍 屈直 张国君 蒋百灵 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第12期74-77,共4页
利用磁控溅射技术在Soda-lime玻璃衬底上沉积CIGS薄膜太阳能电池用金属Mo背电极薄膜,并研究了Mo靶功率、基片脉冲宽度以及预清洗时间对Mo薄膜的相结构、形貌及电阻率的影响。结果表明,沉积的Mo薄膜均沿(110)晶面呈柱状择优生长;增大Mo... 利用磁控溅射技术在Soda-lime玻璃衬底上沉积CIGS薄膜太阳能电池用金属Mo背电极薄膜,并研究了Mo靶功率、基片脉冲宽度以及预清洗时间对Mo薄膜的相结构、形貌及电阻率的影响。结果表明,沉积的Mo薄膜均沿(110)晶面呈柱状择优生长;增大Mo靶溅射功率可以促进薄膜晶粒长大、提高薄膜的致密性、降低电阻率;合适的基片脉冲电压脉宽促进了晶核的形成、长大并有助于沉积过程中Mo晶粒长大,进而降低薄膜电阻率;通过延长预清洗时间可获得致密性好、电阻率低的Mo薄膜,所获得的Mo薄膜最低电阻率为3.5×10-5Ω.cm。 展开更多
关键词 mo薄膜 磁控溅射 XRD SEM
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不同金属基体上MoS_2纳米微粒LB膜摩擦学行为研究 被引量:17
9
作者 张平余 薛群基 +2 位作者 刘维民 张治军 杜祖亮 《摩擦学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第2期112-116,共5页
研究了Cu、Ag及Au等金属基体上二烷基二硫代磷酸修饰MoS2纳米微粒LB膜的摩擦学性能,用红外显微镜分析LB膜在摩擦过程中的结构变化,用电子探针分析考察不同金属基体上LB膜的磨痕形貌.结果表明:DDP修饰MoS2纳... 研究了Cu、Ag及Au等金属基体上二烷基二硫代磷酸修饰MoS2纳米微粒LB膜的摩擦学性能,用红外显微镜分析LB膜在摩擦过程中的结构变化,用电子探针分析考察不同金属基体上LB膜的磨痕形貌.结果表明:DDP修饰MoS2纳米微粒LB膜可有效降低Ag和Cu与GCr15钢对摩时的摩擦系数;该LB膜极易向对偶转移并在摩擦过程中发生摩擦化学变化,主要包括无序化转变及修饰剂的部分分解;无机纳米核起主要承载和抗磨作用.Cu基体上的LB膜耐磨寿命较Ag基体上LB膜的耐磨寿命高100倍,这主要因LB膜与Ag基体的结合较弱. 展开更多
关键词 LB膜 纳米微粒 摩擦学行为 摩擦化学 二硅化钼
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Mo的掺杂方式对TiO_2光催化活性的影响 被引量:11
10
作者 杨莹 李新军 +2 位作者 陈俊涛 王良焱 何明兴 《中国有色金属学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第3期509-514,共6页
通过溶胶凝胶法制备了以不同方式和不同浓度掺Mo的TiO2薄膜。通过X射线衍射(XRD)、UV VIS透射光谱、电化学阻抗谱分析了Mo对TiO2薄膜晶粒结构、光吸收性能、阻抗的影响。甲基橙光催化降解实验表明,钼的最佳掺杂方式为在薄膜底层掺杂,在... 通过溶胶凝胶法制备了以不同方式和不同浓度掺Mo的TiO2薄膜。通过X射线衍射(XRD)、UV VIS透射光谱、电化学阻抗谱分析了Mo对TiO2薄膜晶粒结构、光吸收性能、阻抗的影响。甲基橙光催化降解实验表明,钼的最佳掺杂方式为在薄膜底层掺杂,在表层及体相掺杂的效果均比未掺杂的TiO2差;其中以Mo的摩尔分数为1.0%、在薄膜底层掺杂时TiO2薄膜的光催化活性最佳。并从载流子分离效率方面讨论了掺杂方式及掺杂浓度对光催化活性的影响。 展开更多
关键词 TIO2 光催化活性 溶胶-凝胶 掺杂
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Ag、Ta元素对MoS_2抗氧化性影响的研究 被引量:3
11
作者 刘仲阳 王培录 +2 位作者 廖小东 郑思孝 孙官清 《机械工程材料》 CAS CSCD 北大核心 2001年第9期10-12,共3页
用离子束辅助沉积方法 (IBAD)制备MoS2 Ag和MoS2 Ta复合膜以及MoS2 膜。用XPS分别检测在相对湿度 10 0 %室温环境下存放 4 5天和室温去离子水浸泡 15 8h以及在 4 30℃加热 1h后的三种膜中Mo、S元素的电子结构。数据表明 :掺有Ag、Ta... 用离子束辅助沉积方法 (IBAD)制备MoS2 Ag和MoS2 Ta复合膜以及MoS2 膜。用XPS分别检测在相对湿度 10 0 %室温环境下存放 4 5天和室温去离子水浸泡 15 8h以及在 4 30℃加热 1h后的三种膜中Mo、S元素的电子结构。数据表明 :掺有Ag、Ta元素的MoS2 复合膜抗氧化特性远优于同种工艺条件下制备的纯MoS2 膜。 展开更多
关键词 离子束辅助沉积 复合膜 氧化 二硫化钼 固体润滑剂
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高择优取向Mo薄膜的直流磁控溅射制备及其电学性能 被引量:5
12
作者 王震东 赖珍荃 +1 位作者 范定环 徐鹏 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第9期1342-1345,共4页
使用直流磁控溅射法在玻璃基底上沉积Mo薄膜,采用X射线衍射仪、原子力显微镜和四探针测试系统研究了溅射工艺对Mo薄膜的结构、形貌和电学性能的影响.结果表明:当基片温度为150℃时,薄膜获得(211)晶面择优取向生长,而在低于250℃的其它... 使用直流磁控溅射法在玻璃基底上沉积Mo薄膜,采用X射线衍射仪、原子力显微镜和四探针测试系统研究了溅射工艺对Mo薄膜的结构、形貌和电学性能的影响.结果表明:当基片温度为150℃时,薄膜获得(211)晶面择优取向生长,而在低于250℃的其它温度条件下,样品则表现为(110)晶面择优取向生长.进一步的表面形貌分析显示:薄膜的粗糙度随基片温度变化不明显,其值大约为0.35nm,随溅射功率密度的增大而变大;电学性能方面:随着溅射功率密度的升高,薄膜导电性能迅速增强,电阻率呈现近似指数函数衰减;随着基底温度的升高,薄膜的电阻率先减小后增大,当基底温度为150℃时,薄膜电阻率降低至最小值2.02×10-5Ω.cm. 展开更多
关键词 直流磁控溅射 mo薄膜 高择优取向 电学性能
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Ar气压强对直流脉冲磁控溅射制备Mo薄膜性能的影响 被引量:10
13
作者 朱继国 丁万昱 +4 位作者 王华林 张树旺 张粲 张俊计 柴卫平 《微细加工技术》 2008年第4期35-38,共4页
利用直流脉冲磁控溅射方法在玻璃衬底上制备太阳电池背接触Mo薄膜。通过台阶仪、四探针电阻仪、X射线衍射仪、紫外-可见分光光度计等研究了Ar气压强对薄膜结构及光电性能的影响,结果表明,在低的Ar气压强下制备的Mo薄膜晶粒尺寸较大,薄... 利用直流脉冲磁控溅射方法在玻璃衬底上制备太阳电池背接触Mo薄膜。通过台阶仪、四探针电阻仪、X射线衍射仪、紫外-可见分光光度计等研究了Ar气压强对薄膜结构及光电性能的影响,结果表明,在低的Ar气压强下制备的Mo薄膜晶粒尺寸较大,薄膜结晶质量好,薄膜具有优良的光电性能,Ar气压强的增加将导致薄膜的晶粒尺寸减小,薄膜结晶质量差,结构疏松,从而降低薄膜的光电性能。Ar气压强为0.4 Pa时制备薄膜的晶粒尺寸为21.02 nm,电阻率最低,为14μΩ.cm,波长190 nm^850 nm范围内的平均反射率可达到66.94%。 展开更多
关键词 mo薄膜 直流脉冲磁控溅射 晶粒尺寸 光电性能
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ITO:Mo透明导电薄膜的制备 被引量:4
14
作者 张春伟 王书昶 +2 位作者 刘振华 刘拥军 何军辉 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2012年第1期111-114,共4页
利用通过固相烧结法得到的自制靶材,采用脉冲激光沉积法(PLD)在不同的衬底温度下沉积得到薄膜。通过XRD对它们的晶体结构进行分析,对薄膜断面进行扫描,测量其薄膜厚度。利用四探针法和霍尔效率测试仪,分别对薄膜的电阻率和载流子浓度及... 利用通过固相烧结法得到的自制靶材,采用脉冲激光沉积法(PLD)在不同的衬底温度下沉积得到薄膜。通过XRD对它们的晶体结构进行分析,对薄膜断面进行扫描,测量其薄膜厚度。利用四探针法和霍尔效率测试仪,分别对薄膜的电阻率和载流子浓度及迁移率进行测量和分析。最后,用分光光度计对薄膜的透光率进行测量和分析,并计算了薄膜的禁带宽度。结果表明,在500℃下沉积的薄膜综合性能最好,电阻率可达2.611×10-4Ω.cm,透光率在90%以上,禁带宽度为4.29eV。 展开更多
关键词 ITO∶mo 透明导电薄膜 PLD TCO
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靶材热处理温度对磁控溅射Mo薄膜组织和性能的影响 被引量:3
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作者 张国君 马杰 +1 位作者 安耿 孙院军 《中国钼业》 2014年第6期36-40,共5页
采用磁控溅射设备和经过不同温度热处理的Mo靶材,以相同的溅射工艺参数,在Si基片上制备了Mo金属薄膜,研究了靶材的热处理温度对Mo薄膜组织和性能的影响。研究结果发现,所制备Mo薄膜均呈现(110)晶面择优取向,而靶材热处理温度的升高能够... 采用磁控溅射设备和经过不同温度热处理的Mo靶材,以相同的溅射工艺参数,在Si基片上制备了Mo金属薄膜,研究了靶材的热处理温度对Mo薄膜组织和性能的影响。研究结果发现,所制备Mo薄膜均呈现(110)晶面择优取向,而靶材热处理温度的升高能够提高(110)晶面的择优取向程度。所有薄膜均为T型低温抑制生长。比较结果表明:经1 200℃热处理的Mo靶材溅射率最高(18.5 nm/min),且其溅射膜具有较小的方阻值和较好的厚度均匀性,综合性能最优。 展开更多
关键词 钼靶材 mo薄膜 择优取向 电性能
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溅射沉积Cu-Mo薄膜的结构和性能 被引量:6
16
作者 郭中正 孙勇 +2 位作者 周铖 沈黎 殷国祥 《中国有色金属学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第6期1422-1428,共7页
用磁控溅射法制备含钼2.19%-35.15%(摩尔分数)的Cu-Mo合金薄膜,运用能谱仪(EDX)、X射线衍射仪(XRD)、透射电镜(TEM)、扫描电镜(SEM)、显微硬度仪和电阻计对薄膜成分、结构和性能进行研究。结果表明:Mo添加使Cu-Mo薄膜晶粒显... 用磁控溅射法制备含钼2.19%-35.15%(摩尔分数)的Cu-Mo合金薄膜,运用能谱仪(EDX)、X射线衍射仪(XRD)、透射电镜(TEM)、扫描电镜(SEM)、显微硬度仪和电阻计对薄膜成分、结构和性能进行研究。结果表明:Mo添加使Cu-Mo薄膜晶粒显著细化,Cu-Mo膜呈纳米晶结构,存在Mo在Cu中的FCC Cu(Mo)非平衡亚稳过饱和固溶体;随Mo含量的增加,Mo固溶度逐渐增加,而薄膜微晶体尺寸则逐渐减小,Mo的最大固溶度为30.6%。与纯Cu膜对比表明,Cu-Mo膜的显微硬度和电阻率随Mo含量的上升而持续增加。经200、400和650℃热处理1 h后,Cu-Mo膜的显微硬度和电阻率均降低,降幅与热处理温度呈正相关;经650℃退火后,Cu-Mo膜基体相晶粒长大,并出现亚微米-微米级富Cu第二相。在Cu-Mo膜的XRD谱中观察到Mo(110)特征峰,Cu-Mo薄膜结构和性能形成及演变的主要原因是添加Mo引起的晶粒细化效应以及热处理中基体相晶粒的生长。 展开更多
关键词 Cu-mo合金薄膜 纳米晶结构 热处理 显微硬度 电阻率
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MoS_2 基共溅射薄膜摩擦学性能的研究 被引量:11
17
作者 孙晓军 汪晓萍 +3 位作者 孙嘉奕 李陇旭 翁立军 于德洋 《摩擦学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第1期20-24,共5页
在球-盘滑动摩擦试验机上考察了法向载荷、盘转速、基体材料和环境气压及潮湿贮存时间对MoS2基共溅射薄膜的摩擦因数和耐磨寿命的影响.结果表明:在给定的试验条件下,法向载荷增大时薄膜的稳态摩擦因数有所减小,而耐磨寿命明显... 在球-盘滑动摩擦试验机上考察了法向载荷、盘转速、基体材料和环境气压及潮湿贮存时间对MoS2基共溅射薄膜的摩擦因数和耐磨寿命的影响.结果表明:在给定的试验条件下,法向载荷增大时薄膜的稳态摩擦因数有所减小,而耐磨寿命明显缩短;几种不同金属基体对其表面薄膜摩擦因数的影响基本一致,但对耐磨寿命的影响差别较大;盘转速加快使摩擦因数和摩擦因数波动幅值都减小;环境气压降低(特别在真空中)时薄膜的摩擦因数降低,摩擦稳定性提高,耐磨寿命延长;在潮湿大气中贮存后,薄膜的摩擦因数和耐磨寿命均无明显变化. 展开更多
关键词 共溅射薄膜 摩擦学性能 潮湿贮存 二硫化钼
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钛合金表面离子束增强沉积MoS_2基膜层及其性能 被引量:16
18
作者 刘道新 唐宾 +1 位作者 陈华 何家文 《中国有色金属学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第3期454-460,共7页
将离子束增强沉积 (IBED)技术与离子束溅射沉积技术相结合 ,在钛合金表面制备了MoS2 ,MoS2 Ti复合膜。研究了膜层的形态、结构、膜基结合强度、硬度、摩擦学性能及抗微动 (fretting)损伤性能。结果表明 :所获膜层较纯溅射膜结合强度高... 将离子束增强沉积 (IBED)技术与离子束溅射沉积技术相结合 ,在钛合金表面制备了MoS2 ,MoS2 Ti复合膜。研究了膜层的形态、结构、膜基结合强度、硬度、摩擦学性能及抗微动 (fretting)损伤性能。结果表明 :所获膜层较纯溅射膜结合强度高、致密性好 ,复合膜中允许的金属元素含量大。通过恰当地控制复合膜中Ti的含量 ,可获得以 (0 0 2 )基面择优取向的MoS2 Ti复合膜 ,该膜层有较好的减摩和抗磨综合性能 ,能够显著地改善钛合金的常规磨损、微动磨损 (FW )和微动疲劳 (FF)性能 ,特别是在磨损严重的大位移整体滑移条件下 ,MoS2 Ti复合膜对钛合金FF抗力的提高作用可大于喷丸形变强化处理。 展开更多
关键词 钛合金 离子束增强沉积 moS2复合膜 磨擦磨损 微动疲劳 喷丸强化
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沉积参数对Mo-Re合金基体上沉积金刚石薄膜的影响 被引量:4
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作者 王健 余志明 +1 位作者 吴晓斌 刘倩 《中国有色金属学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第6期1415-1421,共7页
采用热丝化学气相沉积法(HFCVD),以甲烷和氢气为反应气体,在综合性能良好的Mo-40%Re(摩尔分数)合金基体上沉积金刚石薄膜。采用X射线衍射仪(XRD)、场发射扫描电子显微镜(FESEM)和显微激光拉曼光谱仪(Raman)分别对金刚石薄膜相组成、表... 采用热丝化学气相沉积法(HFCVD),以甲烷和氢气为反应气体,在综合性能良好的Mo-40%Re(摩尔分数)合金基体上沉积金刚石薄膜。采用X射线衍射仪(XRD)、场发射扫描电子显微镜(FESEM)和显微激光拉曼光谱仪(Raman)分别对金刚石薄膜相组成、表面形貌、晶粒大小和质量等进行检测分析,研究CVD沉积参数,如基体温度(θs)、碳源浓度(R,CH4的体积分数)和沉积压强(p),对金刚石形核、生长和金刚石成膜的影响。结果表明:在合适的基体预处理条件下,当θs=750℃,R=3%,p=3.5 kPa时,薄膜平均线生长速率高达1μm/h,得到的金刚石膜完整致密,晶粒大小均匀,纯度较高,具有明显的(111)织构。 展开更多
关键词 金刚石薄膜 mo-Re合金 RAMAN光谱 阴极材料
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直流反应磁控溅射制备的Mo掺杂TiO_2薄膜的光电特性 被引量:8
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作者 颜秉熙 罗胜耘 沈杰 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2012年第2期381-386,共6页
通过直流反应磁控溅射制备了不同Mo掺杂量的Mo-TiO2薄膜.用原子力显微镜(AFM)、X射线衍射(XRD)仪、X射线光电子能谱(XPS)仪、紫外-可见(UV-Vis)分光光度计详细研究了Mo掺杂量对薄膜表面形貌、晶体结构、元素价态及吸收带边的影响.用瞬... 通过直流反应磁控溅射制备了不同Mo掺杂量的Mo-TiO2薄膜.用原子力显微镜(AFM)、X射线衍射(XRD)仪、X射线光电子能谱(XPS)仪、紫外-可见(UV-Vis)分光光度计详细研究了Mo掺杂量对薄膜表面形貌、晶体结构、元素价态及吸收带边的影响.用瞬态光电流和循环伏安法考察了不同Mo含量ITO/Mo-TiO2电极的光电特性.结果表明:在TiO2薄膜中掺入的Mo以Mo6+和Mo5+两种价态存在;随着Mo掺杂量的增加,Mo-TiO2薄膜的晶粒尺寸逐渐减小,晶格畸变增大,吸收阈值显著红移;薄膜的禁带宽度先减小后增大,在Mo掺杂量为2.7%(n(Mo)/n(Ti))时禁带宽度最小;Mo掺杂量为0.9%的样品在氙灯下的光生电流最大,且随着所加阳极偏压的提高光生电流并未呈现出饱和的趋势.此后随着掺杂量的提高,薄膜的光生电流开始下降,当Mo掺杂量达到3.6%时,薄膜的光电流小于未掺杂的样品;说明适当浓度的Mo掺杂能够提高Mo-TiO2薄膜光电性能,光生电流最大可达未掺杂的2.4倍. 展开更多
关键词 光生电流 循环伏安 直流反应磁控溅射 二氧化钛薄膜 钼掺杂
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