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Influence of bath composition on the electrodeposition of cobalt-molybdenum amorphous alloy thin films
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作者 Qiaoying Zhou Hongliang Ge Guoying Wei Qiong Wu 《Journal of University of Science and Technology Beijing》 CSCD 2008年第5期611-617,共7页
Cobalt-molybdenum (Co-Mo) amorphous alloy thin films were deposited on copper substrates by the electrochemical method at pH 4.0. Among the experimental electrodeposition parameters,only the concentration ratio of m... Cobalt-molybdenum (Co-Mo) amorphous alloy thin films were deposited on copper substrates by the electrochemical method at pH 4.0. Among the experimental electrodeposition parameters,only the concentration ratio of molybdate to cobalt ions ([MoO4^2-]/[Co^2+]) was varied to analyze its influence on the mechanism of induced cobalt-molybdenum codeposition. Voltammetry was one of the main techniques,which was used to examine the voltammetric response,revealing that cobalt-molybdenum codeposition depended on the nature of the species in solution. To correlate the type of the film to the electrochemical response,various cobalt-molybdenum alloy thin films obtained from different [MoO4^2-]/[Co^2+] solutions were tested. Crack-free homogeneous films could be easily obtained from the low molybdate concentrations ([MoO4^2-]/[Co^2+]≈0.05) applying low deposition potentials. Moreover,the content of molybdenum up to 30wt% could be obtained from high molybdate concentration; in this case,the films showed cracks. The formation of these cracked films could be predicted from the observed distortions in the curves of electric current-time (j-t) deposition transients. The films with amorphous structure were obtained. The hysteresis loops suggested that the easily magnetized axis was parallel to the surface of the films. A saturation magnetization of 137 emu·g^-1 and a coercivity of 87 Oe of the film were obtained when the deposition potential was -1025mV,and [ MoO4^2-]/[Co^2+] was 0.05 in solution,which exhibited a nicer soft-magnetic response. 展开更多
关键词 Co-mo alloy thin films AmoRPHOUS ELECTRODEPOSITION soft magnetism
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Ti-Mo合金薄膜的储氢特性和抗氢脆能力 被引量:24
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作者 施立群 周筑颖 赵国庆 《金属学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2000年第5期530-534,共5页
用前向反冲方法和高能非Rutherford背散射方法研究了磁控溅射制备的Ti-Mo合金薄膜的氢化性能和碳、氧污染的影响。掺Mo的Ti合金薄膜不仅能大大减低碳的污染,而且较纯钛有较高的吸氢性能.合金氢化后由δ相氢化物和... 用前向反冲方法和高能非Rutherford背散射方法研究了磁控溅射制备的Ti-Mo合金薄膜的氢化性能和碳、氧污染的影响。掺Mo的Ti合金薄膜不仅能大大减低碳的污染,而且较纯钛有较高的吸氢性能.合金氢化后由δ相氢化物和β相固溶体组成.随着Mo成分增加,合金中的β-(Ti,Mo)含量上升.当Mo含量(原子分数,%)约20时可形成单一的β相固溶体,此时氢含量(原子分数,%)仍可在45以上.Ti-Mo合金薄膜同时也具有良好的附着力和抗粉化性能。 展开更多
关键词 TI-mo合金 薄膜 氢化 氢脆 储氢特性
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CIGS薄膜太阳能电池用Mo背电极的制备与结构性能研究 被引量:6
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作者 赵志明 丁宇 +4 位作者 曹智睿 田亚萍 屈直 张国君 蒋百灵 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第12期74-77,共4页
利用磁控溅射技术在Soda-lime玻璃衬底上沉积CIGS薄膜太阳能电池用金属Mo背电极薄膜,并研究了Mo靶功率、基片脉冲宽度以及预清洗时间对Mo薄膜的相结构、形貌及电阻率的影响。结果表明,沉积的Mo薄膜均沿(110)晶面呈柱状择优生长;增大Mo... 利用磁控溅射技术在Soda-lime玻璃衬底上沉积CIGS薄膜太阳能电池用金属Mo背电极薄膜,并研究了Mo靶功率、基片脉冲宽度以及预清洗时间对Mo薄膜的相结构、形貌及电阻率的影响。结果表明,沉积的Mo薄膜均沿(110)晶面呈柱状择优生长;增大Mo靶溅射功率可以促进薄膜晶粒长大、提高薄膜的致密性、降低电阻率;合适的基片脉冲电压脉宽促进了晶核的形成、长大并有助于沉积过程中Mo晶粒长大,进而降低薄膜电阻率;通过延长预清洗时间可获得致密性好、电阻率低的Mo薄膜,所获得的Mo薄膜最低电阻率为3.5×10-5Ω.cm。 展开更多
关键词 mo薄膜 磁控溅射 XRD SEM
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高择优取向Mo薄膜的直流磁控溅射制备及其电学性能 被引量:5
4
作者 王震东 赖珍荃 +1 位作者 范定环 徐鹏 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第9期1342-1345,共4页
使用直流磁控溅射法在玻璃基底上沉积Mo薄膜,采用X射线衍射仪、原子力显微镜和四探针测试系统研究了溅射工艺对Mo薄膜的结构、形貌和电学性能的影响.结果表明:当基片温度为150℃时,薄膜获得(211)晶面择优取向生长,而在低于250℃的其它... 使用直流磁控溅射法在玻璃基底上沉积Mo薄膜,采用X射线衍射仪、原子力显微镜和四探针测试系统研究了溅射工艺对Mo薄膜的结构、形貌和电学性能的影响.结果表明:当基片温度为150℃时,薄膜获得(211)晶面择优取向生长,而在低于250℃的其它温度条件下,样品则表现为(110)晶面择优取向生长.进一步的表面形貌分析显示:薄膜的粗糙度随基片温度变化不明显,其值大约为0.35nm,随溅射功率密度的增大而变大;电学性能方面:随着溅射功率密度的升高,薄膜导电性能迅速增强,电阻率呈现近似指数函数衰减;随着基底温度的升高,薄膜的电阻率先减小后增大,当基底温度为150℃时,薄膜电阻率降低至最小值2.02×10-5Ω.cm. 展开更多
关键词 直流磁控溅射 mo薄膜 高择优取向 电学性能
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溅射沉积Cu-Mo薄膜的结构和性能 被引量:6
5
作者 郭中正 孙勇 +2 位作者 周铖 沈黎 殷国祥 《中国有色金属学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第6期1422-1428,共7页
用磁控溅射法制备含钼2.19%-35.15%(摩尔分数)的Cu-Mo合金薄膜,运用能谱仪(EDX)、X射线衍射仪(XRD)、透射电镜(TEM)、扫描电镜(SEM)、显微硬度仪和电阻计对薄膜成分、结构和性能进行研究。结果表明:Mo添加使Cu-Mo薄膜晶粒显... 用磁控溅射法制备含钼2.19%-35.15%(摩尔分数)的Cu-Mo合金薄膜,运用能谱仪(EDX)、X射线衍射仪(XRD)、透射电镜(TEM)、扫描电镜(SEM)、显微硬度仪和电阻计对薄膜成分、结构和性能进行研究。结果表明:Mo添加使Cu-Mo薄膜晶粒显著细化,Cu-Mo膜呈纳米晶结构,存在Mo在Cu中的FCC Cu(Mo)非平衡亚稳过饱和固溶体;随Mo含量的增加,Mo固溶度逐渐增加,而薄膜微晶体尺寸则逐渐减小,Mo的最大固溶度为30.6%。与纯Cu膜对比表明,Cu-Mo膜的显微硬度和电阻率随Mo含量的上升而持续增加。经200、400和650℃热处理1 h后,Cu-Mo膜的显微硬度和电阻率均降低,降幅与热处理温度呈正相关;经650℃退火后,Cu-Mo膜基体相晶粒长大,并出现亚微米-微米级富Cu第二相。在Cu-Mo膜的XRD谱中观察到Mo(110)特征峰,Cu-Mo薄膜结构和性能形成及演变的主要原因是添加Mo引起的晶粒细化效应以及热处理中基体相晶粒的生长。 展开更多
关键词 Cu-mo合金薄膜 纳米晶结构 热处理 显微硬度 电阻率
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Mo的掺杂方式对TiO_2光催化活性的影响 被引量:11
6
作者 杨莹 李新军 +2 位作者 陈俊涛 王良焱 何明兴 《中国有色金属学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第3期509-514,共6页
通过溶胶凝胶法制备了以不同方式和不同浓度掺Mo的TiO2薄膜。通过X射线衍射(XRD)、UV VIS透射光谱、电化学阻抗谱分析了Mo对TiO2薄膜晶粒结构、光吸收性能、阻抗的影响。甲基橙光催化降解实验表明,钼的最佳掺杂方式为在薄膜底层掺杂,在... 通过溶胶凝胶法制备了以不同方式和不同浓度掺Mo的TiO2薄膜。通过X射线衍射(XRD)、UV VIS透射光谱、电化学阻抗谱分析了Mo对TiO2薄膜晶粒结构、光吸收性能、阻抗的影响。甲基橙光催化降解实验表明,钼的最佳掺杂方式为在薄膜底层掺杂,在表层及体相掺杂的效果均比未掺杂的TiO2差;其中以Mo的摩尔分数为1.0%、在薄膜底层掺杂时TiO2薄膜的光催化活性最佳。并从载流子分离效率方面讨论了掺杂方式及掺杂浓度对光催化活性的影响。 展开更多
关键词 TIO2 光催化活性 溶胶-凝胶 掺杂
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纳米MoS_2薄膜的浸涂-热解法制备和摩擦学性能研究 被引量:5
7
作者 陈云霞 冯治中 刘维民 《摩擦学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第2期85-89,共5页
用浸涂 -热解法在玻璃基底表面制备了纳米 Mo S2 薄膜 ,利用 X射线光电子能谱仪、X射线粉末衍射仪、原子力显微镜、静 -动摩擦系数测量仪和扫描电子显微镜等仪器研究了薄膜的微观结构、表面形貌和摩擦学性能 ,初步探讨了薄膜的摩擦磨损... 用浸涂 -热解法在玻璃基底表面制备了纳米 Mo S2 薄膜 ,利用 X射线光电子能谱仪、X射线粉末衍射仪、原子力显微镜、静 -动摩擦系数测量仪和扫描电子显微镜等仪器研究了薄膜的微观结构、表面形貌和摩擦学性能 ,初步探讨了薄膜的摩擦磨损机制 .结果表明 :浸涂 -热解法制备的 Mo S2 薄膜由近似非晶的纳米微晶组成 ,薄膜均匀、致密 ,表面粗糙度小 ;在室温干摩擦条件下 ,Mo S2 薄膜与 GCr15钢球对摩时显示出良好的抗磨减摩性能 ;当负荷为 1.0 N而滑动速度为 90 mm/ min时 ,其耐磨寿命大于 5 0 0 0次 ,摩擦系数最低可达 0 .12 .磨损表面形貌显微分析表明 :在低速和低负荷下薄膜的磨损机制主要是塑性变形和轻微粘着转移 。 展开更多
关键词 浸涂-热解法 制备 摩擦学性能 纳米二硫化钼薄膜
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磁控溅射Cu-Nb和Cu-Mo薄膜结构与性能 被引量:5
8
作者 刘国涛 孙勇 +2 位作者 郭中正 吴大平 朱雪婷 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第6期49-53,共5页
采用磁控溅射制备含1.16%~15.8%(原子分数)Nb的Cu-Nb及含2.2%~27.8%Mo的Cu-Mo合金薄膜,井采用EDX、XRD、SEM、显微硬度仪和电阻计对薄膜的成分、结构和性能进行研究。结果表明,Nb和Mo的添加分别使Cu-Nb及Cu-Mo薄膜晶粒显著细化,Cu-Nb... 采用磁控溅射制备含1.16%~15.8%(原子分数)Nb的Cu-Nb及含2.2%~27.8%Mo的Cu-Mo合金薄膜,井采用EDX、XRD、SEM、显微硬度仪和电阻计对薄膜的成分、结构和性能进行研究。结果表明,Nb和Mo的添加分别使Cu-Nb及Cu-Mo薄膜晶粒显著细化,Cu-Nb和Cu-Mo薄膜呈纳米晶结构,存在Nb在Cu中的fcc Cu(Nb)和Mo在Cu中的fcc Cu(Mo)非平衡亚稳过饱和固溶体,固溶度随Nb或Mo含量增加而上升。添加Nb和Mo显著提高Cu-Nb及Cu-Mo薄膜的显微硬度和电阻率,且随Nb或Mo含量增加而升高。经650℃热处理1h后,Cu-Nb和Cu-Mo薄膜显微硬度和电阻率均下降,且分析表明均发生基体相晶粒长大,并出现微米-亚微米级富Cu第二相,Cu-Nb及Cu-Mo薄膜结构和性能形成及演变的主要原因是添加的Nb、Mo引起的晶粒细化效应以及退火中基体相晶粒度的增大。 展开更多
关键词 Cu-Nb合金薄膜Cu-mo合金薄膜纳米晶结构热处理显微硬度 电阻率
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MOCVD制备的Mo_2C膜粗糙度研究 被引量:3
9
作者 郑瑞伦 冉扬强 +1 位作者 陈洪 罗玲 《西南师范大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2000年第1期23-27,共5页
介绍了金属有机气相沉积 (MOCVD)制备Mo2 C膜的过程和对膜表面粗糙度的测量结果 ;在测量基础上进行统计 ,找出Mo2 C膜的高差分布 ;应用非平衡统计理论导出表面高差分布公式 .结果表明实际测量与理论推导结果一致 .
关键词 粗糙度 薄膜 碳化二钼膜
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0.15μm薄膜全耗尽MOS/SOI器件的设计和研制 被引量:7
10
作者 张兴 王阳元 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第2期156-160,共5页
利用自己开发的二维数值深亚微米SOI器件模拟软件,较为详细地分析了沟道长度小于0.2μm 的SOI器件的阈值电压特性、穿通和击穿特性、亚阈值特性以及直流稳态特性等.通过这些模拟和分析计算,给出了沟道长度为0.18、0... 利用自己开发的二维数值深亚微米SOI器件模拟软件,较为详细地分析了沟道长度小于0.2μm 的SOI器件的阈值电压特性、穿通和击穿特性、亚阈值特性以及直流稳态特性等.通过这些模拟和分析计算,给出了沟道长度为0.18、0.15和0.1μm 的薄膜全耗尽SOI/MOS器件的设计方案,并根据该设计方案成功地研制出了性能良好的沟道长度为0.15μm 的凹陷沟道SOI器件.沟道长度为0.15μm 薄膜全耗尽凹陷沟道SOI器件的亚阈值斜率为87m V/dec,击穿电压为1.6V,阈值电压为0.42V,电源电压为1.5V 时的驱动电流为1.85m A,泄漏电流为0. 展开更多
关键词 moS/SOI器件 薄膜 设计
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厚度对电子束蒸发制备IMO薄膜性能的影响 被引量:2
11
作者 韩东港 陈新亮 +1 位作者 杨瑞霞 赵颖 《河北工业大学学报》 CAS 北大核心 2010年第6期1-3,共3页
通过电子束蒸发法制备In2O3:Mo(IMO)薄膜,详细研究了厚度对薄膜光电性能的影响.当薄膜厚度为=35 nm时,XRD谱与SEM图像均证明薄膜基本上处于非晶态(存在少许纳米晶粒),其光学特性优良而电学特性较差;随着薄膜厚度增加,薄膜的晶体结构变... 通过电子束蒸发法制备In2O3:Mo(IMO)薄膜,详细研究了厚度对薄膜光电性能的影响.当薄膜厚度为=35 nm时,XRD谱与SEM图像均证明薄膜基本上处于非晶态(存在少许纳米晶粒),其光学特性优良而电学特性较差;随着薄膜厚度增加,薄膜的晶体结构变得较完善,晶粒增大,薄膜电学性能取得到了改善,在薄膜厚度=150 nm时获得最小电阻率~2.1×10-4 cm,而光学特性有所恶化.通过性能指数比较,d=110 nm厚度的IMO薄膜光电性能较好. 展开更多
关键词 电子束蒸发技术 In2O3:mo(Imo)薄膜 薄膜厚度 高迁移率 晶体结构
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基于正交试验的Mo薄膜工艺参数优化 被引量:1
12
作者 王波 沈琦 +3 位作者 张丽霞 王喆 祁超 马玉田 《北京工业大学学报》 CAS CSCD 北大核心 2022年第1期79-84,共6页
Mo薄膜是CIGS薄膜太阳电池背电极的首选材料,对薄膜与基底间的结合力提出很大要求.为提高Mo薄膜与基底结合力,借助L_(9)(3^(3))正交表研究基底温度、溅射气压和溅射功率3种影响因素对Mo薄膜结合力的影响,针对每种因素各选取3个水平值.... Mo薄膜是CIGS薄膜太阳电池背电极的首选材料,对薄膜与基底间的结合力提出很大要求.为提高Mo薄膜与基底结合力,借助L_(9)(3^(3))正交表研究基底温度、溅射气压和溅射功率3种影响因素对Mo薄膜结合力的影响,针对每种因素各选取3个水平值.采用压入法衡量薄膜与基底的结合力,结合力的评价指标为压入引起的裂纹的面积,利用改进版龟裂评级法得出裂纹面积.通过极差分析得到基底温度、溅射气压、溅射功率所对应的R值分别为6.51、18.29、5.96;最优水平组合为A_(1)B_(2)C_(3),此时裂纹面积最小,为2.41μm^(2).结果表明:影响Mo薄膜与基底结合力的因素由主到次为溅射气压、基底温度、溅射功率,综合考虑3种影响因素下Mo薄膜的最优制备工艺参数为溅射功率150 W,溅射气压0.5 Pa,基底温度100℃. 展开更多
关键词 mo薄膜 磁控溅射 结合力 参数优化 正交试验 裂纹面积
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直流反应磁控溅射制备的Mo掺杂TiO_2薄膜的光电特性 被引量:8
13
作者 颜秉熙 罗胜耘 沈杰 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2012年第2期381-386,共6页
通过直流反应磁控溅射制备了不同Mo掺杂量的Mo-TiO2薄膜.用原子力显微镜(AFM)、X射线衍射(XRD)仪、X射线光电子能谱(XPS)仪、紫外-可见(UV-Vis)分光光度计详细研究了Mo掺杂量对薄膜表面形貌、晶体结构、元素价态及吸收带边的影响.用瞬... 通过直流反应磁控溅射制备了不同Mo掺杂量的Mo-TiO2薄膜.用原子力显微镜(AFM)、X射线衍射(XRD)仪、X射线光电子能谱(XPS)仪、紫外-可见(UV-Vis)分光光度计详细研究了Mo掺杂量对薄膜表面形貌、晶体结构、元素价态及吸收带边的影响.用瞬态光电流和循环伏安法考察了不同Mo含量ITO/Mo-TiO2电极的光电特性.结果表明:在TiO2薄膜中掺入的Mo以Mo6+和Mo5+两种价态存在;随着Mo掺杂量的增加,Mo-TiO2薄膜的晶粒尺寸逐渐减小,晶格畸变增大,吸收阈值显著红移;薄膜的禁带宽度先减小后增大,在Mo掺杂量为2.7%(n(Mo)/n(Ti))时禁带宽度最小;Mo掺杂量为0.9%的样品在氙灯下的光生电流最大,且随着所加阳极偏压的提高光生电流并未呈现出饱和的趋势.此后随着掺杂量的提高,薄膜的光生电流开始下降,当Mo掺杂量达到3.6%时,薄膜的光电流小于未掺杂的样品;说明适当浓度的Mo掺杂能够提高Mo-TiO2薄膜光电性能,光生电流最大可达未掺杂的2.4倍. 展开更多
关键词 光生电流 循环伏安 直流反应磁控溅射 二氧化钛薄膜 钼掺杂
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CVD方法制备Mo_2C膜的化学反应机制和组分含量的热力学计算 被引量:2
14
作者 平荣刚 吕弋 《西南师范大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 1999年第3期284-289,共6页
报道了采用CVD方法制备Mo2C膜的方法,在实验上证实了Mo2C膜的化学反应机制包括Mo(CO)6的分解和Mo的碳化两个过程,根据自由能极小原理对薄膜中各组分的含量与沉积温度的关系作了计算。
关键词 热力学 组分含量 碳化钼膜 CVD 化学反应
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Ta_2O_5薄膜MOS型湿敏元件的机理研究 被引量:1
15
作者 刘云峰 陈国平 张浩康 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第5期83-85,共3页
使用直流磁控反应溅射的工艺方法制备了Ta2O5薄膜MOS型湿敏元件,提出了元件的结构模型,并对其感湿机理进行了讨论.
关键词 薄膜 moS 湿敏元件 氧化钽
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掺杂Mo^(6+)对纳米TiO_2薄膜亲水性的影响 被引量:1
16
作者 甘玉琴 杜玉扣 +2 位作者 杨平 石恩娴 华南平 《影像科学与光化学》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2004年第6期401-407,共7页
用溶胶 凝胶法制备了一系列掺杂钼量不同的TiO2纳米薄膜.用XRD,SEM和CAS(ContactAngleSystem)对TiO2薄膜的结构和性能进行了表征.结果表明,Mo6+掺杂浓度对薄膜的热致亲水性和光致亲水性均有影响,当掺Mo6+质量分数为0.75%,热处理温度为40... 用溶胶 凝胶法制备了一系列掺杂钼量不同的TiO2纳米薄膜.用XRD,SEM和CAS(ContactAngleSystem)对TiO2薄膜的结构和性能进行了表征.结果表明,Mo6+掺杂浓度对薄膜的热致亲水性和光致亲水性均有影响,当掺Mo6+质量分数为0.75%,热处理温度为400℃时,掺钼TiO2薄膜在黑暗中放置72h后仍能表现超亲水性. 展开更多
关键词 二氧化钛薄膜 热致亲水性 光致亲水性
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[MoO_4^(2-)]对Co-Mo共沉积机制及薄膜磁性能影响 被引量:3
17
作者 周巧英 葛洪良 +1 位作者 卫国英 吴琼 《中国计量学院学报》 2006年第4期324-329,共6页
从柠檬酸盐存在的酸性环境中电沉积制备了Co-Mo磁性薄膜.实验中固定电沉积条件,以循环伏安法和恒电位暂态法作为研究镀液中电化学响应的主要手段,研究了镀液中[MoO42-]对Co-Mo诱导共沉积机制的影响.结果显示:在酸性环境中,柠檬酸盐首先... 从柠檬酸盐存在的酸性环境中电沉积制备了Co-Mo磁性薄膜.实验中固定电沉积条件,以循环伏安法和恒电位暂态法作为研究镀液中电化学响应的主要手段,研究了镀液中[MoO42-]对Co-Mo诱导共沉积机制的影响.结果显示:在酸性环境中,柠檬酸盐首先与钼酸盐形成络合物HrMoO4Cit[5-r],再生成钼氧化物.钴在镀液中主要是以CoHCit存在,CoHCit和钼氧化物同时从镀液中减少,最终达到共沉积,这主要取决于镀液中各离子的自身特性.薄膜磁性测量的结果表明:Co-Mo薄膜的易磁化轴平行于膜面.在与该轴平行方向上随镀液中[MoO42-]的增加,薄膜矫顽力(Hc//)增大,饱和磁化强度(Ms//)减小.镀液中[MoO42-]较低时,得到致密、光亮的Co-Mo磁性薄膜. 展开更多
关键词 Co—mo 诱导共沉积 [moO4^2-] 磁性能 薄膜
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薄膜全耗尽积累型SOIMOS器件在(27~300℃)宽温区高温特性的研究
18
作者 冯耀兰 樊路加 +2 位作者 宋安飞 施雪捷 张正璠 《电子器件》 CAS 2002年第1期18-21,共4页
本文在对 p+ p p+ 结构薄膜全耗尽积累型 SOI MOS器件导电机理和基本特性研究的基础上 ,进一步研究了实验样品在 (2 7~ 30 0℃ )宽温区高温特性 ,理论和实验研究结果表明 p+ p p+ 结构薄膜全耗尽积累型 SOI MOS器件实验样品在 (2 7~ 3... 本文在对 p+ p p+ 结构薄膜全耗尽积累型 SOI MOS器件导电机理和基本特性研究的基础上 ,进一步研究了实验样品在 (2 7~ 30 0℃ )宽温区高温特性 ,理论和实验研究结果表明 p+ p p+ 结构薄膜全耗尽积累型 SOI MOS器件实验样品在 (2 7~ 30 0℃ ) 展开更多
关键词 绝缘体上硅 金属-氧化物-半导体 薄膜 积累型 高温特性 moS器件
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Mo_2C膜表面粗糙度随温度和时间变化规律的研究
19
作者 章娴君 王显祥 +1 位作者 罗玲 郑瑞伦 《西南师范大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2002年第1期64-68,共5页
对以羰基金属气相沉积制备的Mo2 C膜表面粗糙度进行了测量 ;在测量基础上进行统计 ,找出了表面高度分布并确定表面粗糙度随时间和温度的变化规律 .结果表明 :Mo2 C膜表面粗糙化属快速粗糙化 ,粗糙度随时间的变化具有标度函数的特征 ;
关键词 mo2C膜 高度分布 表面粗糙度 温度 时间 变化规律
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Mo电极上磁控反应溅射AlN薄膜 被引量:4
20
作者 熊娟 顾豪爽 +1 位作者 胡宽 吴小鹏 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2009年第A02期230-233,共4页
采用射频反应磁控溅射法在Mo电极上沉积了AlN薄膜。研究了溅射气压、靶基距、溅射功率、衬底温度及N2含量等不同工艺条件对AlN薄膜择优取向生长的影响。用XRD分析了薄膜的择优取向,用原子力显微镜、高分辨场发射扫描电镜表征了薄膜的形... 采用射频反应磁控溅射法在Mo电极上沉积了AlN薄膜。研究了溅射气压、靶基距、溅射功率、衬底温度及N2含量等不同工艺条件对AlN薄膜择优取向生长的影响。用XRD分析了薄膜的择优取向,用原子力显微镜、高分辨场发射扫描电镜表征了薄膜的形貌。实验结果表明,靶基距和溅射气压的减小,衬底温度及溅射功率的升高有利于AlN(002)晶面的择优取向生长。氮氩比对AlN薄膜择优取向生长影响较小,N2≥50%(体积分数)时均可制得高c轴择优取向的AlN薄膜。经优化工艺参数制备的AlN柱状晶薄膜适用于体声波谐振滤波器的制备。 展开更多
关键词 ALN薄膜 射频磁控反应溅射 c轴择优取向 mo电极
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